一种超薄ZIF-67纳米片及其制备方法技术

技术编号:32645808 阅读:32 留言:0更新日期:2022-03-12 18:27
本发明专利技术涉及超薄二维修饰金属有机框架材料技术领域,尤其是涉及一种超薄ZIF

【技术实现步骤摘要】
一种超薄ZIF

67纳米片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及超薄二维修饰金属有机框架材料
,尤其是涉及一种超薄ZIF

67纳米片及其制备方法。

技术介绍

[0002]ZIF

67是由地球中储量丰富且无毒的碳、钴、氮、氢及氧元素组成,是一种环境友好的正十二面体结构的多孔材料,其具有分布均匀的两种孔洞(孔径约为0.34nm、1.1nm),并且具有超大的比表面积(约1500m2/g)。具有良好的催化和气体分离性能。此外,ZIF

67纳米片还是n型窄带隙半导体,禁带宽度为1.36

1.6eV,具有良好的载流子迁移率、光学透过性能等。然而,目前关于ZIF

67的制备还主要集中在三维的较大尺寸的范围(200nm

2μm),尽管可以通过喷涂等方法制成均匀的薄膜,但其厚度依然超过100nm,且杂质颗粒较多,这都限制了材料的应用范围。因此采用室温方法合成的超薄二维ZIF

67纳米片具有重要意义本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄ZIF

67纳米片的室温制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将钴盐溶于无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的混合溶剂中,混匀后得到钴盐溶液;(2)将二甲基咪唑溶于无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的混合溶剂中,混匀后得到二甲基咪唑溶液;(3)将步骤(1)得到的钴盐溶液加入到步骤(2)得到的二甲基咪唑溶液中反应,反应后静置老化,后处理得到超薄ZIF

67纳米片;整个过程在室温下进行。2.根据权利要求1所述的一种超薄ZIF

67纳米片的室温制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述钴盐选自六水合硝酸钴或六水合氯化钴中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的一种超薄ZIF

67纳米片的室温制备方法,其特征在于,步骤(1)中,无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的混合溶剂中无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的体积比为1:1

5;优选地,无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的混合溶剂中无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的体积比为1:1。4.根据权利要求1所述的一种超薄ZIF

67纳米片的室温制备方法,其特征在于,步骤(1)中,钴盐与无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的混合溶剂的用量比为3.5

4.5mmol:100

140ml;优选地,钴盐与无水乙醇和N,N

二甲基甲酰胺的混合溶剂的用量比为4mmol:120ml。5.根据权利要求1所述的一种超薄ZIF

67纳米片的室温制备方法,其特征在于,步骤(2)中,无水乙醇和N,N

【专利技术属性】
技术研发人员:芮一川金作明徐雨田石江珊王晓洁
申请(专利权)人:上海工程技术大学
类型:发明
国别省市:

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