透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法技术

提供透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法。透光性导电薄膜依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层。前述无机层的厚度为20nm以下。前述无机层的水接触角为50度以下。以下。以下。

【技术实现步骤摘要】
透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2016年10月26日、申请号为2016800631788、专利技术名称为透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法的申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法。

技术介绍

[0003]目前，已知具备在树脂基体中分散保持有液晶的液晶树脂复合体和挟持它们的2片基板的液晶光学元件。
[0004]例如提出了如下的液晶光学元件：液晶树脂复合体接触的基板的至少一个基板表面被对用于形成液晶树脂复合体的未固化混合液具有几乎均匀的润湿性的薄膜覆盖(例如参照专利文献1。)。
[0005]专利文献1的基板在玻璃板上形成ITO后，在ITO上以厚度60nm蒸镀SiO2，从而形成薄膜。
[0006]并且，在专利文献1中，未固化混合液在基板表面整体显示出几乎均匀的润湿性，因此变得难以在基板表面残留气泡。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开平5
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34667号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]然而，在形成SiO2的薄膜之后，有时通过蚀刻将ITO图案化。在专利文献1中公开了在将ITO图案化后，形成SiO2薄膜的工序，前述工序从产品品质和制造成本的观点考虑实质上不能采用。另一方面，在形成ITO后，形成具有均匀的润湿性的薄膜(例如：厚度60nm的SiO2膜)，其后进行ITO图案化时，存在ITO的图案化需要长时间、或者实质上不能图案化这样的不良情况。
[0012]本专利技术的目的在于，提供可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层的透光性导电薄膜及其制造方法、和可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层的调光薄膜的制造方法和利用该制造方法得到的调光薄膜。
[0013]用于解决问题的方案
[0014][1]本专利技术为一种透光性导电薄膜，其特征在于，其依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层，前述无机层的厚度为20nm以下，前述无机层的水接触角为50度以下。
[0015]该透光性导电薄膜的无机层的厚度为特定的上限以下，因此可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。
[0016]另外，无机层的、在形成无机层后经过80小时以上后的水接触角为特定值以下，因
此可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。因此，可以得到可靠性优异的调光薄膜。
[0017][2]本专利技术包括上述[1]所述的透光性导电薄膜，其中，前述在形成无机层后经过80小时以上后的、前述无机层的水接触角为50度以下。
[0018][3]本专利技术包括上述[1]或[2]所述的透光性导电薄膜，其中，前述无机层由无机氧化物形成。
[0019]该透光性导电薄膜的无机层由无机氧化物形成，因此亲水性优异。
[0020][4]本专利技术包括上述[1]～[3]中任一项所述的透光性导电薄膜，其中，前述透光性导电层具有铟系导电性氧化物层，前述铟系导电性氧化物层的厚度为50nm以下。
[0021]该透光性导电薄膜的铟系导电性氧化物层的厚度为特定的上限以下，因此可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。
[0022][5]本专利技术为一种透光性导电薄膜的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：准备透光性基材的工序(1)；在前述透光性基材的表面形成透光性导电层的工序(2)；在前述透光性导电层的表面形成无机层的工序(3)；在前述工序(3)之后，蚀刻前述透光性导电层的工序(4)，前述无机层的厚度为20nm以下，前述无机层的、在形成前述无机层后经过80小时以上后的水接触角为50度以下。
[0023]根据该方法，在工序(3)中，形成厚度为特定的上限以下的无机层，因此在工序(3)之后的工序(4)中，可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。
[0024]另外，无机层的、在形成无机层后经过80小时以上后的水接触角为特定值以下，因此可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。
[0025][6]本专利技术包括上述[5]所述的透光性导电薄膜的制造方法，其在前述工序(2)中，形成非晶质的前述透光性导电层，该制造方法还包括：在前述工序(3)之后，使非晶质的前述透光性导电层结晶化的工序(5)。
[0026]根据该方法，在工序(3)之后的工序(5)中，使非晶质的透光性导电层结晶化，因此可以降低透光性导电层的表面电阻。
[0027][7]本专利技术为一种调光薄膜，其特征在于，依次具备第1透光性导电薄膜、调光功能层和第2透光性导电薄膜，前述第1透光性导电薄膜和/或前述第2透光性导电薄膜为上述[1]～[4]中任一项所述的透光性导电薄膜，前述调光功能层与前述透光性导电薄膜所具备的无机层接触。
[0028]在该调光薄膜中，调光功能层与透光性导电薄膜所具备的无机层接触，因此可以具有均匀的厚度。因此，该调光薄膜的可靠性优异。
[0029][8]本专利技术为一种调光薄膜的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：制造2片透光性导电薄膜的工序(6)和用2片前述透光性导电层夹持调光功能层的工序(7)，在前述工序(6)中，用上述[5]或[6]所述的制造方法制造至少1片前述透光性导电薄膜，在前述工序(7)中，使前述调光功能层与至少1片前述透光性导电薄膜的无机层接触。
[0030]另外，根据该方法，在工序(6)中，使调光功能层与至少1片透光性导电薄膜的无机层接触，因此在工序(7)中，可以得到具有均匀的厚度的调光功能层。因此，该调光薄膜的可靠性优异。
[0031]专利技术的效果
[0032]本专利技术的透光性导电薄膜可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层，可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。因此，透光性导电薄膜的可靠性优异。
[0033]根据本专利技术的透光性导电薄膜的制造方法，可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层，可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。
[0034]本专利技术的调光薄膜具备可靠性优异的透光性导电薄膜，因此可靠性优异。
[0035]根据本专利技术的调光薄膜的制造方法，在工序(6)中，使调光功能层与至少1片透光性导电薄膜的无机层接触，因此在工序(7)中，可以得到具有均匀的厚度的调光功能层。
附图说明
[0036]图1表示本专利技术的透光性导电薄膜的第1实施方式的剖面图。
[0037]图2表示具备图1所示的透光性导电薄膜的调光薄膜的剖面图。
[0038]图3表示图1所示的透光性导电薄膜的变形例。
[0039]图4表示本专利技术的透光性导电薄膜的第2实施方式的剖面图。
[0040]图5表示具备图4所示的透光性导电薄膜的调光薄膜的剖面图。
[0041]图6表示图4所示的透光性导电薄膜的变形例。
具体实施方式
[0042]在图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透光性导电薄膜，其特征在于，其依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层，所述无机层的厚度为20nm以下，所述无机层的水接触角为50度以下，利用干式来配置所述透光性导电层，所述无机层为溅射层。2.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，在形成所述无机层后经过80小时以上后的所述无机层的水接触角为50度以下。3.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述无机层由无机氧化物形成。4.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层具有铟系导电性氧化物层，所述铟系导电性氧化物层的厚度为50nm以下。5.一种透光性导电薄膜的制造方法，其包括如下工序：准备透光性基材的工序(1)；在所述透光性基材的表面利用干式形成透光性导电层的工序(2)；在所述透光性导电层的表面通过溅射形成作为溅射层的无机层的工序(3)；在所述工序(3)之后，蚀刻所述透光性导电层的工序(4)；所述无机层的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，梨木智刚，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：