低扩散性液晶混合物及其应用制造技术

技术编号:32740630 阅读:16 留言:0更新日期:2022-03-20 08:47
本发明专利技术提供了一种低扩散性的液晶混合物,特别适用于新型ODF液晶注入制程生产TN、IPS、FFS型液晶显示器件。FFS型液晶显示器件。

【技术实现步骤摘要】
低扩散性液晶混合物及其应用
[0001]本专利技术是申请号为201711047421X的在先专利技术专利的分案,申请日为2017.10.31。本分案是基于母案说明书的实施例5、6和8来撰写的。


[0002]本专利技术涉及液晶混合物及其应用,属于液晶材料


技术介绍

[0003]随着TFT型LCD技术的成熟,液晶显示器逐渐发展成为当今信息显示领域的主流产品。与传统的阴极射线管相比,TFT型LCD在功耗、显示范围、分辨率、对比度、可视角度及响应速度方面都具有明显优势。随着TFT型LCD技术的不断改善,其使用寿命已达3万小时以上。此外TFT型LCD不但体积轻薄,造型美观,还可以节省空间,方便携带,已经广泛应用于手机、电脑、液晶电视及相机等显示设备中。其轻薄性也逐渐带领人们进入无纸办公的时代。
[0004]随着TFT液晶材料应用领域的扩展,人们对液晶材料的响应时间等性能指标也提出了更高的要求,而为了实现快速响应,最简单的方法就是将盒厚做小。传统的真空灌注工艺是利用毛细现象和内外压力差将液晶压入盒内,盒厚越小,液晶注入阻力越大,注入越困难。同时,液晶注入过程还易受到PI膜的取向及其润湿性的制约,尤其MVA和IPS技术的膜取向不利于液晶的注入,导致注入时间过长。近年来,液晶面板的大型化已是不可抵挡的趋势,而基板的尺寸越大,液晶的注入时间就会越长,当尺寸增加到一定程度以后,真空灌注工艺根本无法满足生产需求。为了提高产能,在第五、六代以上的液晶面板生产线上,传统真空灌注工艺已经改为滴入式注入法(One drop filling:ODF)。与传统真空灌注工艺注入技术不同,ODF制程技术是将玻璃基板配向后直接做框胶涂布,然后滴入液晶,再进行对位、贴合、组立工作,最后再将框胶固化。因此ODF不受盒厚、取向膜性质、面板尺寸等因素限制,液晶注入时间大幅度缩短,而且ODF制程工艺步骤减少,cell工艺简化,液晶材料的利用率大幅度提高。
[0005]ODF工艺虽会带来诸多的优点,但是相较于传统真空灌注工艺,ODF在注入液晶后,由于面板尺寸小,液晶扩散空间会变得更小,如果液晶材料本身容易扩散,那么框胶在未经固化前就已经与液晶接触,而边框胶的化学成分容易与液晶材料中的化学成分发生相互作用,形成对液晶的污染,导致液晶的电压保持率降低,进而带来一系列的显示缺陷。
[0006]为了解决上述问题,一方面要改善边框胶的化学成分,减小其污染性,另一方面就是要改善液晶材料,降低液晶材料的扩散性。因此为了获得性能优良的液晶材料,除了要求更广的工作温度,更快的响应速度、更高的电压保持率,更高清亮点、更高的热稳定性、UV稳定性及低温可靠性以外,还需要具有适用于新型ODF注入法的低扩散性。

技术实现思路

[0007]专利技术目的:针对上述技术问题,本专利技术提供了一种液晶混合物及其应用,以获得更广的工作温度,更快的响应速度,更高的电压保持率的同时,具有低扩散性。
[0008]技术方案:本专利技术公开了一种一种液晶混合物,所述液晶混合物包括组分1,组分2,和/或组分3和/或组分4;
[0009]所述组分1选自具有通式I所示的一种或多种化合物,所述通式I为:
[0010][0011]其中,R为具有2到7个碳原子的烷基中的任意一种烷基、2到7个碳原子的烯基中的任意一种烯基、环戊基,或者为1到7个碳原子烷基取代的环戊基;R1为F、OCF3、CF3、具有2到7个碳原子的烷基中的任意一种烷基、2到7个碳原子的烯基中的任意一种烯基、2到7个碳原子的烷氧基中的任意一种烷氧基、环戊基,或者为1到7个碳原子烷基取代的环戊基;且R与R1碳、氧原子数之和大于5;
[0012]各自独立地选自各自独立地选自中的任一种;
[0013]所述组分2选自具有通式II所示的一种或多种化合物,所述通式II为:
[0014][0015]其中,R2为具有1到7个碳原子的烷基、烯基、环戊基,或者为1到7个碳原子烷基取代的环戊基;X3和X4各自独立地选自H或F;m选自1、2或3;n选自0或1;Y1为F、CF3、OCF3、或OCF=CF2;—C—为乙基桥键

