闪存设备的数据读取方法、装置、存储介质及闪存设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种闪存设备的数据读取方法、装置、存储介质及闪存设备，该方法包括：获取存储单位的地址标识；根据所述地址标识查找预设的重读列表映射表，以获取与所述地址标识对应的重读电压列表，所述重读列表映射表中包括有存储单位的地址标识与重读电压列表之间的对应关系；根据所述重读电压列表对当前存储单位进行重读操作。本发明专利技术在进行数据重读取时，不是将所有重读电压集中于一个重读电压列表中，而是为存储单位选择采用更适合当前存储区域的重读电压列表，可以大大提高重读效率，缩减闪存读取时间，从而提升整体读性能。从而提升整体读性能。从而提升整体读性能。

【技术实现步骤摘要】
闪存设备的数据读取方法、装置、存储介质及闪存设备


[0001]本专利技术涉及数据存储
，尤其涉及一种闪存设备的数据读取方法、装置、存储介质及闪存设备。

技术介绍

[0002]闪存作为现如今主流的存储媒介，具有读写速度快，存储容量高以及功耗体积小重量轻等优点；闪存以存储电荷量的多少来表征不同的存储态，闪存数据的读取是通过读电压来判别。当存储器件的存储态低于读电压时，读电压施加在存储器件的栅极存储器件处于导通；相反当存储器件的存储态高于读电压时，读电压施加在存储器件的栅极存储器件处于关闭。闪存读取是以逻辑页(Page)为单位进行读取的，如SLC存储(Single
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Level Cell:单位存储单元)用1个读电压(R1)来区分2个储存态(0或1)，SLC是单位存储只有一个逻辑页；MLC存储(Multi
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Level Cell:两位存储单元)有3个读电压(R1,R2,R3)来区分4个储存态(11,01，10，00)，MLC是两位存储有两个逻辑页分别是低页(Low Page)和高页(Up Page)，其中低页(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存设备的数据读取方法，其特征在于，所述方法包括：获取存储单位的地址标识；根据所述地址标识查找预设的重读列表映射表，以获取与所述地址标识对应的重读电压列表，所述重读列表映射表中包括有存储单位的地址标识与重读电压列表之间的对应关系；根据所述重读电压列表对当前存储单位进行重读操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述地址标识查找预设的重读列表映射表之前，所述方法还包括：采用默认读电压对所述存储单位进行数据读取；若读取失败，则执行根据所述地址标识查找预设的重读列表映射表的操作。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储单位为逻辑页、字线或存储块。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据闪存设备的不同存储单位在不同使用状态下的最优读电压数据创建不同存储单位的重读电压列表；建立各个存储单位的重读电压列表与该存储单位的地址标识之间的对应关系，生成重读列表映射表。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取闪存设备的不同存储单位在不同使用状态下的最优读电压数据包括：获取闪存设备中不同存储单位在不同擦写次数、不同数据保持时间、不同读写温度和/或读干扰状态下的最优读电压数据。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，刘晓健，王嵩，
申请(专利权)人：北京得瑞领新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：