【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低介电常数硅质膜制造用组合物和使用其来制造固化膜和电子器件的方法
[0001]本专利技术涉及一种低介电常数硅质膜制造用组合物。而且，本专利技术还涉及使用其来制造固化膜和电子器件的方法。
技术介绍
[0002]由于在半导体集成电路中的高集成度、多功能和高性能的最新进展，电子工业中持续期望增加电子器件中的电路密度而不降低电性能。希望提高这些器件中的信号传播速度。实现这些目标的一种方法是通过在器件的中间层或金属间层中使用降低介电常数的绝缘材料来降低器件的寄生电容。降低这种层间电介质或金属间电介质的介电常数的一种方法是在绝缘膜内引入非常小的均匀分散的孔。
[0003]此外，降低介电常数的电介质需要具有热稳定性、抗裂纹产生和传播、低吸水性、耐化学性、平坦化能力、通过光刻技术和气相蚀刻程序的可加工性、对基材的粘附性、和足以承受化学机械抛光(CMP)工艺的高机械性能。
[0004]多孔介电材料在本领域中是众所周知的。制备多孔电介质的一种已知方法包括将热敏单体和电介质单体共聚以形成嵌段共聚物，然后加热以使热敏单体单元分解。U...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种低介电常数硅质膜制造用组合物，其包含：(I)聚硅氧烷，其包含：由下式(Ia)表示的重复单元：其中R1为氢，一价至三价的直链、支链或环状的饱和或不饱和的C1‑
30
脂肪族烃基，或一价至三价的C6‑
30
芳香族烃基，所述脂肪族烃基和所述芳香族烃基中，一个或多个亚甲基未被替换或被氧基、酰亚胺基或羰基替换，一个或多个氢未被替换或被氟、羟基或烷氧基替换，或者一个或多个碳未被替换或被硅替换，当R1为二价或三价时，R1与多个重复单元中所含的Si原子连接；和由下式(Ib)表示的重复单元：且其显示了一种光谱，在该光谱中，当通过FT
‑
IR测量和分析时，分别归属于Si
‑
O和SiOH的在1100
±
100cm
‑1和900
±
100cm
‑1范围内的峰的面积强度S1和S2的S2/S1比率为0.05至0.15，(II)造孔材料，(III)缩合催化剂产生剂，和(IV)溶剂，其中，所述造孔材料为多环烃，并且所述多环烃基于(I)聚硅氧烷的质量为50～200质量％。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚硅氧烷在末端或侧链中具有硅烷醇。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中所述R1为氢，直链、支链或环状的C1‑6烷基或C6‑
10
芳基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中所述聚硅氧烷包含组合的从由(i
‑
1)、(i
‑
2)和(i
‑
3)构成的群组中选出的重复单元：
条件是(i
‑
1)、(i
‑
2)和(i
‑
3)的混合摩尔比p1、p2和p3分别满足以下条件：0.4≤p1/(p1+p2+p3)≤0.8，0≤p2/(p1+p2+p3)≤0.4，且0.2≤p3/(p1+p2+p3)≤0.6。5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中所述聚硅氧烷通过凝胶渗透色谱法以聚苯乙烯换算的质均分子量为1000至10000。6.根据权利要求1至5中任一项所述的组合物，其中所述聚硅氧烷以基于重复单元的总量为20摩尔％以上的混合比包含重复单元(Ib)。7.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物，其中所述聚硅氧烷还包含由下式(Ic)表示的重复单元：其中R2和R3独立地为氢，直链、支链或环状的C1‑6脂肪族烃基，或C6‑
10
芳香族烃基。8.根据权利要求1至7中任一项所述的组合物，其中所述聚硅氧烷还包含由下式(Id)表示的末端单元：其中R4至R6独立地为氢，直链、支链或环状的C1‑6脂肪族烃基，或C6‑
10
芳香族烃基。9.根据权利要求1至8中任一项所述的组合物，其中所述缩合催化剂产生剂是热致产碱
剂或光致产碱剂。10.根据权利要求1至9中任一项所述的组合物，其中所述热致产碱剂是从由如下构成的群组中选出的至少一种化合物：1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯四苯基硼酸盐、1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯三苯基丁基硼酸盐、1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯四丁基硼酸盐、1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯富马酸盐、1,5
‑
二氮杂双环
‑
[4.3.0]壬
‑5‑
烯四苯基硼酸盐、1,5
‑
二氮杂双环
‑
[4.3.0]壬
‑5‑
烯三苯基丁基硼酸盐、1,5
‑
二氮杂双环
‑
[4.3.0]壬
‑5‑
烯四丁基硼酸盐、1,...
【专利技术属性】
技术研发人员：会田健介，有马一弥，樱井一成，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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