大容量断路器的磁场屏蔽方法技术

公开了大容量断路器的磁场屏蔽方法，方法中，三个屏蔽壳分别将大容量的三相断路器分别笼罩，三相断路器启动，在屏蔽壳两个面边界处电流流向与其中的断路器电流流向相同，在远离屏蔽壳两个面边界处的电流流向与断路器电流流向相反，在靠近屏蔽壳的终端和始端的边缘处，电流发生换向以连接两个不同方向的电流，采用导电的连接件连接A相断路器的屏蔽壳与B相断路器的屏蔽壳，以及连接B相断路器的屏蔽壳与C相断路器的屏蔽壳，三个屏蔽壳上的电流形成环流，A相断路器和C相断路器的电流通过连接件在屏蔽壳始端流入B相断路器，在终端从B相屏蔽壳流出，在每个屏蔽壳上，沿着垂直电流方向切向屏蔽壳，流过切面的电流不为0。流过切面的电流不为0。流过切面的电流不为0。

【技术实现步骤摘要】
大容量断路器的磁场屏蔽方法


[0001]本专利技术涉及断路器屏蔽
，尤其涉及一种大容量断路器的磁场屏蔽方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着电力负荷越来越大，也就催生了对大容量断路器的需求，特别是大容量的发电机出口断路器，短路电流峰值已经达到数百千安。断路器周围必然存在许多的电子器件，特别是对于电力电子组件与机械断路器构成的混合式断路器，控制器、驱动器等各种电子元器件种类繁多，可靠性要求高。这些电子器件控制断路器的开合状态，监测断路器的运行状态。这些电子器件对其所处的环境，尤其是磁场环境有着很高的要求。由断路器通流电流引起的磁场扰动会严重干扰这些电子器件的正常运行，有可能酿成断路器失去控制的后果，从而造成巨大的损失。
[0003]传统断路器通过对电子器件加装电磁防护来抵消断路器产生的磁场干扰。当断路器的电流进一步提升之后，电子器件本身的防护就可能存在防护效果不足的问题。这个问题限制了大容量断路器的开发和应用，也使得其存在诸多的隐患。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种大容量断路器的磁场屏蔽方法。能够有效削弱磁场，操作简便。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]本专利技术的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法包括：
[0008]三个屏蔽壳分别将大容量的三相断路器分别笼罩，其中，三相断路器包括A相断路器、B相断路器和C相断路器，三个屏蔽壳均为导电材料制成且均具有导电材料制成的用于支撑且接地的支撑柱，
[0009]三相断路器启动，三个屏蔽壳分别形成多个内循环的电流，在屏蔽壳两个面边界处电流流向与其中的断路器电流流向相同，在远离屏蔽壳两个面边界处的电流流向与所述断路器电流流向相反，在靠近屏蔽壳的终端和始端的边缘处，电流发生换向以连接两个不同方向的电流，所述始端和终端为屏蔽壳的两端，
[0010]采用导电的连接件连接A相断路器的屏蔽壳与B相断路器的屏蔽壳，以及连接B相断路器的屏蔽壳与C相断路器的屏蔽壳，三个屏蔽壳上的电流形成环流，A相断路器和C相断路器的电流通过连接件在屏蔽壳始端流入B相断路器，在终端从B相屏蔽壳流出，在每个屏蔽壳上，沿着垂直电流方向切向屏蔽壳，流过切面的电流不为0，且与其中的断路器电流相反以产生相反的磁场以抵消三相断路器电流产生的磁场。
[0011]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，所述三相断路器经由断路器支撑柱固定在地面，每个屏蔽壳的底部留设有供断路器支撑柱穿过的通孔。
[0012]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，断路器支撑柱支撑断路器的母排和真空泡，真空泡连接两端的母排，所述真空泡内的触头在流通电流时处于闭合状态，在电流断开时处于断开状态，在动作时依靠动作机构执行闭合或断开的操作。
[0013]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，所述断路器支撑柱由绝缘材料制成。
[0014]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，三个屏蔽壳垂直于所述三相断路器的电流方向的方向摆放。
[0015]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，A相断路器、B相断路器和C相断路器依次排列分布。
