显示面板的制作方法及显示面板技术

本发明专利技术涉及一种显示面板的制作方法及显示面板，与现有方法中通过光刻加湿蚀刻两道工艺形成under cut结构相比，本发明专利技术所述制作方法通过一道蚀刻工艺即可在钝化层上形成under cut结构，节约产能，并且通过平坦化层和阳极层的配合形成对有机发光层和阴极的双层支撑，增强对阴极和有机发光层的支撑强度，避免塌陷风险。险。险。

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制作方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板的制作方法及显示面板。

技术介绍

[0002]自主发光的有机发光二极管显示器(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)的透明阴极因为透光需求，制作厚度较薄，造成方阻较大，面板电流压降(IR Drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。目前OLED大尺寸面板设计一般使用背板辅助阴极引入的方法，主要是通过形成under cut(底切结构)连接阴极降低IR drop，而现有OLED显示面板制程中，作为阴极的支撑层在under cut形成过程中会出现后退，导致支撑层的支撑效果下降，存在塌陷风险。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的在于，解决现有under cut制程存在阴极塌陷风险的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种显示面板的制作方法，包括：
[0005]提供衬底基板；
[0006]在所述衬底基板上依次形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦化层；在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露至少部分所述薄膜晶体管层的源极的第一接触孔；在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露部分所述辅助电极层的第二接触孔；在所述平坦化层表面形成阳极层，所述阳极层通过第一接触孔与所述源极电连接，所述阳极层通过第二接触孔沉积至所述辅助电极层表面；在所述阳极层表面形成光阻层，在所述光阻层表面形成与所述第二接触孔相对应的第一开孔；蚀刻去除沉积在所述辅助电极层表面的阳极层以在所述阳极层表面形成与所述第一开孔相对应的第二开孔；蚀刻覆盖所述辅助电极层的至少部分钝化层以形成暴露至少部分所述辅助电极层的底切腔体；去除所述光阻层；蚀刻所述阳极层形成阳极；去除剩余阳极层。2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述去除剩余阳极层的步骤包括保留沉积于所述第二接触孔内壁的阳极层。3.如权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二接触孔包括形成于所述平坦化层表面的凹槽以及形成于所述凹槽底面的、与所述底切腔体连通的第一通孔，所述凹槽的内径由远离所述辅助电极层一端向靠近所述辅助电极层一端逐渐减小，所述阳极层沉积于所述凹槽内壁，所述阳极层上的第二开孔的内径大于或者等于所述第一通孔的内径。4.如权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一通孔在所述辅助电极层表面的正投影面积小于所述底切腔体在所述辅助电极层表面的正投影面积。5.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦化层的步骤中还包括：在所述钝化层表面形成第二支撑层；所述平坦化层覆盖所述第二支撑层，所述第二支撑层位于所述辅助电极层上方；所述第二接触孔贯通所述平坦化层、所述第二支撑层和所述钝化层。6.如权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二接触孔包括形成于所述平坦化层的第二通孔和形成于所述第二支撑层并与所述第二通孔连通的第三通孔，所述第二通孔的内径由远离所述辅助电极层一端向靠近所述辅助电极层一端逐渐减小，所述第三通孔的内径小于所述第二通孔靠近所述辅助电极层一端端口的内径。7.如权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第三通孔在所述辅助电极层表面的正投影面积小于所述底切腔体在所述辅助电极层表面的正投影面积。8.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，位于所述第三通孔外侧的所
述第二支撑层形成对部分所述底切腔体的遮盖。9.如权利要求1或5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述去除剩余阳极层的步骤之后还包括：在所述平坦化层表面形成像素定义层；在所述像素定义层表面形成暴露至少部分所述阳极的第一过...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃事建，张磊，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：