一种MoNb靶材EBSD检测的制样方法技术

本发明专利技术提供一种MoNb靶材EBSD检测的制样方法，所述MoNb靶材EBSD检测的制样方法包括如下步骤：(1)MoNb靶材经切割，得到切割后样品；(2)步骤(1)所述切割后样品经机械抛光，得到抛光后样品；(3)步骤(2)所述抛光后样品经电解液电解抛光1～3min，得到待测样品；所述电解液按质量分数计含有56～73wt％的甲醇和27～44wt％的2

【技术实现步骤摘要】
一种MoNb靶材EBSD检测的制样方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及靶材溅射
，特别涉及一种MoNb靶材EBSD检测的制样方法。

技术介绍

[0002]溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等；亦可应用于玻璃镀膜领域；还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。其中，高纯度溅射靶材主要用于对材料纯度、稳定性要求更高的领域，如半导体、平板显示器、太阳能电池、磁记录介质等。在所有应用中，半导体对溅射靶材的技术要求和纯度最高，价格也最为昂贵，对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，靶材内部微观结构将严重影响薄膜的性能。
[0003]MoNb溅射靶材主要应用于CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池底电极及半导体集成电路，纪录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面。其性能好坏与靶材的组织均匀性密切相关。
[0004]而检测合金内部微观结构/组织均匀性较常用的手段为电子背散射衍射技术(Electron Back scattered 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MoNb靶材EBSD检测的制样方法，其特征在于，所述制样方法包括如下步骤：(1)MoNb靶材经切割，得到切割后样品；(2)步骤(1)所述切割后样品经机械抛光，得到抛光后样品；(3)步骤(2)所述抛光后样品经电解液电解抛光1～3min，得到待测样品；所述电解液按质量分数计含有56～73wt％的甲醇和27～44wt％的2
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丁氧基乙醇。2.根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)中所述MoNb靶材中含有Mo相和Nb相；优选地，所述MoNb靶材中Nb含量为5～15wt％，Mo含量为85～95wt％，Nb与Mo的总含量为100wt％。3.根据权利要求1或2所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)中所述切割包括线切割。4.根据权利要求1～3任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)中所述机械抛光的次数为至少三次。5.根据权利要求4所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)中所述机械抛光的次数为三次，包括依次采用240#、1000#、2000#的砂纸进行机械抛光。6.根据权利要求5所述的制样方法，其特征在于，所述砂纸包括二氧化硅砂纸。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，石春红，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：