调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的方法及装置制造方法及图纸

本申请实施例涉及用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。本发明专利技术提供一种用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于所述经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。基于单组参数而动态地调谐所述经调制晶片的裸片的敏感度。此外，依据现有所确定的参数特定标称工艺窗而确定用于所述经调制晶片的所述工艺窗。经调制晶片的所述工艺窗。经调制晶片的所述工艺窗。

【技术实现步骤摘要】
调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的方法及装置
[0001]本申请是专利技术名称为“用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体”，申请号为201780068639.5，申请日为2017年11月20日的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请案
[0003]本申请案主张2016年11月21日提出申请的美国临时专利申请案第62/425,029 号的权益，所述美国临时专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0004]本专利技术涉及经调制晶片的检验，且更特定来说涉及经调制晶片的敏感度调谐及工艺窗表征。

技术介绍

[0005]当前，可通过将晶片上的目标裸片与晶片上的参考裸片进行比较而检测晶片中的缺陷。检验系统通过出于比较目的而拍摄目标及参考裸片的图像来实现此。特定来说，检测缺陷通常涉及执行两个单独比较来产生两个单独结果，一个比较是在目标裸片与参考裸片中的一者之间，且另一比较是在目标裸片与参考裸片中的另一者之间。两个单独比较结果之间的任何类似性通常用作裸片中的缺陷的指示符。接着使用所检测缺陷作为用于考核晶片的设计(例如，确定系统地易于出现缺陷的设计区)且进一步用于表征由用以制作晶片的制造工具使用的工艺窗(例如，制造工具在设计规格内制作晶片的参数)的基础。
[0006]现有技术图1展示晶片的传统布局，所述晶片在列102中具有多个目标裸片，每一目标裸片是由参数(例如，聚焦(F)及曝光(E))值的不同组合调制(即，放大)的相同图案，且所述晶片进一步在位于目标裸片的列的两侧上的列104、106中具有多个参考裸片并且每一参考裸片是所述相同图案的标称(即，未经调制)版本。因此，针对列102 中的目标裸片中的任何特定一者，可使用来自列104的参考裸片及来自列106的参考裸片来检测特定目标裸片中的缺陷(参见框108)。尽管将参考裸片展示为邻近于目标裸片，但此未必总是如此。举例来说，在其它晶片配置中，用于任何特定目标裸片的参考裸片可为最接近但未必邻近于特定目标裸片的参考裸片。
[0007]遗憾地，与上文所描述缺陷检测相关的传统方法涉及低效且因此时间及资源密集型的技术。仅通过实例方式，用于工艺窗表征的当前方法(例如，工艺窗资格认证(PWQ) 方法)需要众多扫描迭代，包含针对每一裸片的单独测试，所述单独测试进一步涉及针对裸片的每一调制的单独扫描。
[0008]为了配合上文所提及的限制，当前方法进一步涉及针对每一调制单独地估计检验敏感度。此可使用初始阈值测定器(Finder)(ITF)来实现，但在任一情形中需要对每个经调制裸片进行初步扫描来评估经调制裸片的缺陷率且将敏感度指派给经调制裸片，使得基于所指派敏感度而执行对经调制裸片的后续检验扫描。
[0009]因此，需要解决与现有技术相关联的这些及/或其它问题。

技术实现思路

[0010]在一个实施例中，提供一种用于确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。在使用中，针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域。另外，基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描，且获得所述第一缺陷扫描的结果。此外，依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间，针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗。此外，依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间，针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗。另外，基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗。另外，基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描，且获得所述第二缺陷扫描的结果。此外，依据所述第二缺陷扫描的所述结果，确定用于所述晶片的最终工艺窗。
[0011]在另一实施例中，提供一种用于调谐经调制晶片的敏感度的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。在使用中，从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项：第一裸片，其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制；第二裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制；及第三裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制。另外，基于泰勒级数展开函数(Taylor seriesexpansion function)，从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移。此外，对所述晶片执行检验，针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片：(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移，且(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度应用于所述裸片。
附图说明
[0012]图1展示根据现有技术的晶片的实例性布局。
[0013]图2A展示图解说明非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的方块图，所述非暂时性计算机可读媒体包含可在计算机系统上执行以用于执行本文中所描述的计算机实施方法中的一或多者的程序指令。
[0014]图2B是图解说明经配置以检测经制作装置上的缺陷的检验系统的一个实施例的侧视图的示意图。
[0015]图3图解说明根据一个实施例的用于确定用于经调制晶片的工艺窗的方法。
[0016]图4A到4E图解说明根据另一实施例的图3的方法的第一遍次的实施方案。
[0017]图5图解说明根据一个实施例的用于调谐经调制晶片的敏感度的方法。
[0018]图6图解说明展示根据另一实施例的多项式模型的图表，通过所述多项式模型而调谐经调制晶片的敏感度。
[0019]图7图解说明展示根据另一实施例的线性模型的图表，通过所述线性模型而调谐经调制晶片的敏感度。
具体实施方式
[0020]以下说明揭示用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于所述经调制晶片的工艺窗的方法，以及用于执行所述方法的系统及非暂时性计算机可读媒体。应注意，下文所描述的各种实施例可在任何检验系统(例如，晶片检验、光罩检验、激光扫描检验系统等)的上下文中实施，例如下文参考图2B所描述的检验系统。
[0021]一个实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上执行以用于执行上文所提及的方法的程序指令。在图2A中展示一个此实施例。特定来说，如图2A中所展示，计算机可读媒体200包含可在计算机系统204上执行的程序指令 202。计算机实施方法包含下文参考图5所描述的方法的步骤。程序指令可针对其而执行的计算机实施方法可包含本文中所描述的任何其它操作。
[0022]实施例如本文中所描述的那些方法的方法的程序指令202可存储于计算机可读媒体200上。所述计算机可读媒体可为存储媒体，例如磁盘或光盘或者磁带或此项技术中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体。作为一选项，计算机可读媒体 200可位于计算机系统204内。
[0023]可以包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或物件导向的技术以及其它技术的各种方式中的任一者来实施程序指令。举例来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储计算机程序产品的非暂时性计算机可读媒体，所述计算机程序产品具有可由处理器执行以执行方法的代码，所述方法包括：从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者：第一裸片，其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制，第二裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制，及第三裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制；基于泰勒级数展开函数，从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移；对所述晶片执行检验，针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片：(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移，且(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中使用每一裸片在所述多个裸片中的预定义排名而识别所述第一裸片、所述第二裸片及所述第三裸片，每一裸片的所述排名随所述裸片的所述调制而变。3.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述一阶偏移是非零的。4.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中利用以下函数来动态地计算与所述裸片对应的所述偏移：偏移＝(maximum(first order offset,second order offset_second die x Noise)，其中Noise为所述裸片中的所述噪声水平。5.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中对所述晶片的具有初级裸片类型的裸片执行所述检验。6.根据权利要求5所述的非暂时性计算机可读媒体，其进一步包括对所述晶片的具有次级裸片类型的裸片执行所述晶片的额外检验，其中针对经受所述额外检验的所述晶片的每一其它裸片，所述额外检验：(...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：