CH2CH2‑
、乙烯基桥键

CH=CH

、甲氧基桥键

CH2O

或二氟甲氧醚桥键

CF2O


[0016]选自以及组成的组中的任一种;当m为1时,选自所述组中的一种;当m为2时,两个为选自所述组中的相同基团或两种不同基团;当m为3时,三个为选自所述组中的三种基团,包括三种相同、两种相同或者三种都不同的情况;
[0017]所述组分3选自具有通式III所示的一种或多种化合物,所述通式III为:
[0018][0019]其中,R3和R4各自独立地选自具有1到7个碳原子的卤化或未取代的烷基、烷氧基、烯基或烯烷氧基、环戊基,或者为1到7个碳原子烷基、烷氧基或烯基取代的环戊基;a、b、c和d各自独立地选自0、1或2;
[0020]所述组分4选自具有通式IV所示的一种或多种化合物,所述通式IV为:
[0021][0022]其中,R5和R6各自独立地选自F、具有1到7个碳原子的卤化或未取代的烷基、烷氧基、烯基或烯烷氧基、环戊基,或者为1到7个碳原子烷基、烷氧基或烯基取代的环戊基;e、f、g和h各自独立地选自0、1或2。
[0023]优选:
[0024]所述通式II中,n选自0,m选自1、2或3;或者n选自1,m选自2或3;
[0025]所述通式III中,a、b、c和d各自独立地选自1,或者b选自0,c选自1或2,a和d各自独立地选自0、1或2,且a、b和c之和为3或4;
[0026]所述通式IV中,f选自1,e选自0或1,g选自1或2,h选自0或1,且e、f、g和h之和为3或4。
[0027]所述组分1优选自以下化合物中的一种或多种:
[0028][0029]所述组分2优选自以下化合物中的一种或多种:
[0030][0031][0032][0033]其中,R7为为具有1到7个碳原子的烷基、烯基、环戊基,或者为1到7个碳原子烷基取代的环戊基;Y2为F、CF3、OCF3、或OCF=CF2;X5、X6、X7、X8、X9、X
10
、X
11
和X
12
各自独立地选自H或F;
[0034]所述组分3优选自以下化合物中的一种或多种:
[0035][0036]所述组分4优选自以下化合物中的一种或多种:
[0037][0038][0039]本专利技术另一方面还提供了含有所述液晶混合物的组合物。
[0040]根据本专利技术的又一方面,提供所述液晶混合物及含有该液晶混合物的组合物在液晶显示设备中的应用。
[0041]应用本专利技术的技术方案,通过添加具有低扩散性、低粘度的组分1、具有低扩散性、高介电常数的组分2、具有低扩散性、高清亮点本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低扩散性液晶混合物,其特征在于,所述液晶混合物由组分1、组分2和组分3组成;其中,所述组分1由具有式I1、式I7以及式I8结构的液晶化合物组成;所述式I1为:I1所述式I7为:I7所述式I8为:I8其中,所述组分2由具有式II5、式II8以及式II20结构的液晶化合物组成;所述式II5为:II5所述式II8为:II8所述式II20为:II20所述R7为具有1到7个碳原子的烷基、烯基、环戊基,或者为1到7个碳原子的烷基取代的环戊基;Y2为F、CF3、OCF3、或OCF=CF2;X5、X6、X7、X8、X9、X
10
、X
11
和X
12
各自独立地选自H或F;其中,所述组分3由具有式III1、式III7、式III10以及结构的液晶化合物组成;所述式III1为:III1所述式III7为:III7所述式III10为:III102.根据权利要求1所述的液晶混合物,其特征在于,组成组分1的具有式I1结构的液晶化合物的重量含量为10%~13.5%,具有式I7结构的液晶化合物的重量含量为8.1%~13.6%,具有式I8结构的液晶化合物的重量含量为4.9%~5.3%。3.根据权利要求1所述的液晶混合物,其特征在于,组成组分2的具有式II5结构的液晶化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员:李珊珊陈新华
申请(专利权)人:晶美晟光电材料南京有限公司
类型:发明
国别省市:

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