【技术实现步骤摘要】
一种调制器和调制方法
[0001]本申请实施例涉及光通信器件领域,涉及但不限于一种调制器和调制方法。
技术介绍
[0002]硅基调制器由于可以与成熟的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺相兼容,因此可以大规模加工制备,降低器件的制备成本。
[0003]马赫
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曾德尔型硅基调制器是常见的一种硅基调制器,传统的马赫
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曾德尔型硅基调制器存在结构尺寸大、功耗高等问题。此外,对于传统的马赫
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曾德尔型硅基调制器来说,由于消光比较低,导致误码率高等问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本申请实施例提供一种调制器和调制方法。
[0005]一方面、本申请实施例提供一种调制器,所述调制器包括:1
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2分束器、第一相移器、2
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2分束器、第一渐变波导、电光调制器、第二渐变波导、第二相移器和合束器;所述1
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2分束器的输入 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种调制器,其特征在于,包括:1
×
2分束器、第一相移器、2
×
2分束器、第一渐变波导、电光调制器、第二渐变波导、第二相移器和合束器;所述1
×
2分束器的输入端接入光源,所述1
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2分束器的第一输出端与所述2
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2分束器的第一输入端连接,所述1
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2分束器的第二输出端与所述第一相移器的输入端连接,所述第一相移器输出端与所述2
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2分束器的第二输入端连接;所述2
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2分束器的第一输出端与所述第一渐变波导的输入端连接,所述第一渐变波导的输出端与所述电光调制器的输入端连接,所述电光调制器的输出端与所述第二渐变波导的输入端连接,所述第二渐变波导的输出端与所述合束器的第一输入端连接;所述2
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2分束器的第二输出端与所述第二相移器的输入端连接,所述第二相移器的输出端与所述合束器的第二输入端连接,所述合束器的输出端输出第一干涉光。2.根据权利要求1所述的调制器,其特征在于,所述1
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2分束器,用于将入射光分束形成第一束光和第二束光;所述第一相移器,用于将所述第二束光进行移相;所述2
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2分束器,用于使所述移相后的第二束光与所述第一束光发生干涉,生成第二干涉光;对所述第二干涉光进行分光,得到第三束光和第四束光;其中,所述第三束光经所述第一渐变波导进入所述电光调制器,所述第四束光进入所述第二相移器;所述电光调制器,用于对经所述第一渐变波导进入所述电光调制器的所述第三束光进行调制,得到第一相干光,所述第一相干光经所述第二渐变波导进入所述合束器;所述第二相移器,用于对所述第四束光进行移相,得到第二相干光,所述第二相干光进入所述合束器;所述合束器,用于使所述第一相干光和所述第二相干光发生干涉,形成干涉光。3...
【专利技术属性】
技术研发人员:张宇光,肖希,王磊,胡晓,陈代高,
申请(专利权)人:武汉邮电科学研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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