量子点发光层及其制备方法、QLED器件、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了量子点发光层及其制备方法、QLED器件、显示装置，其中，一种量子点发光层的制备方法，包括：采用第一材料和第二材料，在第一材料涂覆过程中加入第二材料，通过涂覆形成混合膜层，所述第一材料和所述第二材料中的其中之一为量子点材料。本申请实施例提供的量子点发光层，在量子点材料层和空穴传输材料层之间形成连续能级，有利于空穴的传输，另外由于在量子点材料之间存在空穴传输材料，也可以防止量子点直接接触出现淬灭现象，从而可以有效提高器件的效率。提高器件的效率。提高器件的效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光层及其制备方法、QLED器件、显示装置


[0001]本申请一般涉及显示
，具体涉及一种量子点发光层及其制备方法、QLED器件、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dot,QD)是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径一般介于1
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20nm之间，也称纳米晶。具有发光波长可调，发光光谱线宽窄，色纯度高，激发光谱宽，电子迁移率高等优点，在照明和显示领域都获得了广泛的关注与研究。
[0003]QLED器件为多层结构，各个功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层，甚至还包括阻挡层。选择合适的器件结构和各功能层的传输特性匹配对QLED器件的性能至关重要。电子传输层材料的发展，使电子传输更为高效，从而使电子在QLED器件中成为多子。
[0004]然而，较多的功能层的制备增加了制程工艺的复杂程度和制备过程中的不可控程度。而且由于量子点较深的价带，空穴传输材料通常不能保证足够的空穴注入，导致电子空穴的注入不平衡，这也是制约QLED器件效率和寿命的主要因素之一。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光层的制备方法，其特征在于，包括：采用第一材料和第二材料，在第一材料涂覆过程中加入第二材料，通过涂覆形成混合膜层，所述第一材料和所述第二材料中的其中之一为量子点材料。2.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述在第一材料涂覆过程中加入第二材料，所述方法包括：加入第一材料；在第一时间段内通过涂覆形成所述第一材料的湿膜层；在第二时间段内加入第二材料；在第三时间段内维持涂覆条件，以便使获得能级梯度变换的混合膜层。3.根据权利要求2所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述第二材料的在第二时间段内的加入时间与混合膜层的能级宽度相关。4.根据权利要求2所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述第一时间段、第二时间段、第三时间段的时长比值范围为(1～1.2)：(0.8～1.2):(1～2)。5.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述第一材料为量子点材料，所述第二材料为空穴传输材料。6.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述第一材料为空穴传输材料，所述第二材料为量子点材料。7.根据权利要求5或6所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，在形成所述混合膜层之前，所述方法还包括：形成过渡膜层；其中，所述过渡膜层的材料与所述第一材料的主体成分相同，所述过渡膜层中主体成分的浓度不小于所述第一材料中主体成分的浓度。8.根据权利要求5或6所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述量子点材料的主体成分选自CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS中的一种或多种。9.根据权利要求5或6所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料的主体成分选自TFB、PVK、Poly
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TPD、NPB、TPH、TAPC中的一种或多种。10.根据权利要求5或6所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料的溶剂为所述量子点材料的溶剂的正交溶剂。11.根据权利要求10所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述量子点材料的溶剂为油溶性有机溶剂，选自甲苯、氯苯、氯仿或正辛烷中的一种或多种。12.根据权利要求10所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料的溶剂选自水、乙醇和甲醇中的至少一种。13.一种量子点发光层，其特征在于，采用如权利要求1
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5、7
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12任一所述的方法制备，包括层叠设置的量子点材料层、量子点/空穴传输混合层、空穴传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜茂成，冯靖雯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：