一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器制造技术

本发明专利技术公开了一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器。本发明专利技术采用STA模块、光耦检测模块、PWM切向控制模块、电压切向模块组成可控硅调光器，对交流市电进行切向，实现对负载端的可控硅照明设备进行调光控制。本发明专利技术电路简单稳定，通信抗干扰强。本发明专利技术所述调光器可使原有电网线路无需更改，安装更换方便。原有可控硅照明设备无需更换即可实现群控群调智能调光和智能场景。本发明专利技术所述电压切向模块采用MOS管切向，电路本身损耗小，节能减排。实现了在不改变原有的灯具和走线的情况下实现可控硅调光灯具的智能调光。硅调光灯具的智能调光。硅调光灯具的智能调光。

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器


[0001]本专利技术涉及智能家居领域，更具体的，涉及一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器。

技术介绍

[0002]目前智能家居增速飞快，全屋智能的步伐全速迈进，各种智能控制方式层出不穷，蓝牙、WIFI、ZIGBEE等都广泛应用于其中，但可控硅照明设备在生活中一直还在广泛应用，传统的可控硅调光器无法进入全屋智能体系，因此需一种智能的调光控制装置来在不改变原有的灯具和走线的情况下实现可控硅调光灯具的智能调光，并接入全屋智能。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，实现了在不改变原有的灯具和走线的情况下实现可控硅调光灯具的智能调光。
[0004]本专利技术第一方面提供了一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，所述调光器包括：CCO模块、信号耦合变压器、STA模块、供电模块、光耦检测模块、电压切向模块、PWM切向控制模块；STA模块通过信号耦合变压器与市电连接；供电模块的输入端通过光耦检测模块与市电连接，输出端为所述调光器提供5V电源；PWM切向模块分别与STA模块、光耦检测模块、电压切向模块连接。
[0005]本方案中，所述供电模块包括电容C2、二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3、二极管VD4、电解电容EC1、电解电容EC2、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻R4；电容C2的一端与市电的火线连接，另一端分别与二极管VD1的阳极、二极管VD4的阴极连接；二极管VD4的阳极、二极管VD3的阴极接地；二极管VD1的阴极分别与二极管VD2的阴极、电解电容的正极EC1、电阻R4的一端连接；电阻R4的另一端分别与电解电容EC2的正极、稳压二极管ZD1的阴极、稳压二极管ZD2的阴极连接，稳压二极管ZD2的阴极作为供电模块5V电源的输出端；电解电容EC1、电解电容EC2、稳压二极管ZD1的阳极、稳压二极管ZD2的阳极分别接地；二极管VD1的阳极与二极管VD3的阴极连接；二极管VD3的阴极与市电的零线连接。
[0006]本方案中，所述光耦检测模块包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管VD5、二极管VD6、二极管VD7、二极管VD8、光电耦合器U1、电阻R6、电阻R7、电阻R8；电阻R1的一端与市电的火线连接；另一端通过电阻R2与R3的一端连接，电阻R3的
另一端分别与二极管VD5的阳极、二极管VD8的阴极连接；二极管VD8的阳极与二极管VD7的阳极连接；二极管VD5的阴极与二极管VD6的阴极连接；二极管VD7的阴极与市电的零线连接；光电耦合器U1输入侧的一个端子与二极管VD8的阳极连接，另一个端子与二极管VD5的阴极连接；光电耦合器U1输出侧的一个端子与稳压二极管ZD2的阴极连接，另一个端子与STA模块的电压检测端子连接；电阻R6的一端与二极管VD6的阳极连接，另一端通过电阻R7与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端与PWM切向控制模块连接。
[0007]本方案中，所述PWM切向控制模块包括：光电耦合器U2、电阻R5、二极管D1、稳压二极管ZD3、电解电容EC3、电阻R9、三极管Q1、二极管D2、二极管D3；二极管D1的阳极与电阻R8的另一端连接；二极管D1的阴极分别与稳压二极管ZD3的阴极、电阻R9的一端连接；电阻R9的另一端与三极管Q1的基极连接；光电耦合器U2输入侧的一个端子与稳压二极管ZD3的阳极连接，另一个端子与三极管Q1的基极连接；光电耦合器U2输出侧的一个端子接地，另一个端子与STA模块的PWM信号端连接；三极管Q1发射集分别与二极管D2的阴极、二极管D3的阴极连接；三极管Q1的集电极分别与稳压二极管ZD3的阳极、电解电容EC3的负极连接；三极管Q1的集电极还与电压切向模块连接；电解电容EC3的正极与电压切向模块连接；二极管D2的阳极与电压切向模块连接；二极管D3的阳极与电压切向模块连接。
[0008]本方案中，所述电压切向模块包括电阻R10、电阻R11、MOS管Q2、MOS管Q3；所述电阻R10的一端与电解电容EC3的正极连接，另一端分别与MOS管Q3的栅极、二极管D2的阳极连接；所述电阻R11的一端与电解电容EC3的正极连接，另一端分别与MOS管Q2的栅极、二极管D3的阳极连接；所述MOS管Q2的漏极与市电的火线连接，MOS管Q2的源极分别与MOS管Q3的源极、三极管Q1的集电极连接；MOS管Q2的漏极与市电的零线连接。
[0009]本方案中，所述MOS管Q2和MOS管Q3为N沟道耗尽型MOS管。
