一种正电性银纳米粒子的制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种正电性银纳米粒子的制备方法，将超纯水、0.05～0.2M抗坏血酸溶液、0.05～0.2M精胺类溶液、0.4～0.6M氢氧化钠溶液和0.05～0.2M银前驱体溶液按照体积比40～60:0.15～0.4:0.15～0.4:0.1～0.3:0.3～0.5加入预处理后的容器中混合，反应20～40min后得到含有第一正电性银纳米粒子的溶胶。本发明专利技术还提供了以第一正电性银纳米粒子为银种制备不同尺寸且粒径均匀的第二正电性银纳米粒子的方法。本发明专利技术通过选用精胺类分子作为保护剂，以抗坏血酸作为还原剂合成了一种尺寸可控且粒径均匀正电性的银纳米粒子。且粒径均匀正电性的银纳米粒子。

【技术实现步骤摘要】
一种正电性银纳米粒子的制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及纳米材料
，尤其涉及一种正电性银纳米粒子的制备方法及应用。

技术介绍

[0002]静电作用显著影响弱吸附分子与SERS基底表面的亲和力。常规的Au/Ag NPs基底因其表面负电荷通过静电引力使正电性弱吸附分子更易进入热点实现高灵敏检测。但对于负电性弱吸附分子，静电斥力反而会阻碍分子进入热点，一类检测负电性分子的方法主要是制备正电性的基底，第一种是使用正电性的中间分子如聚赖氨酸(PLL)、聚乙烯亚胺等对Ag/Au
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Cit进行配体取代，这类方法是获得正电性基底最简单的一种方式，但需要严格控制配体用量防止置换过程胶体的团聚。第二种方法是使用正电性的分子如聚乙烯吡咯烷酮，十六烷基三甲基溴化铵为配体直接进行正电性基底的合成，这类方法可以得到稳定性与均匀性较好的正电性基底，但聚合物分子会增大粒子间隙显著的影响SERS增强效果，因此很难得到较高的灵敏度。
[0003]已有相关文献报导以硼氢化钠作为还原剂，精胺作为保护剂合成的正电性Ag NPs有较好的SERS增强本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正电性银纳米粒子的制备方法，其特征在于:将超纯水、0.05～0.2M抗坏血酸溶液、0.05～0.2M精胺类溶液、0.4～0.6M氢氧化钠溶液和0.05～0.2M银前驱体溶液按照体积比40～60:0.15～0.4:0.15～0.4:0.1～0.3:0.3～0.5加入预处理后的容器中混合，反应20～40min后得到含有第一正电性银纳米粒子的溶胶。2.根据权利要求1所述的正电性银纳米粒子的制备方法，其特征在于:所述第一正电性银纳米粒子的平均粒径为30～50nm。3.根据权利要求1所述的正电性银纳米粒子的制备方法，其特征在于:所述银前驱体溶液包括硝酸银溶液、银氨络合物。4.根据权利要求1所述的正电性银纳米粒子的制备方法，其特征在于:所述精胺类溶液是包含精胺，盐酸精胺或亚精胺的水溶液。5.根据权利要求1所述的正电性银纳米粒子的制备方法，其特征在于:将超纯水、0.1M抗坏血酸溶液、0.1M精胺类溶液、0.5M氢氧化钠溶液和0.1M银前驱体溶液按照体积比50:0.24:0.24:0.2:0.4加入容器中混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国坤，胡伟晔，龚宏波，王维礼，田中群，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：