本公开涉及一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法。所述显示装置可以包括：基底，包括显示区域和弯曲区域；缓冲层，设置在所述基底上；第一虚设图案，设置在所述弯曲区域中在所述缓冲层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上，所述第一绝缘层暴露所述第一虚设图案的上表面；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层具有暴露所述第一虚设图案的所述上表面的开口；第二虚设图案，设置在所述第一虚设图案的通过所述开口暴露的所述上表面上；以及传输线，设置在所述第二虚设图案上。设置在所述第二虚设图案上。设置在所述第二虚设图案上。
【技术实现步骤摘要】
显示装置和用于制造显示装置的方法
[0001]实施例涉及一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法，更具体地，实施例涉及一种包括弯曲区域的显示装置和一种用于制造显示装置的方法。
技术介绍
[0002]有机发光显示装置可以包括由聚合物等形成的柔性基体基底。包括柔性基体基底的显示面板可以被设计为具有弯曲区域，并且为了防止由于施加到弯曲区域的弯曲应力而导致的无机层的破裂，可以在弯曲区域中另外执行去除无机层的掩模工艺。在这种情况下，随着掩模工艺的数量增加，有机发光显示装置的制造成本可能增加。
[0003]最近，为了降低有机发光显示装置的制造成本，已经开发了包括形成在弯曲区域中的无机层的有机发光显示装置，而没有去除形成在弯曲区域中的无机层的额外掩模工艺。然而，当无机层保留在弯曲区域中时，弯曲区域可能变得容易破裂。
技术实现思路
[0004]实施例提供了一种包括弯曲区域的显示装置。
[0005]实施例提供了一种用于制造包括弯曲区域的显示装置的方法。
[0006]根据实施例的一种显示装置可以包括：基底，包括显示区域和弯曲区域；缓冲层，设置在所述基底上；第一虚设图案，设置在所述弯曲区域中在所述缓冲层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上，所述第一绝缘层暴露所述第一虚设图案的上表面；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层具有暴露所述第一虚设图案的所述上表面的开口；第二虚设图案，设置在所述第一虚设图案的通过所述开口暴露的所述上表面上；以及传输线，设置在所述第二虚设图案上。
[0007]在实施例中，所述基底可以包括：第一有机膜；第一阻挡层，设置在所述第一有机膜上；第二有机膜，设置在所述第一阻挡层上；以及第二阻挡层，设置在所述第二有机膜上。
[0008]在实施例中，所述显示装置还可以包括：源极电极和漏极电极，设置在所述显示区域中在所述第二绝缘层上。包括在所述第二虚设图案中的材料与包括在所述源极电极和所述漏极电极中的每一个中的材料相同。
[0009]在实施例中，所述第二虚设图案可以接触所述第一虚设图案的暴露的所述上表面。
[0010]在实施例中，所述基底还可以包括：外围区域，设置在所述显示区域和所述弯曲区域之间；和连接区域，设置为邻近于所述弯曲区域。所述第二虚设图案从所述外围区域的边缘延伸到所述连接区域的边缘。
[0011]在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一有机层，设置在所述第二虚设图案上；其中，所述传输线设置在所述第一有机层上。
[0012]在实施例中，所述显示装置还可以包括：第二有机层，设置在所述传输线上。
[0013]在实施例中，所述显示装置还可以包括：下部电极，设置在所述显示区域中在所述
第二有机层上；发射层，设置在所述下部电极上；以及上部电极，设置在所述发射层上。
[0014]在实施例中，所述显示装置还可以包括：有源层，设置在所述显示区域中在所述缓冲层上。包括在所述第一虚设图案中的材料与包括在所述有源层中的材料相同。
[0015]在实施例中，所述第一虚设图案可以包括硅半导体。
[0016]在实施例中，所述第一虚设图案可以包括多晶硅。
[0017]根据实施例的一种用于制造显示装置的方法可以包括：提供包括显示区域和弯曲区域的基底；在所述基底上形成缓冲层；在所述弯曲区域中在所述缓冲层上形成第一虚设图案；在所述缓冲层上形成覆盖所述第一虚设图案的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；通过去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每一个暴露所述第一虚设图案的上表面；在所述第一虚设图案的暴露的所述上表面上形成第二虚设图案；以及在所述第二虚设图案上形成传输线。
[0018]在实施例中，所述基底可以包括：第一有机膜；第一阻挡层，设置在所述第一有机膜上；第二有机膜，设置在所述第一阻挡层上；以及第二阻挡层，设置在所述第二有机膜上。
[0019]在实施例中，所述方法还可以包括：在所述显示区域中在所述第二绝缘层上形成源极电极和漏极电极。包括在所述第二虚设图案中的材料与包括在所述源极电极和所述漏极电极中的每一个中的材料相同。
[0020]在实施例中，所述第二虚设图案可以接触所述第一虚设图案的暴露的所述上表面。
[0021]在实施例中，所述基底还可以包括：外围区域，设置在所述显示区域和所述弯曲区域之间；和连接区域，设置为邻近于所述弯曲区域。所述第二虚设图案从所述外围区域的边缘延伸到所述连接区域的边缘。
[0022]在实施例中，所述方法还可以包括：在所述第二虚设图案上形成第一有机层；在所述第一有机层上形成所述传输线；和在所述传输线上形成第二有机层。
[0023]在实施例中，所述方法还可以包括：在所述显示区域中在所述缓冲层上形成有源层。包括在所述第一虚设图案中的材料与包括在所述有源层中的材料相同。
[0024]在实施例中，所述第一虚设图案可以包括硅半导体。
[0025]在实施例中，所述第一虚设图案可以包括多晶硅。
[0026]根据实施例的一种显示装置，包括多晶硅的第一虚设图案可以设置在弯曲区域中在缓冲层上，并且第二虚设图案可以设置为接触所述第一虚设图案的暴露的上表面。因此，可以阻止在无机层中发生的裂纹传播到传输线。
