有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置可以包括：基底；第一像素电极，位于基底上；像素限定层，位于基底上，像素限定层具有使第一像素电极的一部分暴露的开口；第二像素电极，位于第一像素电极的通过开口暴露的所述一部分上；空穴注入层，位于第二像素电极上，空穴注入层包括金属氧化物；有机发光层，位于空穴注入层上；以及共电极，位于有机发光层上。于有机发光层上。于有机发光层上。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置及其制造方法


[0001]本公开的实施例涉及一种具有改善的显示特性的有机发光显示装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]有机发光显示装置可以包括两个电极和发光层。发光层可以位于两个电极之间。有机发光显示装置可以通过在发光层中将从一个电极注入的空穴和从另一个电极注入的电子复合来发光。在这种情况下，可以在每个像素中形成用于注入空穴的电极(例如，像素电极)。
[0003]像素限定层可以形成在像素电极的一部分上。当形成像素限定层时，有机残余物可能会残留在像素电极上。由于有机残余物，可能会发生诸如图像残留的显示特性的缺陷。因此，已经研究了在像素电极上形成附加像素电极的方法。

技术实现思路

[0004]本公开的一些实施例提供了一种有机发光显示装置。
[0005]一些实施例提供了一种制造有机发光显示装置的方法。
[0006]根据一个或更多个实施例，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：基底；第一像素电极，位于基底上；像素限定层，位于基底上，像素限定层具有使第一像素电极的一部分暴露的开口；第二像素电极，位于第一像素电极的通过像素限定层的开口暴露的所述一部分上；空穴注入层，位于第二像素电极上，空穴注入层包括金属氧化物；有机发光层，位于空穴注入层上；以及共电极，位于有机发光层上。
[0007]在一个或更多个实施例中，第二像素电极可以包括导电氧化物。
[0008]在一个或更多个实施例中，导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺杂氟的氧化锡(FTO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)和/或掺杂镓的氧化锌(GZO)。
[0009]在一个或更多个实施例中，第二像素电极可以位于像素限定层的由开口限定的倾斜表面上。
[0010]在一个或更多个实施例中，第二像素电极在第一方向上的宽度可以比第一像素电极的通过像素限定层的开口暴露的所述一部分在第一方向上的宽度大。
[0011]在一个或更多个实施例中，第二像素电极的厚度可以是30埃至100埃。
[0012]在一个或更多个实施例中，空穴注入层在第一方向上的宽度可以与第二像素电极在第一方向上的宽度相同。
[0013]在一个或更多个实施例中，金属氧化物可以包括从钨氧化物(WO
x
)、钒氧化物(VO
x
)、钼氧化物(MoO
x
)、铑氧化物(RhO
x
)、铱氧化物(IrO
x
)、镍氧化物(NiO
x
)和钴氧化物(CoO
x
)中选择的至少一种。
[0014]根据实施例，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在基底上形成第一像素电极；在基底上形成像素限定层，像素限定层具有使第一像素电极的一部分暴
露的开口；在第一像素电极的通过像素限定层的开口部分地暴露的所述一部分上形成第二像素电极层；在第二像素电极层上形成初步空穴注入层；在初步空穴注入层的一部分上形成光致抗蚀剂图案；在利用光致抗蚀剂图案对初步空穴注入层和第二像素电极层进行蚀刻之后，形成空穴注入层和第二像素电极；在空穴注入层上形成有机发光层；以及在有机发光层上形成共电极。
[0015]在一个或更多个实施例中，该方法还可以包括在形成空穴注入层和第二像素电极之后去除空穴注入层上的光致抗蚀剂图案。
[0016]在一个或更多个实施例中，空穴注入层可以包括金属氧化物。
[0017]在一个或更多个实施例中，金属氧化物可以包括从WO
x
、VO
x
、MoO
x
、RhO
x
、IrO
x
、NiO
x
和CoO
x
中选择的至少一种。
[0018]在一个或更多个实施例中，可以通过溅射来形成第二像素电极层和初步空穴注入层。
[0019]在一个或更多个实施例中，可以在像素限定层的由开口限定的倾斜表面上形成第二像素电极。
