【技术实现步骤摘要】
一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器
[0001]本专利技术涉及智能家居领域，更具体的，涉及一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器。
技术介绍
[0002]目前智能家居增速飞快，全屋智能的步伐全速迈进，各种智能控制方式层出不穷，蓝牙、WIFI、ZIGBEE等都广泛应用于其中，但可控硅照明设备在生活中一直还在广泛应用，传统的可控硅调光器无法进入全屋智能体系，因此需一种智能的调光控制装置来在不改变原有的灯具和走线的情况下实现可控硅调光灯具的智能调光，并接入全屋智能。
技术实现思路
[0003]鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，实现了在不改变原有的灯具和走线的情况下实现可控硅调光灯具的智能调光。
[0004]本专利技术第一方面提供了一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，所述调光器包括：CCO模块、信号耦合变压器、STA模块、供电模块、光耦检测模块、电压切向模块、PWM切向控制模块；STA模块通过信号耦合变压器与市电连接；供电模块的输入端通过光耦检...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述调光器包括：CCO模块、信号耦合变压器、STA模块、供电模块、光耦检测模块、电压切向模块、PWM切向控制模块；STA模块通过信号耦合变压器与市电连接；供电模块的输入端通过降压电容与市电连接，输出端为所述调光器提供5V电源；PWM切向模块分别与STA模块、光耦检测模块、电压切向模块连接。2.根据权利要求1所述的一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述供电模块包括电容C2、二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3、二极管VD4、电解电容EC1、电解电容EC2、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻R4；电容C2的一端与市电的火线连接，另一端分别与二极管VD1的阳极、二极管VD4的阴极连接；二极管VD4的阳极、二极管VD3的阴极接地；二极管VD1的阴极分别与二极管VD2的阴极、电解电容的正极EC1、电阻R4的一端连接；电阻R4的另一端分别与电解电容EC2的正极、稳压二极管ZD1的阴极、稳压二极管ZD2的阴极连接，稳压二极管ZD2的阴极作为供电模块5V电源的输出端；电解电容EC1、电解电容EC2、稳压二极管ZD1的阳极、稳压二极管ZD2的阳极分别接地；二极管VD1的阳极与二极管VD3的阴极连接；二极管VD3的阴极与市电的零线连接。3.根据权利要求2所述的一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述光耦检测模块包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管VD5、二极管VD6、二极管VD7、二极管VD8、光电耦合器U1、电阻R6、电阻R7、电阻R8；电阻R1的一端与市电的火线连接；另一端通过电阻R2与R3的一端连接，电阻R3的另一端分别与二极管VD5的阳极、二极管VD8的阴极连接；二极管VD8的阳极与二极管VD7的阳极连接；二极管VD5的阴极与二极管VD6的阴极连接；二极管VD7的阴极与市电的零线连接；光电耦合器U1输入侧的一个端子与二极管VD8的阳极连接，另一个端子与二极管VD5的阴极连接；光电耦合器U1输出侧的一个端子与稳压二极管ZD2的阴极连接，另一个端子与STA模块的电压检测端子连接；电阻R6的一端与二极管VD6的阳极连接，另一端通过电阻R7与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端与PWM切向控制模块连接。4.根据权利要求3所述的一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器，其特征在于，所述PWM切向控制模块包括：光电耦合器U2、电阻R5、二极管D1、稳压二极管ZD3、电解电容EC3、电阻R9、三极管Q1、二极管D2、二极管D3；二极管D1的阳极与电阻R8的另一端连接；二极管D1的阴极分别与稳压二极管ZD3的阴极、电阻R9的一端连接；电阻R9的另一端与三极管Q1的基极连接；光电耦合器...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭少给，彭国允，李旭，
申请(专利权)人：深圳市暗能量电源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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