[0016]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，第一步骤中，用于连接屏蔽壳的所述连接件的形状为长方体，其位置在两个相邻屏蔽壳的相邻面的四个角落。
[0017]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，所述屏蔽壳的材料是铝合金。
[0018]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，所述屏蔽壳形状为两端开口的空心长方体壳体。
[0019]所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法中，所述连接件采用铜、铝或者铜合金、铝合金制成。
[0020]大容量断路器指的是其短路电流峰值达到数百千安的断路器。
[0021]在上述技术方案中，本专利技术提供的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法，具有以下有益效果：本专利技术所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法有效削弱磁场。用三个壳子把三相断路器罩起来再连接起来，当三相交流电流通时，根据法拉第电磁感应原理和楞次定律，屏蔽壳上会产生和断路器相反方向的电流，从而削弱磁场。大容量断路器因其电流很大，对周围空间磁场扰动也很大，会严重威胁附近电子控制器、电力电子器件等设备的正常工作，采用本专利技术的屏蔽方法可以有效减少屏蔽壳外的磁场强度，使得电子控制器、电力电子器件等设备工作在低磁场的环境里。并且本专利技术无需外加激励和控制，在断路器流过电流时可以自发得产生反向电流，响应迅速，可靠性高。实现了屏蔽壳流通反向电流从而抵消磁场的作用，从而在断路器周围创造一个低磁场的环境，使得电力电子或者电子控制器部分可以配置在磁屏蔽壳体之外并正常运行。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术中大容量断路器的磁场屏蔽方法的各屏蔽壳布置示意图；
[0024]图2为本专利技术中大容量断路器的磁场屏蔽方法的屏蔽壳内部示意图；
[0025]图3为本专利技术中大容量断路器的磁场屏蔽方法的一个屏蔽壳的电流方向示意图；
[0026]图4为本专利技术中大容量断路器的磁场屏蔽方法的一个屏蔽壳的电流方向示意图；
[0027]图5为本专利技术中大容量断路器的磁场屏蔽方法的一个屏蔽壳的电流方向示意图；
[0028]图6为本专利技术中大容量断路器的磁场屏蔽方法的连接的三个屏蔽壳的电流方向示意图。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图1至图3，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0032]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大容量断路器的磁场屏蔽方法，其特征在于，其包括以下步骤：三个屏蔽壳分别将大容量的三相断路器分别笼罩，其中，三相断路器包括A相断路器、B相断路器和C相断路器，三个屏蔽壳均为导电材料制成且均具有导电材料制成的用于支撑且接地的支撑柱，三相断路器启动，三个屏蔽壳分别形成多个内循环的电流，在屏蔽壳两个面边界处电流流向与其中的断路器电流流向相同，在远离屏蔽壳两个面边界处的电流流向与所述断路器电流流向相反，在靠近屏蔽壳的终端和始端的边缘处，电流发生换向以连接两个不同方向的电流，所述始端和终端为屏蔽壳的两端，采用导电的连接件连接A相断路器的屏蔽壳与B相断路器的屏蔽壳，以及连接B相断路器的屏蔽壳与C相断路器的屏蔽壳，三个屏蔽壳上的电流形成环流，A相断路器和C相断路器的电流通过连接件在屏蔽壳始端流入B相断路器，在终端从B相屏蔽壳流出，在每个屏蔽壳上，沿着垂直电流方向切向屏蔽壳，流过切面的电流不为0，且与其中的断路器电流相反以产生相反的磁场以抵消三相断路器电流产生的磁场。2.根据权利要求1所述的一种大容量断路器的磁场屏蔽方法，其特征在于，优选的，所述三相断路器经由断路器支撑柱固定在地面，每个屏蔽壳的底部留设有供断路器支撑柱穿过的通孔。3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：荣命哲，杨飞，王洋，元复兴，马平，殷晓刚，陈志彬，吴翊，吴益飞，
申请(专利权)人：西安高压电器研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：