[0027]根据实施例的一种用于制造显示装置的方法，可以省略从弯曲区域去除无机层的掩模工艺；可以在所述弯曲区域中在缓冲层上形成包括多晶硅的第一虚设图案；以及可以形成第二虚设图案以接触所述第一虚设图案的暴露的上表面。因此，可以降低显示装置的制作成本。
[0028]根据实施例的一种显示装置可以包括：基底，包括显示区域和非显示区域；缓冲层，设置在所述显示区域和所述非显示区域中在所述基底上；第一虚设图案，设置在所述非显示区域中在所述缓冲层上，所述第一虚设图案电浮置；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上，所述第一绝缘层暴露所述第一虚设图案的上表面；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层具有暴露所述第一虚设图案的所述上表面的开口；第二虚设图案，设置
在所述第一虚设图案的通过所述开口暴露的所述上表面上；以及传输线，设置在所述第二虚设图案上。
[0029]在实施例中，所述显示装置还可以包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可以包括：有源层；栅极电极，与所述有源层重叠，所述第一绝缘层设置在所述有源层和所述栅极电极之间；以及源极电极和漏极电极，经由穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成的接触孔连接到所述有源层。所述第一虚设图案可以与所述有源层设置在相同的层上，并且可以与所述有源层由相同的材料形成。
[0030]所述第二虚设图案可以直接接触所述第一虚设图案。
[0031]所述第二虚设图案可以与所述源极电极和所述漏极电极设置在相同的层上，并且可以与所述源极电极和所述漏极电极由相同的材料形成。
附图说明
[0032]通过以下结合附图所做的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
[0033]图1是示出根据实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和弯曲区域；缓冲层，设置在所述基底上；第一虚设图案，设置在所述弯曲区域中在所述缓冲层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上，所述第一绝缘层暴露所述第一虚设图案的上表面；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层具有暴露所述第一虚设图案的所述上表面的开口；第二虚设图案，设置在所述第一虚设图案的通过所述开口暴露的所述上表面上；以及传输线，设置在所述第二虚设图案上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底包括：第一有机膜；第一阻挡层，设置在所述第一有机膜上；第二有机膜，设置在所述第一阻挡层上；以及第二阻挡层，设置在所述第二有机膜上。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：源极电极和漏极电极，设置在所述显示区域中在所述第二绝缘层上，其中，包括在所述第二虚设图案中的材料与包括在所述源极电极和所述漏极电极中的每一个中的材料相同。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二虚设图案接触所述第一虚设图案的暴露的所述上表面。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述基底还包括：外围区域，设置在所述显示区域和所述弯曲区域之间；和连接区域，设置为邻近于所述弯曲区域，并且其中，所述第二虚设图案从所述外围区域的边缘延伸到所述连接区域的边缘。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第一有机层，设置在所述第二虚设图案上；其中，所述传输线设置在所述第一有机层上。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第二有机层，设置在所述传输线上。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：下部电极，设置在所述显示区域中在所述第二有机层上；发射层，设置在所述下部电极上；以及上部电极，设置在所述发射层上。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：有源层，设置在所述显示区域中在所述缓冲层上，其中，包括在所述第一虚设图案中的材料与包括在所述有源层中的材料相同。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一虚设图案包括硅半导体。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一虚设图案包括多晶硅。12.一种用于制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：
提供包括显示区域和弯曲区域的基底；在所述基底上形成缓冲层；在所述弯曲区域中在所述缓冲层上形成第一虚设图案；在所述缓冲层上形成覆盖所述第一虚设图案的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；通过去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每一个暴露所述第一虚设图案的上表面；在所述第一虚设图案的暴露的所述上表面上形成第二虚设图案；以及在所述第二虚设图案上形成传输线。13.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳春基，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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