一种半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体装置。该半导体装置包括衬底、设置于衬底上的一个或多个半导体裸芯、设置在衬底上并覆盖一个或多个半导体裸芯的模塑料、设置在模塑料上的电磁屏蔽层以及设置在电磁屏蔽层上的防翘曲层。防翘曲层的厚度大于电磁屏蔽层的厚度。电磁屏蔽层为连续层。防翘曲层包括镂空区域。根据本实用新型专利技术，可以改善在模塑工艺后的半导体装置的翘曲程度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体装置


[0001]本技术涉及一种防翘曲的半导体装置。

技术介绍

[0002]便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储装置，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储装置理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。
[0003]在生产非易失性半导体存储装置以及对经过模塑工艺后的存储装置进行检测的过程中需要对其进行热处理工艺.这时半导体装置需要经受从低温到高温的环境变化，由于多种材料的热膨胀系数不同，使得不同区域随温度变化的形变不相同并引起局部弯曲应力，该弯曲应力使得半导体装置产生向上弯曲或向下弯曲的翘曲现象。因此需要寻找一种方案来改善半导体装置翘曲程度。

技术实现思路

[0004]本技术公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；一个或多个半导体裸芯，设置于衬底上；模塑料，设置在衬底上，覆盖一个或多个半导体裸芯；电磁屏蔽层，设置在模塑料上；防翘曲层，设置在电磁屏蔽层上。防翘曲层的厚度大于电磁屏蔽层的厚度，电磁屏蔽层为连续层，防翘曲层包括镂空区域。
[0005]在一个实施例中，防翘曲层和电磁屏蔽层的厚度比例大于1且小于6。
[0006]在一个实施例中，电磁屏蔽层和防翘曲层分别包括导电层和保护层，导电层的材料包括铜、银或铝。保护层的材料包括不锈钢或陶瓷材料。
[0007]在一个优选的实施例中，电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，第一保护层覆盖模塑料，第一导电层覆盖第一保护层；第二保护层覆盖第一导电层。
[0008]进一步地，防翘曲层包括第三保护层、第二导电层和第四保护层，第三保护层设置在电磁屏蔽层的第二保护层上，第二导电层覆盖第三保护层；第四保护层覆盖第二导电层。
[0009]进一步地，防翘曲层包括第二导电层和第三保护层，第二导电层覆盖第二保护层；第三保护层覆盖第二导电层，第二导电层和第三保护层包括镂空区域。
[0010]在一个优选的实施例中，电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，第一保护层覆盖模塑料，第一导电层覆盖第一保护层，第一导电层的表面具有与镂空区域对应的凹槽区域；第二保护层覆盖凹槽区域；防翘曲层包括第二导电层、第三保护层、第四保护层、第三导电层和第五保护层，第二导电层设置在第一导电层的非凹槽区域的表面上并与其形成一体，第三保护层覆盖第二导电层，第四保护层覆盖第三保护层，第三导电层覆盖第四保护层，第五保护层覆盖第三导电层，第二导电层、第三保护层、第四保护层、第三导电层和第五保护层包括镂空区域。
[0011]在一个优选的实施例中，电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，第一保护层设置在模塑料上，在对应于镂空图案的位置具有开口，第一导电层覆盖模塑料和第一保护层，第一导电层的表面具有与镂空区域对应的凹槽区域，第二保护层覆盖凹槽区域；防翘曲层包括第二导电层、第三保护层、第三导电层和第四保护层，第二导电层设置在第一导电层的非凹槽区域的表面上并与其形成一体；第三保护层覆盖第二导电层，第三导电层覆盖第三保护层，第四保护层覆盖第三导电层，第二导电层、第三保护层、第三导电层和第四保护层包括镂空区域。
[0012]在一个实施例中，电磁屏蔽的厚度在3～20μm之间。
[0013]在一个实施例中，防翘曲层的厚度在3～20μm之间。
[0014]根据本技术，可以改善在模塑工艺后的半导体装置的翘曲程度。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
[0016]图1A为半导体装置100的俯视图；
[0017]图1B为半导体装置100沿图1A中的线A
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A所截取的截面图；
[0018]图2A
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图2C为半导体装置100的形成工艺的各个阶段的示意图；
[0019]图3A为半导体装置200的俯视图；
[0020]图3B为半导体装置200沿图3A中的线A
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A所截取的截面图；
[0021]图4A
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图4C为半导体装置200的形成工艺的各个阶段的示意图；
[0022]图5A为半导体装置300的俯视图；
[0023]图5B为半导体装置300沿图5A中的线A
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A所截取的截面图；
[0024]图6A
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图6C为半导体装置300的形成工艺的各个阶段的示意图；
[0025]图7A为半导体装置400的俯视图；
[0026]图7B为半导体装置400沿图7A中的线A
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A所截取的截面图；以及
[0027]图8A
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图8C为半导体装置400的形成工艺的各个阶段的示意图；
[0028]图9A
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图9C为根据本技术的半导体装置的示例的俯视图。
具体实施方式
[0029]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0030]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本领域普通技术人员所理解的通常意义。专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语可以用于描述各种元件、组件、区域、层、步骤和/或区段，但并不表示任何顺序、数量或者重要性，只是用来区分一个元件、组件、区域、层、步骤和/或区段。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。
[0031]空间上相关的术语，诸如“在
…
上”、“在
…
下”、“上部”、“下部”、“上方”、“下方”等，
可以在本文中出于易于描述的目的来描述一个元件或特征与至少一个其他元件或特征的如图所示的关系。这些空间上相关的术语旨在于涵盖除了附图中所描绘的取向之外在使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果装置翻转，则描述为在另一个元件或特征“下”、“下方”、“之下”的某个元件或特征则将取向在另一个元件的上方。此外，还将理解的是，当元件或特征被描述为“在”两个元件或特征“之间”，可以认为该元件或特征是这两个元件或特征之间的唯一元件或特征，或者还存在至少一个中介的元件或特征。还将理解的是，当元件或特征被描述为“在
…
上”、“连接到”、“耦接到”、“附接到”另一个元件或特征时，它可以是直接地“在
…
上”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；一个或多个半导体裸芯，设置于所述衬底上；模塑料，设置在所述衬底上，覆盖所述一个或多个半导体裸芯；电磁屏蔽层，设置在所述模塑料上；防翘曲层，设置在所述电磁屏蔽层上；其中，所述防翘曲层的厚度大于所述电磁屏蔽层的厚度，所述电磁屏蔽层为连续层，所述防翘曲层包括镂空区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述防翘曲层和所述电磁屏蔽层的厚度比例大于1且小于6。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电磁屏蔽层和所述防翘曲层分别包括导电层和保护层，所述导电层的材料包括铜、银或铝，所述保护层的材料包括不锈钢或陶瓷材料。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，所述第一保护层覆盖所述模塑料，所述第一导电层覆盖所述第一保护层；所述第二保护层覆盖所述第一导电层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述防翘曲层包括第三保护层、第二导电层和第四保护层，所述第三保护层设置在所述电磁屏蔽层的第二保护层上，所述第二导电层覆盖所述第三保护层；所述第四保护层覆盖所述第二导电层。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述防翘曲层包括第二导电层和第三保护层，所述第二导电层覆盖所述第二保护层；所述第三保护层覆盖所述第二导电层。7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述电磁屏蔽层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蔚，H邱，P赖，王旭，王心语，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：新型
国别省市：