[0020]在一个或更多个实施例中，第二像素电极在第一方向上的宽度可以比第一像素电极的通过像素限定层的开口暴露的所述一部分在第一方向上的宽度大。
[0021]在一个或更多个实施例中，第二像素电极的厚度可以是30埃至100埃。
[0022]在一个或更多个实施例中，像素限定层可以包括交联聚合物化合物。
[0023]在一个或更多个实施例中，第二像素电极可以包括导电氧化物。
[0024]在一个或更多个实施例中，导电氧化物可以包括ITO、IZO、FTO、AZO和/或GZO。
[0025]如上所述，根据实施例的有机发光显示装置可以包括第一像素电极、包括开口的像素限定层、第二像素电极、包括金属氧化物的空穴注入层和有机发光层。
[0026]当形成像素限定层时产生的有机残余物可以不存在于(或可以不显著地存在于)第二像素电极上。因此，第二像素电极上的空穴注入层可以不受有机残余物的影响(或可以基本上不受有机残余物的影响)。因此，通过第二像素电极移动到空穴注入层的空穴可以不受有机残余物的影响(或可以基本上不受有机残余物的影响)。结果，可以防止或减少图像残留，并且可以改善有机发光显示装置的显示特性。
[0027]空穴注入层可以包括具有大逸出功的材料(例如，金属氧化物)。因此，通过空穴注入层移动到有机发光层的空穴的数量可以增加。结果，可以改善有机发光显示装置的显示特性。
[0028]如上所述，在根据实施例的制造有机发光显示装置的方法中，可以利用单个光致抗蚀剂图案形成第二像素电极和空穴注入层。因此，具有改善的显示特性的有机发光显示装置的大规模生产可以是可能的。
附图说明
[0029]通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
[0030]图1是示出根据实施例的有机发光显示装置的平面图。
[0031]图2是示出包括在图1的有机发光显示装置中的像素的剖视图。
[0032]图3是示出根据包括在图2的有机发光显示装置中的第二像素电极的厚度的反射
率的图。
[0033]图4、图5、图6、图7和图8是示出根据实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
[0034]在下文中，将参照附图更详细地说明本公开的实施例。
[0035]图1是示出根据一个或更多个实施例的有机发光显示装置的平面图。
[0036]参照图1，有机发光显示装置100可以包括显示区域DA和与显示区域DA相邻的电路区域CA。像素PX可以在显示区域DA中，并且可以在显示区域DA中显示图像。电路板、驱动电路和驱动布线可以在电路区域CA中。例如，柔性印刷电路板FPCB、设置在柔性印刷电路板FPCB上的数据驱动电路DIC以及将数据驱动电路DIC和像素PX连接的扇出布线FO可以在电路区域CA中。像素PX中的每个可以包括至少一个薄膜晶体管和有机发光层(图2的有机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基底；第一像素电极，位于所述基底上；像素限定层，位于所述基底上，所述像素限定层具有使所述第一像素电极的一部分暴露的开口；第二像素电极，位于所述第一像素电极的通过所述像素限定层的所述开口暴露的所述一部分上；空穴注入层，位于所述第二像素电极上，所述空穴注入层包含金属氧化物；有机发光层，位于所述空穴注入层上；以及共电极，位于所述有机发光层上。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素电极包含导电氧化物。3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述导电氧化物包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂氟的氧化锡、掺杂铝的氧化锌和/或掺杂镓的氧化锌。4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素电极位于所述像素限定层的由所述开口限定的倾斜表面上。5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素电极在第一方向上的宽度比所述第一像素电极的通过所述像素限定层的所述开口暴露的所述一部分在所述第一方向上的宽度大。6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：权圣周，申铉亿，李周炫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：