半模基片集成波导连续耦合定向耦合器制造技术

半模基片集成波导连续耦合定向耦合器涉及一种毫米波与微波器件，尤其涉及一种半模基片集成波导连续耦合定向耦合器，该集成波导是在介质基片（１）的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片的正面设有由正面金属贴片构成的２个形状对称的第一半模基片集成波导（２）和第二半模基片集成波导（３），在第一半模基片集成波导的两端分别设有输入端（２１）和输出端（２２），在第一半模基片集成波导的外侧有一排金属化通孔（２３）构成波导的侧壁，内侧为开口面（２４）；上述第一半模基片集成波导与第二半模基片集成波导的开口面相邻，构成连续耦合区域（４）。该耦合器尺寸小、损耗低、成本低、易集成、性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种毫米波与微波器件，尤其涉及一种半模基片集成波导连续耦合定向耦合器。
技术介绍
在现有的毫米波与微波器件中，连续耦合定向耦合器主要是采用微带线来设计的，这种微带形式的连续耦合定向耦合器在高频率条件下，存在着辐射损耗较大的缺陷。本专利技术利用印刷电路板(PCB)工艺实现了半模基片集成波导(HMSIW)的连续耦合定向耦合器，该耦合器性能优良、尺寸更小、损耗低、性能好，具有重要的实际应用价值。
技术实现思路
技术问题本专利技术根据半模基片集成波导(HMSIW)的特性，提供一种尺寸小、损耗低、成本低、易集成、性能好的半模基片集成波导连续耦合定向耦合器。技术方案本专利技术的半模基片集成波导连续耦合定向耦合器，涉及毫米波与微波器件的半模基片集成波导(HMSIW)连续耦合贝耦合器，该集成波导是在介质基片的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片的正面设有由正面金属贴片构成的2个形状对称的第一半模基片集成波导和第二半模基片集成波导，在第一半模基片集成波导的两端分别设有输入端和输出端，在第一半模基片集成波导的外侧有一排金属化通孔构成波导的侧壁，内侧为开口面；上述第一半模基片集成波导与第二半模基片集成波导的开口面相邻，构成连续耦合区域；该金属化通孔是在介质基片上开设通孔，该金属化通孔与覆于介质基片双侧的正面金属贴片与背面金属贴片连接起来。有益效果与现有技术相比，本专利技术具有如下优点1.低损耗；由于该半模基片集成波导(HMSIW)结构中的上、下金属敷层和中间的金属化通孔，从基片集成波导技术演化而来，保留了基片集成波导固有的低损耗特性；同时由于该半模基片集成波导的宽高比相对基片集成波导(SIW)更小。因此电磁波在传播过程因介质的非理想性而产生的损耗更小，具有更佳的低损耗特性。2.低成本；由于该半模基片集成波导(HMSIW)结构仅由单层介质板外加上、下两层金属敷层和中间的金属化通孔构成，所以可以采用目前非常成熟的单层印刷电路板(PCB)生产工艺来生产，成本十分低廉。3.加工难度低，易于大规模生产；传统的矩形金属波导对加工精度要求非常高，加工难度大，故不可能大规模生产。而该半模基片集成波导(HMSIW)结构采用单层印刷电路板(PCB)生产工艺就可能达到要求的精度并有满意的性能，所以能够大规模生产，加工难度也较低。4.尺寸小，易于集成；由于该半模基片集成波导(HMSIW)结构采用单层印刷电路板(PCB)工艺生产，所以可以作为印刷电路板的一部分被集成到大规模电路中去，避免了很多设计上的麻烦。5.器件上、下表面均有金属覆盖，抗干扰能力强。附图说明图1是本专利技术的结构主视图。其中有介质基片1、第一半模基片集成波导2、输入端21、输出端22、第一金属化通孔23、第一开口面24；第二半模基片集成波导3、隔离端31、耦合端32、第二金属化通孔33、第二开口面34、耦合区域4。具体实施例方式本专利技术涉及毫米波与微波器件的半模基片集成波导连续耦合定向耦合器，是在介质基片1的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片1的正面设有由正面金属贴片构成的2个形状对称的第一半模基片集成波导(2和第二半模基片集成波导3，在第一半模基片集成波导2的两端分别设有输入端21和输出端22，在第一半模基片集成波导2的外侧有一排金属化通孔23构成波导的侧壁，内侧为开口面24；上述第一半模基片集成波导2与第二半模基片集成波导3的开口面相邻，构成连续耦合区域4；该金属化通孔23是在介质基片1上开设通孔，该金属化通孔23与覆于介质基片1双侧的正面金属贴片与背面金属贴片连接起来。金属化通孔的直径为0.4毫米，相邻金属化通孔中心之间的间距为0.8毫米；金属化通孔中心与开口面之间的距离为8.50毫米。在通孔内壁上设置金属套并将金属套与覆于介质基片双侧的金属贴片连接起来。权利要求1.一种半模基片集成波导连续耦合定向耦合器，其特征在于该集成波导是在介质基片(1)的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片(1)的正面设有由正面金属贴片构成的2个形状对称的第一半模基片集成波导(2)和第二半模基片集成波导(3)，在第一半模基片集成波导(2)的两端分别设有输入端(21)和输出端(22)，在第一半模基片集成波导(2)的外侧有一排金属化通孔(23)构成波导的侧壁，内侧为开口面(24)；上述第一半模基片集成波导(2)与第二半模基片集成波导(3)的开口面相邻，构成连续耦合区域(4)。2.根据权利要求1所述的半模基片集成波导连续耦合定向耦合器，其特征在于该金属化通孔(23)是在介质基片(1)上开设通孔，该金属化通孔(23)与覆于介质基片(1)双侧的正面金属贴片与背面金属贴片连接起来。全文摘要半模基片集成波导连续耦合定向耦合器涉及一种毫米波与微波器件，尤其涉及一种半模基片集成波导连续耦合定向耦合器，该集成波导是在介质基片(1)的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片的正面设有由正面金属贴片构成的2个形状对称的第一半模基片集成波导(2)和第二半模基片集成波导(3)，在第一半模基片集成波导的两端分别设有输入端(21)和输出端(22)，在第一半模基片集成波导的外侧有一排金属化通孔(23)构成波导的侧壁，内侧为开口面(24)；上述第一半模基片集成波导与第二半模基片集成波导的开口面相邻，构成连续耦合区域(4)。该耦合器尺寸小、损耗低、成本低、易集成、性能好。文档编号H01P5/00GK1877904SQ200610088319公开日2006年12月13日 申请日期2006年7月10日 优先权日2006年7月10日专利技术者洪伟, 刘冰, 张彦 申请人:东南大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半模基片集成波导连续耦合定向耦合器，其特征在于该集成波导是在介质基片（１）的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片（１）的正面设有由正面金属贴片构成的２个形状对称的第一半模基片集成波导（２）和第二半模基片集成波导（３），在第一半模基片集成波导（２）的两端分别设有输入端（２１）和输出端（２２），在第一半模基片集成波导（２）的外侧有一排金属化通孔（２３）构成波导的侧壁，内侧为开口面（２４）；上述第一半模基片集成波导（２）与第二半模基片集成波导（３）的开口面相邻，构成连续耦合区域（４）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪伟，刘冰，张彦，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]