一种低温烧结银胶及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低温烧结银胶及其制备方法，低温烧结银胶的组分和质量百分比如下：60

【技术实现步骤摘要】
一种低温烧结银胶及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子器件封装
，具体是一种低温烧结银胶及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子器件逐渐朝着小体积、多功能、高可靠性等方向发展，对电子封装界面互联材料提出了更高的要求，比如要求使用温度高(超过200℃)、电流密度大等，传统的锡铅钎料和无铅钎料无法满足这样的使用条件。含有纳米银的低温烧结银胶，在烧结后可以承受500℃以上的工作温度，能够有效避免电子器件在后续加工和使用过程中的接头重熔问题，并且银具有很好的导电和导热性能，因此，低温烧结银胶特别适合于大功率电子器件的封装。但是，低温烧结银胶依然存在一些问题。
[0003]首先，大多数的低温烧结银胶，其烧结温度普遍都在200℃以上，不少甚至超过了250℃，而市面上很多印刷电路板等电子材料承受不了太高的烧结温度。不仅如此，过高的烧结温度会导致银胶和基板以及芯片之间因热膨胀系数失配带来的内应力急剧增大，从而增加烧结接头的失效概率，严重影响银胶烧结接头的可靠性。
[0004]其次，为了改善银胶的烧结性能，降低银胶烧结温度，很多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温烧结银胶，其特征在于：所述低温烧结银胶的组分和质量百分比如下：60
‑
80％的片状银粉，10
‑
20％的纳米银粉，2.0
‑
5.0％的柔性环氧树脂，2.0
‑
5.0％的酸酐类固化剂，5.0
‑
15.0％的溶剂。2.根据权利要求1所述的一种低温烧结银胶，其特征在于：所述片状银粉的震实密度大于5.5g/cm3，D50大于5.0μm且D100小于15μm，比表面积小于0.5m2/g。3.根据权利要求1所述的一种低温烧结银胶，其特征在于：所述纳米银粉的比表面积大于30m2/g而且在180℃无压条件下可以烧结。4.根据权利要求1所述的一种低温烧结银胶，其特征在于：所述柔性环氧树脂为聚醚改性双酚A型环氧树脂、聚氨酯改性双酚A型环氧树脂、二聚酸改性双酚A型环氧树脂中的一种或几种混合。5.根据权利要求1所述的一种低温烧结银胶，其特征在于：所述酸酐固化剂为甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雨，张建平，
申请(专利权)人：上海腾烁电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：