用于电池保护的半导体器件制造技术

本公开提供一种用于电池保护的半导体器件，包括：第一元胞区，第一元胞区形成有第一场效应晶体管；第二元胞区，第二元胞区形成有第二场效应晶体管，第二场效应晶体管作为第一开关，第一开关用于控制第一场效应晶体管的源极与衬底之间的连通与断开；以及第三元胞区，第三元胞区形成有第二开关，第二开关用于控制第一场效应晶体管的栅极与漏极之间的连通与断开；其中，第二元胞区以及第三元胞区形成在所述第一元胞区上，且第二元胞区与第三元胞区相邻地形成。邻地形成。邻地形成。

【技术实现步骤摘要】
用于电池保护的半导体器件


[0001]本公开属于半导体
，本公开尤其涉及一种用于电池保护的半导体器件。

技术介绍

[0002]在电池系统中，电池的过度充电和过度放电不仅会降低电池的使用寿命，严重时还会引发爆炸和火灾的安全事故。该电池例如为锂电池组等。
[0003]现有技术中的电池系统中的用于电池保护的器件，在电池过度充电或者过度放电的情形下，往往不能彻底地关断充电电流或者放电电路，存在安全隐患。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题之一，本公开提供一种用于电池保护的半导体器件。
[0005]本公开的用于电池保护的半导体器件通过以下技术方案实现。
[0006]本公开提供一种半导体器件，包括：第一元胞区，第一元胞区形成有第一场效应晶体管；第二元胞区，第二元胞区形成有第二场效应晶体管，第二场效应晶体管作为第一开关，第一开关用于控制第一场效应晶体管的源极与衬底之间的连通与断开；以及第三元胞区，第三元胞区形成有第二开关，第二开关用于控制第一场效应晶体管的栅极与漏极之间的连通与断开；其中，第二元胞区以及第三元胞区形成在第一元胞区上，且第二元胞区与第三元胞区相邻地形成。
[0007]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述第一元胞区中形成第一寄生二极管和第二寄生二极管，所述第一寄生二极管和所述第二寄生二极管构成反向串联结构，所述第一寄生二极管及所述第二寄生二极管形成在源极区与漏极区之间，第一元胞区中形成的所述第一寄生二极管以及第二寄生二极管的衔接区域至少形成在衬底电极区上。
[0008]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，所述第二元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述第二元胞区形成的所述第二场效应晶体管具有第四寄生二极管，所述第四寄生二极管形成在所述第二场效应晶体管的源极区与衬底电极区之间。
[0009]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第二元胞区的栅极区与第一元胞区的栅极区对应设置，第二元胞区的源极区与第一元胞区的源极区对应设置，第二元胞区的衬底电极区与第一元胞区的衬底电极区对应设置，第二元胞区的漏极区与第一元胞区的漏极区对应设置。
[0010]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，所述第三元胞区包括栅极区以及漏极区，在所述第三元胞区的漏极区与栅极区之间形成第三寄生二极管和电阻，所述第三寄生二极管和所述电阻构成串联结构。
[0011]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第三元胞区的栅极区与第一元胞区的栅极区对应设置，第三元胞区的漏极区与第一元胞区的漏极区对应设置。
[0012]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第一场效应晶体管为NMOS晶体管；第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，漏极区上形成有第一N型高掺杂区，第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，P型阱区中形成有P型高掺杂区，N型阱区形成在P型阱区与第二N型高掺杂区之间，N型漂移区上形成有介质层，衬底电极区形成在介质层中，且衬底电极区设置在P型高掺杂区上，栅极区形成在介质层中，源极区形成在介质层上，且源极区的至少一部分穿过介质层与第二N型高掺杂区接触。
[0013]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第一场效应晶体管为NMOS晶体管；第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，漏极区上形成有第一N型高掺杂区，第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，P型阱区中形成有P型高掺杂区，N型阱区形成在P型阱区与第二N型高掺杂区之间，N型漂移区上形成有介质层，衬底电极区形成在介质层中，且衬底电极区设置在P型高掺杂区上，栅极区形成在介质层中，源极区形成在介质层上，且源极区的至少一部分穿过介质层与第二N型高掺杂区接触，且栅极区的至少一部分与第二N型高掺杂区的至少一部分之间形成有第一隔离介质。
[0014]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第一场效应晶体管为NMOS晶体管；第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，漏极区上形成有第一N型高掺杂区，第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，P型阱区中形成有P型高掺杂区，N型阱区形成在P型阱区与第二N型高掺杂区之间，N型漂移区上形成有介质层，衬底电极区形成在介质层中，且衬底电极区设置在P型高掺杂区上，栅极区形成在介质层中，源极区形成在介质层上，且源极区的至少一部分穿过介质层与第二N型高掺杂区接触，且P型高掺杂区与第二N型高掺杂区之间形成有第二隔离介质。
[0015]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第一场效应晶体管为NMOS晶体管；第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，漏极区上形成有第一N型高掺杂区，第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，P型阱区中形成有P型高掺杂区，N型阱区形成在P型阱区与第二N型高掺杂区之间，N型漂移区上形成有介质层，衬底电极区形成在介质层中，且衬底电极区设置在P型高掺杂区上，栅极区形成在介质层中，源极区形成在介质层上，且源极区的至少一部分穿过介质层与第二N型高掺杂区接触，且P型高掺杂区与第二N型高掺杂区之间形成有第二隔离介质，且栅极区的至少一部分与第二N型高掺杂区的至少一部分之间形成有第一隔离介质。
