半模基片集成波导90度三分贝定向耦合器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种涉及毫米波与微波器件的半模基片集成波导９０度三分贝定向耦合器，包括双面设有金属贴片的介质基片，在其中一面金属贴片上设有输入端、输出端、隔离端和耦合端。由于该半模基片集成波导结构保留了基片集成波导固有的低损耗特性，同时由于该半模基片集成波导的宽高比相对ＳＩＷ更小，因此电磁波在传播过程因介质的非理想性而产生的损耗更小，因而具有更佳的低损耗特性，并且可以采用目前非常成熟的单层印刷电路板生产工艺来生产，成本十分低廉。该半模基片集成波导结构采用单层印刷电路板生产工艺就可能达到要求的精度并有满意的性能，所以能够大规模生产，加工难度也较低。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种涉及毫米波与微波器件的半模基片集成波导９０度三分贝定向耦合器，包括双面设有金属贴片（２、３）的介质基片（１），在其中一面金属贴片（２）上设有输入端（４１）、输出端（４２）、隔离端（５１）和耦合端（５２），其特征在于在输入端（４１）、输出端（４２）与隔离端（５１）、耦合端（５２）之间设有成行排列的金属化通孔和耦合缝（６）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪伟，刘冰，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]