发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请涉及发光装置，包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层。所述发射层可以包含空穴传输主体、电子传输主体、敏化剂和延迟荧光掺杂剂。所述空穴传输主体和所述电子传输主体可以形成激基复合物。所述敏化剂可以包括有机金属化合物。所述延迟荧光掺杂剂可以不包含金属原子，以及所述激基复合物可以满足特定方程式。合物可以满足特定方程式。合物可以满足特定方程式。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月11日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0117040号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]实施方案涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是自发射装置，其具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
[0005]发光装置可以包括在衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]实施方案涉及可以满足特定条件的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。
>[0007]其它的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述发射层包含：空穴传输主体；电子传输主体；敏化剂；以及延迟荧光掺杂剂，所述空穴传输主体和所述电子传输主体形成激基复合物，所述敏化剂包括有机金属化合物，所述延迟荧光掺杂剂不包含金属原子，以及所述激基复合物满足方程式1和方程式2：[方程式1]ΔE
1CT
‑
3LE
＝|E(1CT)
‑
E(3LE)|≥0.06eV[方程式2]E(3LE)≥E(3CT)其中在方程式1和方程式2中，E(1CT)表示所述激基复合物的单重态电荷转移态的能级，E(3CT)表示所述激基复合物的三重态电荷转移态的能级，以及E(3LE)表示所述激基复合物的三重态局域激发态的能级。2.如权利要求1所述的发光装置，其中作为所述激基复合物的E(1CT)与E(3CT)之间的能量隙的ΔE
CT
是0.1eV至0.2eV。3.如权利要求1所述的发光装置，其中作为所述激基复合物的延迟荧光光致发光量子产率Φ
DF
与瞬时荧光光致发光量子产率Φ
PF
的比率的Φ
DF
/Φ
PF
等于或小于0.3。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述激基复合物的所述三重态局域激发态的所述能级包括E1(3LE)和E2(3LE)，E1(3LE)≠E2(3LE)，E1(3LE)等于所述空穴传输主体的三重态能级，以及E2(3LE)等于所述电子传输主体的三重态能级。5.如权利要求4所述的发光装置，其中E1(3LE)>E2(3LE)，以及所述激基复合物满足E(1CT)
‑
E1(3LE)≥0.06eV。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述激基复合物满足E(1CT)>E(3LE)。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输主体的最高占据分子轨道的能级与所述电子传输主体的最高占据分子轨道的能级之间的差等于或大于0.2eV，以及所述空穴传输主体的最低未占据分子轨道的能级与所述电子传输主体的最低未占据分子轨道的能级之间的差等于或大于0.2eV。
8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述延迟荧光掺杂剂满足方程式3：[方程式3]ΔE
ST
＝E
D
(S1)
‑
E
D
(T1)≤0.2eV其中在方程式3中，E
D
(S1)表示所述延迟荧光掺杂剂的最低单重态能级，以及E
D
(T1)表示所述延迟荧光掺杂剂的最低三重态能级。9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置满足方程式4：[方程式4]E
EX
(T1)>E
S
(T1)>E
D
(T1)其中在方程式4中，E
EX
(T1)表示所述激基复合物的最低三重态能级，E
S
(T1)表示所述敏化剂的最低三重态能级，以及E
D
(T1)表示所述延迟荧光掺杂剂的最低三重态能级。10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述敏化剂不发射光，以及所述延迟荧光掺杂剂发射荧光。11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置发射具有450nm至470nm的最大发射波长的蓝色光。12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输主体包括包含至少一个咔唑基团的化合物。13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输主体包括由式1
‑
1或式1
‑
2表示的化合物：[式1
‑
1][式1
‑
2]其中在式1
‑
1和式1
‑
2中，
A
11
至A
14
各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，L
11
至L
14
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，a11至a14各自独立地是0至5的整数，R
11
至R
16
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b11至b16、n11和n12各自独立地是1至5的整数，以及R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
以及Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团。14.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输主体是包含至少一个含缺π电子的氮的6元环的化合物。15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输主体是由式2表示的化合物：[式2]
其中在式2中，X
21
是N或C
‑
(L
24
)
a24
‑
(R
24
)
b24
，X
22
是N或C
‑
(L
25
)
a25
‑
(R
25
)
b25
，X
23
是N或C
‑
(L
26
)
a26
‑
(R
26
)
b26
，L
21
至L
26
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，a21至a26各自独立地是0至5的整数，R
21
至R
26
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b21至b26各自独立地是1至5的整数，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
以及Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李汦映，山本真人，松浦利幸，金贤英，申孝燮，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：