[0016]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第一场效应晶体管为NMOS晶体管；第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，漏极区上形成有第一N型高掺杂区，第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，P型阱区中形成有P型高掺杂区，N型阱区形成在P型阱区与第二N型高掺杂区之间，N型漂移区上形成有介质层，衬底电极区形成在介质层中，且衬底电极区设置在P型高掺杂区上，栅极区形成在第三介质区中，至少通过第三介质区，栅极区与第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，源极区形成在介质层上，且源极区的至少一部分穿过介质层与第二N型高掺杂区接触。
[0017]根据本公开的至少一个实施方式的半导体器件，第一场效应晶体管为NMOS晶体管；第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，漏极区上形成有第一N型高掺杂区，第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，P型阱区中形成有P型高掺杂区，N型阱区形成在P型阱区与第二N型高掺杂区之间，N型漂移区上形成有介质层，衬底电极区形成在介质层中，且衬底电极区设置在P型高掺杂区上，栅极区形成在第三介质区中，至少通过第三介质区，栅极区与第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，源极区形成在介质层上，且源极区的至少一部分穿过介质层与第二N型高掺杂区接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一元胞区，所述第一元胞区形成有第一场效应晶体管；第二元胞区，所述第二元胞区形成有第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管作为第一开关，所述第一开关用于控制所述第一场效应晶体管的源极与衬底之间的连通与断开；以及第三元胞区，所述第三元胞区形成有第二开关，所述第二开关用于控制所述第一场效应晶体管的栅极与漏极之间的连通与断开；其中，第二元胞区以及第三元胞区形成在所述第一元胞区上，且所述第二元胞区与所述第三元胞区相邻地形成。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述第一元胞区中形成第一寄生二极管和第二寄生二极管，所述第一寄生二极管和所述第二寄生二极管构成反向串联结构，所述第一寄生二极管及所述第二寄生二极管形成在源极区与漏极区之间，第一元胞区中形成的所述第一寄生二极管以及第二寄生二极管的衔接区域至少形成在衬底电极区上。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述第二元胞区形成的所述第二场效应晶体管具有第四寄生二极管，所述第四寄生二极管形成在所述第二场效应晶体管的源极区与衬底电极区之间。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，第二元胞区的栅极区与第一元胞区的栅极区对应设置，第二元胞区的源极区与第一元胞区的源极区对应设置，第二元胞区的衬底电极区与第一元胞区的衬底电极区对应设置，第二元胞区的漏极区与第一元胞区的漏极区对应设置。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第三元胞区包括栅极区以及漏极区，在所述第三元胞区的漏极区与栅极区之间形成第三寄生二极管和电阻，所述第三寄生二极管和所述电阻构成串联结构。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，第三元胞区的栅极区与第一元胞区的栅极区对应设置，第三元胞区的漏极区与第一元胞区的漏极区对应设置。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触。8.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱
区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触，且所述栅极区的至少一部分与所述第二N型高掺杂区的至少一部分之间形成有第一隔离介质。9.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触，且所述P型高掺杂区与所述第二N型高掺杂区之间形成有第二隔离介质。10.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触，且所述P型高掺杂区与所述第二N型高掺杂区之间形成有第二隔离介质，且所述栅极区的至少一部分与所述第二N型高掺杂区的至少一部分之间形成有第一隔离介质。11.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区与所述第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触。12.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；
所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区与所述第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触，且所述P型高掺杂区与所述第二N型高掺杂区之间形成有第二隔离介质。13.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区的一部分形成在所述介质层中，所述栅极区的另一部分形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区的所述另一部分与所述第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触。14.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区的一部分形成在所述介质层中，所述栅极区的另一部分形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区的所述另一部分与所述第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触，且所述P型高掺杂区与所述第二N型高掺杂区之间形成有第二隔离介质。15.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述
