MOSFET组件的电流控制方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及一种MOSFET组件的电流控制方法及装置，包括：获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同，由此方法，可以实现将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均，并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，延长MOSFET组件使用寿命，保证系统稳定。稳定。稳定。

【技术实现步骤摘要】
MOSFET组件的电流控制方法及装置


[0001]本专利技术实施例涉及MOSFET组件电流控制领域，尤其涉及一种MOSFET组件的电流控制方法及装置。

技术介绍

[0002]目前科技日新月异，所需的服务器产品功能日益增加，造成许多产品的用电规格大幅提升，因此在未来发展中，势必会有更多大电流产品的需求使用，在应用于大电流的热插拔下，使用单个MOSFET导电已不能满足，因此设计上需要使用更多MOSFET组件以分散电流负载，使其不会因数量不足而造成损坏。
[0003]目前服务器大电流热插拔设计，大部分使用单纯的MOSFET去分散平均电流，并且利用布局摆放方式以及将电流资料回馈给热插入芯片控制的侦测功能去加强每颗MOSFET的电流均流。由于使用简单的MOSFET设计只在输入前端侦测之后给予每个MOSFET相同的开关指令，并没有针对各个MOSFET电流实际应用上的后端进行侦测功能，因此无法确保在大电流情况下通过各个MOSFET的电流是否会平均。因布局位置不理想可能造成电流长时间通过距离较近以及阻抗较低的某颗MOSFET，严重会造成其电流过大以及温度持续升高的风险。而服务器必须长时间运转，因此导致MOSFET的使用寿命大幅降低或者有瞬间超额使用造成损坏。
[0004]因此，如何将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，成为目前一大挑战。

技术实现思路

[0005]鉴于此，为解决上述技术问题或部分技术问题，本专利技术实施例提供一种MOSFET组件的电流控制方法及装置。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供一种MOSFET组件的电流控制方法，包括：
[0007]获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
[0008]基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；
[0009]基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
[0010]在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0011]获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；
[0012]基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
[0013]在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0014]基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。
[0015]在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0016]调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
[0017]在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0018]判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间；
[0019]若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
[0020]在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0021]将所述第二电流值不等于电流阈值的MOSFET组件的栅极端电压调整为所述电流阈值对应的电压值。
[0022]第二方面，本专利技术实施例提供一种MOSFET组件的电流控制装置，包括：获取模块，用于获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
[0023]确定模块，用于基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；
[0024]控制模块，用于基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
[0025]在一个可能的实施方式中，所述获取模块，具体用于获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
[0026]第三方面，本专利技术实施例提供一种电子设备，包括：处理器和存储器，所述处理器用于执行所述存储器中存储的MOSFET组件的电流控制程序，以实现上述第一方面中所述的MOSFET组件的电流控制方法。
[0027]第四方面，本专利技术实施例提供一种存储介质，包括：所述存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现上述第一方面中所述的MOSFET组件的电流控制方法。
[0028]本专利技术实施例提供的MOSFET组件的电流控制方案，通过获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同，相比于现有技术中使用单纯的MOSFET去分散平均电流，并且利用布局摆放方式以及将电流资料回馈给热插入芯片控制的侦测功能去加强每颗MOSFET的电流均流，只在输入前端侦测之后给予每个MOSFET相同的开关指令，并没有针对各个MOSFET电流实际应用上的后端进行侦测功能，因此无法确保在大电流情况下通过各个MOSFET的电流是否会平均，造成电流长时间通过距离较近以及阻抗较低的某颗MOSFET，使其电流过大以及温度持续升高产生损毁的问题，由本方案，可以将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均，并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，延长MOSFET组件使用寿命，保证系统稳定。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制方法的流程示意图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制方法的原理图；
[0031]图3为本专利技术实施例提供的另一种MOSFET组件的电流控制方法的流程示意图；
[0032]图4为本专利技术实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制装置的结构示意图；
[0033]图5为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0034]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]为便于对本专利技术实施例的理解，下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本专利技术实施例的限定。
[0036]图1为本专利技术实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制方法的流程示意图，如图1所示，该方法具体包括：
[0037]S11、获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET组件的电流控制方法，其特征在于，包括：获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值，包括：获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压，包括：基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，包括：调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间；若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈咏諠，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：