【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量子真空涨落装置
[0001]相关专利申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年4月22日提交的美国申请号16/855,890和2019年9月23日提交的美国临时申请号62/904,666以及2019年5月10日提交的美国临时申请号62/920,636的权益和优先权,这些申请据此以引用方式全文并入。
[0003]本专利技术属于电子装置领域。本专利技术整体涉及用于收集和生成电能的量子装置。
技术介绍
[0004]根据量子理论,量子真空充满了量子真空涨落形式的电磁辐射。关于是否可以收集这种能量(以及如果可以,如何收集)已进行了大量讨论。收集这种能量的一个主要问题是它形成了能量基态,因此不会从一个区流到另一个区。然而,量子真空能量是几何相关的,其密度在卡西米尔腔内比在卡西米尔腔外低。因此,卡西米尔腔的使用开启了利用量子真空涨落将能量从一个位置驱动到另一个位置的可能性。
技术实现思路
[0005]本文描述了用于生成电能的装置。在实施例中,本文描述的装置使用量子真空的能量密度不同的两个不同区域来驱动穿过电子装置的能量,从而可收集其中的一部分。
[0006]在一方面,公开了用于生成和捕获由量子真空涨落激发的电荷载流子的装置。本方面的装置可使用量子真空涨落相对于电子装置的不对称性来驱动能量流或颗粒流或波流穿过电子装置。本方面的装置还可包括或替代地包括具有允许由量子真空涨落激发的电荷载流子的快速传输和/或捕获的结构的电子装置。在一些实施例中,本方面的装置可称为卡西米尔光注入器或卡西米尔光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置,所述装置包括:电子装置;以及零点能量密度降低结构,其邻接所述电子装置,所述零点能量密度降低结构提供相对于所述电子装置的不对称性,所述不对称性驱动能量流跨所述电子装置。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述电子装置的至少一部分包括所述零点能量密度降低结构的部件。3.根据权利要求1所述的装置,其中所述不对称性在所述电子装置的第一侧与所述电子装置的第二侧之间产生净电荷流。4.根据权利要求1所述的装置,其中与在不存在所述零点能量密度降低结构时在所述电子装置的所述第一侧上的零点能量密度相比,所述不对称性使所述电子装置的所述第一侧上的所述零点能量密度降低。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述不对称性提供所述电子装置的第一侧上的第一零点能量密度与所述电子装置的第二侧上的第二零点能量密度之间的差异,所述差异驱动所述能量流。6.根据权利要求1所述的装置,其中所述电子装置的第一侧对应于所述电子装置的第一传导层的至少一部分,并且其中所述电子装置的第二侧对应于所述电子装置的第二传导层的至少一部分。7.根据权利要求1所述的装置,其中所述电子装置表现出允许在1ps或更短的时间内传输或捕获穿过所述电子装置的电荷载流子的结构。8.根据权利要求1所述的装置,其中即使在不存在外部照明源时也发生所述能量流。9.根据权利要求1所述的装置,其中所述零点能量密度降低结构包括卡西米尔腔,所述卡西米尔腔邻接所述电子装置。10.根据权利要求9所述的装置,其中所述电子装置包括:第一传导层,所述第一传导层包括所述卡西米尔腔的部件;传输层,所述传输层设置为与所述第一传导层相邻并与所述第一传导层接触;以及第二传导层,所述第二传导层设置为与所述传输层相邻并与所述传输层接触。11.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一传导层包括金属。12.根据权利要求10所述的装置,其中所述传输层包括电介质。13.根据权利要求10所述的装置,其中所述传输层包括半导体。14.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一传导层具有3nm至100nm的厚度。15.根据权利要求10所述的装置,其中所述传输层具有0.3nm至50nm的厚度。16.根据权利要求10所述的装置,其中所述第二传导层具有5nm至1cm的厚度。17.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一传导层或所述第二传导层中的至少一个包括多层结构,所述多层结构包括一个或多个传导子层。18.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一传导层包括增强所述第一传导层的光学吸收特性的超材料。19.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一传导层包括增强热载流子发射的超材料。20.根据权利要求9所述的装置,其中所述卡西米尔腔包括:
第一反射层;腔层;以及第二反射层,其中所述腔层介于所述第一反射层与所述第二反射层之间。21.根据权利要求20所述的装置,其中所述腔层具有10nm至2μm的厚度。22.根据权利要求20所述的装置,其中所述腔层包括凝聚相光学透明材料层。23.根据权利要求20所述的装置,其中所述腔层包括对于至少一些100nm至10μm的电磁辐射波长具有大于20%的透射率的材料。24.根据权利要求20所述的装置,其中所述第一反射层具有10nm至1cm的厚度。25.根据权利要求20所述的装置,其中所述第一反射层或所述第二反射层中的至少一个的反射率大于50%。26.根据权利要求20所述的装置,其中所述第一反射层包括金属。27.根据权利要求20所述的装置,其中所述第二反射层包括所述电子装置的一个或多个部件。28.根据权利要求1所述的装置,其中所述电子装置包括二极管。29.根据权利要求1所述的装置,其中所述电子装置包括邻接所述零点能量密度降低结构的传导层和设置为与所述传导层相邻并与所述传导层接触的半导体层。30.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括定位为接收来自所述电子装置的一个或多个传导层的电流的负载。31.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括衬底,其中所述零点能量密度降低结构设置为与所述衬底相邻并由所述衬底支撑。32.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括衬底,其中所述电子装置设置为与所述衬底相邻并由所述衬底支撑。33.一种装置阵列,所述装置阵列包括:以阵列配置布置的多个根据权利要求1所述的装置。34.根据权利要求33所述的装置阵列,其中所述多个装置的至少一个子集以串联配置布置。35.根据权利要求33所述的装置阵列,其中所述多个装置的至少一个子集以并联配置布置。36.根据权利要求33所述的装置阵列,其中所述多个装置以串联和并联配置的组合布置。37.一种装置叠堆,所述装置叠堆包括:以堆叠配置布置的多个装置层,其中每个装置层包括一个或多个根据权利要求1所述的装置。38.根据权利要求37所述的装置叠堆,其中每个装置层对应于包括多个所述装置的阵列。39.一种装置,所述装置包括:电子装置;以及零点能量密度降低结构,所述零点能量密度降低结构邻接所述电子装置,其中所述电子装置表现出允许在1ps或更短的时间内传输或捕获穿过所述电子装置的电荷载流子的结
构。40.根据权利要求39所述的装置,其中所述结构允许在100fs或更短的时间内传输或捕获所述电荷载流子。41.根据权利要求39所述的装置,其中所述零点能量密度降低结构提供相对于所述...
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