[0010]本方案中，所述调光器还包括：信号隔离电感L1、信号隔离电感L2；信号隔离电感L1的一端与市电的火线连接，另一端分别与电阻R1的一端、电容C2的一端、MOS管Q3的漏极连接；信号隔离电感L2的一端与市电的零线连接，另一端分别与电阻R6的一端、二极管VD7的阴极、二极管VD6的阳极、MOS管Q2的漏极连接。
[0011]本方案中，所述调光器还包括：电容C4、电容C1、可变电阻VR1、可变电阻VR2；
所述电容C1的一端与MOS管Q2的漏极连接，另一端通过电容C4与可变电阻VR1的一端连接，可变电阻VR1的另一端通过信号隔离电感L2与市电的零线连接；所述可变电阻的一端与MOS管Q2的漏极连接，另一端分别与电容C4、可变电阻VR1的一端连接。
[0012]本方案中，所述调光器还包括信号耦合电容C5、信号耦合电容C6；所述信号隔离电容C5设于信号耦合变压器与STA模块之间；所述信号隔离电容C6设于信号耦合变压器与CCO模块之间。
[0013]本方案中，所述调光器还包括熔断器F1，所述熔断器F1的一端与市电的火线连接，另一端与信号隔离电感L1的一端连接。
[0014]本专利技术公开了一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器。本专利技术采用STA模块、光耦检测模块、PWM切向控制模块、电压切向模块组成可控硅调光器，对交流市电进行切向，实现对负载端的可控硅照明设备进行调光控制。本专利技术电路简单稳定，通信抗干扰强。本专利技术所述调光器可使原有电网线路无需更改，安装更换方便。原有可控硅照明设备无需更换即可实现群控群调智能调光和智能场景。本专利技术所述电压切向模块采用MOS管切向，电路本身损耗小，节能减排。采用数字信号控制，可做输入90
‑
264Vac宽压控制。
附图说明
[0015]图1示出了本申请一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器电路图。
具体实施方式
[0016]为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0017]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0018]图1示出了本申请一种低损耗MO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述调光器包括：CCO模块、信号耦合变压器、STA模块、供电模块、光耦检测模块、电压切向模块、PWM切向控制模块；STA模块通过信号耦合变压器与市电连接；供电模块的输入端通过降压电容与市电连接，输出端为所述调光器提供5V电源；PWM切向模块分别与STA模块、光耦检测模块、电压切向模块连接。2.根据权利要求1所述的一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述供电模块包括电容C2、二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3、二极管VD4、电解电容EC1、电解电容EC2、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻R4；电容C2的一端与市电的火线连接，另一端分别与二极管VD1的阳极、二极管VD4的阴极连接；二极管VD4的阳极、二极管VD3的阴极接地；二极管VD1的阴极分别与二极管VD2的阴极、电解电容的正极EC1、电阻R4的一端连接；电阻R4的另一端分别与电解电容EC2的正极、稳压二极管ZD1的阴极、稳压二极管ZD2的阴极连接，稳压二极管ZD2的阴极作为供电模块5V电源的输出端；电解电容EC1、电解电容EC2、稳压二极管ZD1的阳极、稳压二极管ZD2的阳极分别接地；二极管VD1的阳极与二极管VD3的阴极连接；二极管VD3的阴极与市电的零线连接。3.根据权利要求2所述的一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述光耦检测模块包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管VD5、二极管VD6、二极管VD7、二极管VD8、光电耦合器U1、电阻R6、电阻R7、电阻R8；电阻R1的一端与市电的火线连接；另一端通过电阻R2与R3的一端连接，电阻R3的另一端分别与二极管VD5的阳极、二极管VD8的阴极连接；二极管VD8的阳极与二极管VD7的阳极连接；二极管VD5的阴极与二极管VD6的阴极连接；二极管VD7的阴极与市电的零线连接；光电耦合器U1输入侧的一个端子与二极管VD8的阳极连接，另一个端子与二极管VD5的阴极连接；光电耦合器U1输出侧的一个端子与稳压二极管ZD2的阴极连接，另一个端子与STA模块的电压检测端子连接；电阻R6的一端与二极管VD6的阳极连接，另一端通过电阻R7与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端与PWM切向控制模块连接。4.根据权利要求3所述的一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述PWM切向控制模块包括：光电耦合器U2、电阻R5、二极管D1、稳压二极管ZD3、电解电容EC3、电阻R9、三极管Q1、二极管D2、二极管D3；二极管D1的阳极与电阻R8的另一端连接；二极管D1的阴极分别与稳压二极管ZD3的阴极、电阻R9的一端连接；电阻R9的另一端与三极管Q1的基极连接；光电耦合器...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭少给，彭国允，李旭，
申请(专利权)人：深圳市暗能量电源有限公司，
类型：发明
国别省市：