发光二极管及其制备方法技术

本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括顺序排列的第一粘附层、第二粘附层和第一反射层，第一粘附层为图案化结构，且间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；第二粘附层位于图案化的第一粘附层上。本申请中第一粘附层填充第一开口，第二粘附层位于第一粘附层上，可使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，提高了对半导体堆叠层发出光的反射率，以及发光二极管的发光效率。极管的发光效率。极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管由于可靠性高、寿命长、功耗低的特点，广泛应用于各个领域。为了提高发光二极管的发光效率，常常在半导体堆叠层上形成反射层，反射层与半导体堆叠层之间的粘附性较差，因此，需要在反射层与半导体堆叠层之间增设一层粘附层，以增强反射层在半导体堆叠层上的粘附性。
[0003]现有发光二极管中的粘附层一般由氧化铟锡制备而成，其具有良好的粘附性，但对半导体堆叠层所发出光的透光率较差，反射率较低，进而会影响整个发光二极管的反射效果，以及发光效率。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种发光二极管，其使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，能够在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，有效提高粘附层对半导体堆叠层所发出光的透光率和反射率，进而提高发光二极管的发光效率。
[0005]另一目的还在于提供一种上述发光二极管的制备方法。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种发光二极管，其包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括：
[0007]第一粘附层，为图案化结构；第一粘附层间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；
[0008]第二粘附层，覆盖第一粘附层上以及第一绝缘层除第一粘附层之外的区域；第二粘附层对预定波段的光的反射率大于第一粘附层对预定波段的光的反射率；
[0009]第一反射层，位于第二粘附层远离第一粘附层的一侧。
[0010]在一种可能的实施方案中，第一粘附层和第二粘附层之间还包括有第二反射层，第二反射层覆盖在第一粘附层上。
[0011]在一种可能的实施方案中，第二反射层与第一粘附层复配后的反射率介于60％～95％。
[0012]在一种可能的实施方案中，第一反射层与第二粘附层复配后的反射率介于80％～98％。
[0013]在一种可能的实施方案中，第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，第二反射层呈“T”型，并填充凹陷区。
[0014]在一种可能的实施方案中，第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，第二反射层覆盖凹陷区的侧壁和底面。
[0015]在一种可能的实施方案中，第二粘附层在垂向上的投影面积与第一粘附层在垂向上的投影面积之比为20:1～10:3。
[0016]在一种可能的实施方案中，第一粘附层的材料包括透明导电材料，第一粘附层的厚度为10～50A。
[0017]在一种可能的实施方案中，第二粘附层的材料包括铝，第二粘附层的厚度为2～20A。
[0018]在一种可能的实施方案中，第一反射层和第二反射层的材料均包括银，第一反射层和第二反射层的厚度为1000～1500A。
[0019]在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层与第一绝缘层之间包括有电流扩展层，在垂向投影中，第一开口位于电流扩展层内。
[0020]在一种可能的实施方案中，该发光二极管还包括：
[0021]第二绝缘层，位于反射结构远离第一绝缘层的一侧，并包覆在反射结构的外围；
[0022]金属层，位于第二绝缘层远离反射结构的一侧，并具有与半导体堆叠层电连接的导电柱；
[0023]基板，位于金属层远离第二绝缘层的一侧。
[0024]在一种可能的实施方案中，反射结构与第二绝缘层之间包括有导电层，导电层包覆在反射结构的外围，导电层的材料包括Ag、Au、Ti、Al、Cr、Pt、TiW合金、Ni或以上任意组合；导电层朝向半导体堆叠层的表面电连接有接触电极。
[0025]在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一绝缘层形成在第二半导体层上；导电柱与第一半导体层电连接，接触电极与第二半导体层电连接。
[0026]第二方面，本申请实施例提供了一种发光二极管的制备方法，其包括：
[0027]形成半导体堆叠层，并在半导体堆叠层上形成第一绝缘层，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；
[0028]在第一绝缘层上形成反射结构；反射结构的形成方法包括：
[0029]在第一绝缘层上形成第一粘附层，第一粘附层为图案化结构，且间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；
[0030]在第一粘附层以及第一绝缘层除第一粘附层之外的区域形成第二粘附层，第二粘附层对预定波段的光的反射率大于第一粘附层对预定波段的光的反射率；
[0031]在第二粘附层上形成第一反射层。
[0032]在一种可能的实施方案中，在形成第二粘附层之前，形成第一粘附层之后，还包括：
[0033]在第一粘附层上形成第二反射层。
[0034]与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：
[0035]本申请通过在半导体堆叠层与第一反射层之间设置第一粘附层和第二粘附层来提高第一反射层在半导体堆叠层上的粘附性，且使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，能够在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，有效提高粘附层对半导体堆叠层所发出光的透光率和反射率，进而提高发光二极管的发光效率。例如，第
一粘附层由透明导电材料制成，第二粘附层由铝制成。
[0036]此外，利用第一粘附层预先填充于第一绝缘层的第一开口内，使得后续形成第二粘附层时，第二粘附层只与非第一开口处的第一绝缘层接触，不会填充于第一开口内并通过第一开口与半导体堆叠层上的电流扩展层接触，可避免第二粘附层因与电流扩展层接触而出现的氧化现象，并提高发光二极管的发光效率。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0038]图1为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0039]图2为图1中区域I的放大图；
[0040]图3为图1中区域I的放大图；
[0041]图4～图9为根据本申请实施例示出的一种发光二极管处于不同制备阶段的结构示意图。
[0042]图示说明：
[0043]100衬底；200半导体堆叠层；201第一半导体层；202有源层；203第二半导体层；210第一绝缘层；211第一开口；212第二开口；220反射结构；221第一粘附层；222第二粘附层；223第一反射层；224第二反射层；230导电层；240第二绝缘层；250电流扩展层；300金属层；310导电柱；400基板；500接触电极；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，所述第一绝缘层设有延伸至所述半导体堆叠层的第一开口；其特征在于，所述反射结构包括：第一粘附层，为图案化结构；所述第一粘附层间断设置在所述第一绝缘层上并至少填充所述第一开口；第二粘附层，覆盖所述第一粘附层以及所述第一绝缘层除第一粘附层之外的区域；所述第二粘附层对预定波段的光的反射率大于所述第一粘附层对预定波段的光的反射率；第一反射层，位于所述第二粘附层远离第一粘附层的一侧。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层和第二粘附层之间还包括有第二反射层，所述第二反射层覆盖在所述第一粘附层上。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二反射层与所述第一粘附层复配后的反射率介于60％～95％。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层与所述第二粘附层复配后的反射率介于80％～98％。5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层呈“T”型，并填充所述凹陷区。6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层覆盖所述凹陷区的侧壁和底面。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层在垂向上的投影面积与所述第一粘附层在垂向上的投影面积之比为20:1～10:3。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层的材料包括透明导电材料，所述第一粘附层的厚度为10～50A。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层的材料包括铝，所述第二粘附层的厚度为2～20A。10.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层的材料均包括银，所述第一反射层和第二反射层的厚度为1000～1500A。11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡琳榕，杨力勋，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：