吉赫兹横电磁波室同轴输入接头制造技术

吉赫兹横电磁波室同轴输入接头是一种能够有效解决吉赫兹横电磁波室从９ｋＨｚ到１８ＧＨｚ频段内的阻抗匹配难题，适用于电磁兼容及相关测试用ＧＴＥＭ室，该输入接头分为接头输入段、接头扩展段、阻抗微调装置三个部分；其中接头输入段的Ｎ型接头外导体（１１）与一体化接头外导体（１４）相接，Ｎ型接头插针（１２）与一体化接头内导体（１５）；接头扩展段的同轴喇叭头（２１）的小开口端过渡转接座（２７），大开口端接喇叭过渡头（２６），斧形过渡块（２３）的一端接大绝缘支撑子（１６），另一端接匹配过渡板（２５）；ＧＴＥＭ室外导体（４）的小开口端接喇叭过渡头（２６）的大开口端，阻抗微调装置部分位于ＧＴＥＭ室外导体（４）壁上的通孔处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种能够有效解决吉赫兹横电磁波室从9kHz到18GHz频段内的阻抗匹配难题，适用于电磁兼容及相关测试用GTEM室，属于电磁兼容测试

技术介绍
吉赫兹横电磁波(gigahertz transverse electromagnetic，GTEM)室是基于同轴线原理的一种场强试验装置，实际上是一个变截面的同轴线。其前端通常为标准的N型同轴线接口，同轴线的内导体逐渐过渡为GTEM室的芯板，外导体逐渐过渡为GTEM室的外壳，GTEM室为四棱锥体的结构形式，其截面呈锥形扩大，终端有吸波材料。低频时，由同轴线终端负载电阻吸收输入功率，高频时靠端板上的吸波材料吸收功率。两者在高、低频段互补，使整个小室的可用工作频率提高到1GHz以上。这种结构形式最大的优点是可以抑制高次模的激励和传输，位于GTEM室后端的有效试验区空间也较大。为了使GTEM室的工作频率上限达到18GHz，必须对其同轴输入转接头进行优化设计。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提出一种能承受1kW的输入功率、覆盖频率范围9kHz～18GHz的吉赫兹横电磁波室同轴输入接头，可有效解决9kHz～18GHz频段内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种吉赫兹横电磁波室同轴输入接头，其特征在于该输入接头分为接头输入段、接头扩展段、阻抗微调装置三个部分；其中接头输入段的Ｎ型接头外导体（１１）与一体化接头外导体（１４）相接，Ｎ型接头插针（１２）与一体化接头内导体（１５）相接并由小绝缘支撑子（１３）固定在Ｎ型接头外导体（１１）与一体化接头外导体（１４）内的连接处，一体化接头外导体（１４）的大开口端与过渡转接座２７连接；接头扩展段的同轴喇叭头（２１）的小开口与过渡转接座２７连接，同轴喇叭头（２１）的大开口端接喇叭过渡头（２６）；在过渡转接座（２７）的内端口设有大绝缘支撑子（１６），斧形过渡块（２３）位于同轴喇叭头（２１）内，斧形过渡块（２３）的一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋全兴，周忠元，景莘慧，汤仕平，张娴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]