具有保护区和二极管电路的集成电路制造技术

如本文所公开的，一种集成电路衬底包括耦合到信号端的第一区，并且包括经由二极管电路耦合到集成电路的供电电压端的保护区。所述第一区和所述保护区都具有第一导电类型。所述二极管电路的阴极连接到所述保护区，并且所述二极管电路的阳极连接到所述供电电压端。所述第一区和所述保护区至少由所述衬底的第二区分隔开，所述第二区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。的第二导电类型。的第二导电类型。

【技术实现步骤摘要】
具有保护区和二极管电路的集成电路


[0001]本专利技术涉及具有保护区的集成电路。

技术介绍

[0002]一些集成电路采用保护区用于提供位于集成电路中的装置之间的电隔离。保护区是集成电路衬底中的半导体区，用于抑制载流子(空穴、电子)在衬底中的保护区的相对侧之间流动。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种半导体电路系统，其特征在于，包括：第一导电类型的集成电路衬底的第一区，所述第一区耦合到集成电路的信号端，所述集成电路衬底属于所述集成电路；所述第一导电类型的所述集成电路衬底的保护区，所述保护区经由二极管电路耦合到所述集成电路的供电电压端；其中，所述二极管电路的阴极连接到所述保护区，并且所述二极管电路的阳极连接到所述供电电压端；其中，所述第一区和所述保护区至少由所述集成电路衬底的第二区分隔开，所述第二区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
[0004]根据本专利技术的一个实施例的半导体电路系统，所述信号端被配置成提供具有比由所述供电电压端供应的电压更高的电压范围的信号。
[0005]根据本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路系统，其特征在于，包括：第一导电类型的集成电路衬底的第一区，所述第一区耦合到集成电路的信号端，所述集成电路衬底属于所述集成电路；所述第一导电类型的所述集成电路衬底的保护区，所述保护区经由二极管电路耦合到所述集成电路的供电电压端；其中，所述二极管电路的阴极连接到所述保护区，并且所述二极管电路的阳极连接到所述供电电压端；其中，所述第一区和所述保护区至少由所述集成电路衬底的第二区分隔开，所述第二区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。2.根据权利要求1所述的半导体电路系统，其特征在于，所述信号端被配置成提供具有比由所述供电电压端供应的电压更高的电压范围的信号。3.根据权利要求1所述的半导体电路系统，其特征在于，所述保护区物理上位于所述集成电路衬底中，在所述集成电路衬底中的所述第一区与半导体装置的横向正中间。4.根据权利要求3所述的半导体电路系统，其特征在于，所述半导体装置位于所述集成电路的第二电压域中，并且所述第一区位于所述集成电路的第一电压域中。...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉多，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：