静磁波器件及其原材料制造技术

一种静磁波器件，由通过为Ｒ↓［３－ｘ］Ｃａ↓［ｘ］Ｍａ↓［５－２ｙ＋ｘ］Ｚｒ↓［ｙ］Ｍｂ↓［ｙ－ｘ］Ｏ↓［１２］的磁石榴石单晶薄膜组成，其中Ｒ为Ｙ、Ｌａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕ和Ｓｃ的起码其中之一元素，Ｍａ为Ｆｅ、Ｇａ和Ａｌ的起码其中之一元素，Ｆｅ为必不可少的成分，Ｍｂ为Ｍｇ和Ｍｎ的起码其中一个元素，且满足下列不等式的条件：０≤Ｘ≤１，０．１≤Ｙ≤１，且Ｘ≤ｙ。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静磁波器件以及制造这种器件的材料。含Fe的磁石榴石单晶历来都用作静磁波器件的材料。具体地说，Y3Fe5O12(以下简称“YIG”)单晶，其铁磁半幅值(ΔH)小，因而用YIG制造静磁波器件时能使输入信号与输出信号之间的信号差变小，所以YIG历来得到广泛的应用。这种石榴石单晶是用例如液相外延生长法作为外延生长在诸如G3Gd5O12(以下简称“GGG”)之类的衬底上的薄膜制取的。采用YIG单晶的静磁波器件，其工作频率约为2京赫。但静磁波器件用作广播卫星(BS)调谐器的杂波滤波器时，其工作频率要求在数百兆赫至数十万兆赫的范围。在静磁波(MSW)模式下选用静磁体积前进波(MSFVW)模式时，器件的工作频率可用(1)式表示ω＝γ(Hex-N·4πMs)(1)其中，ω为频率；γ为回转磁比；Hex为所加的磁场；N为去磁系数；4πMs为饱和磁化强度。采用静磁表面波(MSSW)模式时，器件的工作频率可用(2)式和(3)式表示。ω＝γ{Hi(Hi＋4πMs)}1/2(2)Hi＝Hex－N·4πMs＋Ha (3)其中，Hi为内部磁场；Hex为所加的磁场；N为去磁系数；4πMs为饱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静磁波器件，由通式为＜ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ－ｃｗｕ＞的磁石组成的元的起码一个元素，且满足以下不等式的条件：０≤ｘ≤１，０．１≤ｙ≤１，且ｘ≤ｙ。２．如权利要求１所述的静磁波器件，其特征在于，所述磁石榴石组成的材料群的一种材料制成的衬底上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤野优，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]