栅极区为分离结构，所述栅极区形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区与所述第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触。16.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区上形成有N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区、N型阱区、第三介质区以及第二N型高掺杂区，所述P型阱区中形成有P型高掺杂区，所述N型阱区形成在所述P型阱区与所述第二N型高掺杂区之间，所述N型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述P型高掺杂区上，所述栅极区为分离结构，所述栅极区形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区与所述第二N型高掺杂区、N型阱区、P型阱区以及N型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触，且所述P型高掺杂区与所述第二N型高掺杂区之间形成有第二隔离介质。17.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为PMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一P型高掺杂区，所述第一P型高掺杂区上形成有P型漂移区，所述P型漂移区中形成有N型阱区、P型阱区以及第二P型高掺杂区，所述N型阱区中形成有N型高掺杂区，所述P型阱区形成在所述N型阱区与所述第二P型高掺杂区之间，所述P型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述N型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二P型高掺杂区接触。18.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为PMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一P型高掺杂区，所述第一P型高掺杂区上形成有P型漂移区，所述P型漂移区中形成有N型阱区、P型阱区以及第二P型高掺杂区，所述N型阱区中形成有N型高掺杂区，所述P型阱区形成在所述N型阱区与所述第二P型高掺杂区之间，所述P型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述N型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二P型高掺杂区接触，且所述栅极区的至少一部分与所述第二P型高掺杂区的至少一部分之间形成有第一隔离介质。19.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为PMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一P型高掺杂区，所述第一P型高掺杂区上形成有P型漂移区，所述P型漂移区中形成有N型阱区、P型阱区以及第二P型高掺杂区，所述N型阱区中形成有N型高掺杂区，所述P型阱区形成在所述N型阱区与所述第二P型高掺杂区之间，所述P型漂移区上形成有介质层，所述衬底电
极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述N型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二P型高掺杂区接触，且所述N型高掺杂区与所述第二P型高掺杂区之间形成有第二隔离介质。20.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为PMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一P型高掺杂区，所述第一P型高掺杂区上形成有P型漂移区，所述P型漂移区中形成有N型阱区、P型阱区以及第二P型高掺杂区，所述N型阱区中形成有N型高掺杂区，所述P型阱区形成在所述N型阱区与所述第二P型高掺杂区之间，所述P型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述N型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述介质层中，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二P型高掺杂区接触，且所述N型高掺杂区与所述第二P型高掺杂区之间形成有第二隔离介质，且所述栅极区的至少一部分与所述第二P型高掺杂区的至少一部分之间形成有第一隔离介质。21.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为PMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一P型高掺杂区，所述第一P型高掺杂区上形成有P型漂移区，所述P型漂移区中形成有N型阱区、P型阱区、第三介质区以及第二P型高掺杂区，所述N型阱区中形成有N型高掺杂区，所述P型阱区形成在所述N型阱区与所述第二P型高掺杂区之间，所述P型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述N型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区与所述第二P型高掺杂区、P型阱区、N型阱区以及P型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二P型高掺杂区接触。22.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为PMOS晶体管；所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述漏极区上形成有第一P型高掺杂区，所述第一P型高掺杂区上形成有P型漂移区，所述P型漂移区中形成有N型阱区、P型阱区、第三介质区以及第二P型高掺杂区，所述N型阱区中形成有N型高掺杂区，所述P型阱区形成在所述N型阱区与所述第二P型高掺杂区之间，所述P型漂移区上形成有介质层，所述衬底电极区形成在所述介质层中，且所述衬底电极区设置在所述N型高掺杂区上，所述栅极区形成在所述第三介质区中，至少通过所述第三介质区，所述栅极区与所述第二P型高掺杂区、P型阱区、N型阱区以及P型漂移区隔离，所述源极区形成在所述介质层上，且所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二P型高掺杂区接触，且所述N型高掺杂区与所述第二P型高掺杂区之间形成有第二隔离介...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：珠海迈巨微电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：