一种增强型TVS结构器件制造技术

本发明专利技术公开了一种增强型TVS结构器件，包括N型半导体衬底，所述N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，所述少子注入结构区用于注入少数载流子，所述少子注入结构区为点状阵列结构，通过在N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，即实现在常规TVS结构器件的基础上，增设了少子注入补偿结构机制，当高压浪涌信号经过本案中的TVS结构器件时，少子注入补偿结构会向P型基区内注入少数载流子，这部分少数载流子会经过P型基区漂移至N型半导体衬底区，降低TVS结构器件在导通时的整体导通电阻，从而降低残压峰值，使被保护的后级IC受到更低的过压干扰。被保护的后级IC受到更低的过压干扰。被保护的后级IC受到更低的过压干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种增强型TVS结构器件


[0001]本专利技术涉及半导体芯片设计及制造
，具体涉及一种增强型TVS结构器件。

技术介绍

[0002]TVS(TransientVoltageSuppressor，瞬态电压抑制器)管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。TVS管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、体积小、易于安装等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、消费类电子、电源、家用电器等各个领域。
[0003]随着集成电路技术的发展，IC芯片对信号扰动变得越来越敏感，特别是对输入端信号波动幅度的耐受度越来越低，这就对接口过压保护器件的动作质量提出了越来越高的要求，降低钳位过冲幅度成为了过压保护器件的第一大优化反向。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种增强型TVS结构器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强型TVS结构器件，包括N型半导体衬底(1)，其特征在于，所述N型半导体衬底(1)的P型基区(2)上开设有少子注入结构区(3)，所述少子注入结构区(3)用于注入少数载流子。2.根据权利要求1所述的一种增强型TVS结构器件,其特征在于，所述少子注入结构区(3)为点状阵列结构；点状阵列圆心间距为300微米，点状圆形掺杂区域直径为20微米。3.根据权利要求1所述的一种增强型TVS结构器件,其特征在于，所述N型半导体衬底(1)的上、下表面设有金属层(4)。4.根据权利要求3所述的一种增强型TVS结构器件,其特征在于，所述金属层(4)为多层金属叠加结构。5.根据权利要求1所述的一种增强型TVS结构器件,其特征在于，所述N型半导体衬底(1)上且位于P型基区(2)的两侧设置有掩蔽层(5)。6.根据权利要求3所述的一种增强型TVS结构器件,其特征在于，金属层(4)由接触层计第一层，共四层，依次分别为铝1.5μm，钛0.3μm，镍0.7μm，银1.5μm。7.一种根据权利要求1所述的增强型TVS结构器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：晶圆准备选取MCZ硅单晶片，5寸晶向<111>，N型，电阻率0.03
‑
0.04Ω/cm，厚度220μm
±
...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪侠，邹有彪，张荣，王全，霍传猛，肖海林，
申请(专利权)人：富芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：