激光系统和电子器件的制造方法技术方案

本公开的一个观点的激光系统配置有：第1容器，其收纳保持第1非线性晶体的第1晶体保持架和第1加热器，包含供激光入射的第1入射窗口和供通过第1非线性晶体后的激光出射的第1出射窗口；第2容器，其收纳保持第2非线性晶体的第2晶体保持架和第2加热器，包含供激光入射的第2入射窗口和供通过第2非线性晶体后的激光出射的第2出射窗口；以及载台，其保持第1容器和第2容器。控制器控制载台，使第1非线性晶体从激光的光路上脱离，使第2非线性晶体插入到激光的光路上。激光的光路上。激光的光路上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光系统和电子器件的制造方法


[0001]本公开涉及激光系统和电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路的微细化和高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面，将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，从曝光用光源输出的光的短波长化得以发展。在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。当前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。
[0003]作为当前的曝光技术，如下的液浸曝光已经实用化：利用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙，通过改变该间隙的折射率，使曝光用光源的外观的波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射等效的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸光刻。
[0004]KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的谱线宽度较宽，大约为350～400pm，因此，通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光系统，其具有：固体激光装置，其输出激光；第1晶体保持架，其保持被配置于所述激光的光路上的第1非线性晶体；第1加热器，其对所述第1非线性晶体进行加热；第1容器，其收纳所述第1加热器和所述第1晶体保持架，包含供所述激光入射的第1入射窗口和供所述激光出射的第1出射窗口；第1气体导入管，其向所述第1容器内导入第1气体；第1气体排出管，其排出所述第1容器内的所述第1气体；第2晶体保持架，其保持被配置于所述激光的光路外的第2非线性晶体；第2加热器，其对所述第2非线性晶体进行加热；第2容器，其收纳所述第2加热器和所述第2晶体保持架，包含在被配置于所述激光的光路上的情况下供所述激光入射的第2入射窗口和供所述激光出射的第2出射窗口；第2气体导入管，其向所述第2容器内导入第1气体；第2气体排出管，其排出所述第2容器内的所述第1气体；载台，其保持所述第1容器和所述第2容器；以及控制器，其控制所述载台，使第1非线性晶体从所述激光的光路上脱离，使所述第2非线性晶体插入到所述激光的光路上。2.根据权利要求1所述的激光系统，其中，在所述第1非线性晶体被配置于所述激光的光路上时，所述控制器实施所述第2非线性晶体的脱水处理。3.根据权利要求2所述的激光系统，其中，所述控制器实施以下处理作为所述脱水处理：对所述第2非线性晶体进行加热的加热处理；以及向所述第2容器内导入惰性气体、并且从所述第2容器排出所述惰性气体的惰性气体流动处理。4.根据权利要求3所述的激光系统，其中，所述控制器在所述惰性气体流动处理之前实施向所述第2容器内导入大气、并且从所述第2容器排出所述大气的大气流动处理，作为所述脱水处理。5.根据权利要求4所述的激光系统，其中，所述控制器在实施所述脱水处理之前，判断是否在所述第2晶体保持架保持着所述第2非线性晶体。6.根据权利要求1所述的激光系统，其中，所述第1容器和所述第2容器分别收纳串联配置的多个非线性晶体。7.根据权利要求6所述的激光系统，其中，所述第1容器和所述第2容器分别收纳串联配置的3个非线性晶体。8.根据权利要求7所述的激光系统，其中，所述非线性晶体是CLBO(CsLiB6O
10
)晶体。9.根据权利要求8所述的激光系统，其中，所述串联配置的3个CLBO晶体中的第1个CLBO晶体和第3个CLBO晶体进行类型1的相位
匹配，第2个CLBO晶体进行类型2的相位匹配。10.根据权利要求9所述的激光系统，其中，所述载台的可动部在与所述串联的方向正交的方向上移动。11.根据权利要求1所述的激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：渊向笃，曲晨，
申请(专利权)人：极光先进雷射株式会社，
类型：发明
国别省市：