一种具有超亲水废液区结构的微流控芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有超亲水废液区结构的微流控芯片。所述废液区具有流道边框，所述流道边框内设置有多个微柱结构，所述微柱结构表面设置有SiO2/TiO2亲水涂层。本实用新型专利技术提供的微流控芯片中，通过在微柱结构表面设置SiO2/TiO2亲水涂层，使得微流控芯片具备超亲水的废液区结构，实现微流控芯片分段控制表面亲水性。面亲水性。面亲水性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有超亲水废液区结构的微流控芯片


[0001]本技术涉及微流控
，具体涉及一种具有超亲水废液区结构的微流控芯片。

技术介绍

[0002]目前，在微流控平台上，关于微流道局部区域表面超亲水改性的技术还比较少有报导。现有技术中为了实现微流道内局部表面亲水性，其中一种方法是通过在微流道表面粘贴一层超亲水薄膜以实现亲水性，此方法对所粘贴的薄膜的厚度有严格的要求，且粘贴薄膜的过程中操作工艺繁杂，不利于大批量的工业化生产；另外一种方法是对微流控芯片的整体进行亲水处理，这样会导致无法更细致的控制局部区域的亲水性。
[0003]因此，有必要对现有的微流控芯片的超亲水结构进行改进。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种具有超亲水废液区结构的微流控芯片。通过在废液区的微结构上设置超亲水涂层，实现对芯片的废液区局部区域的超亲水改性，增加自驱动流动速度的目的。
[0005]具体地，本技术采用以下技术方案：
[0006]本技术提供一种微流控芯片，包括废液区，所述废液区具有流道边框，所述流道边框内设置有多个微柱结构，所述微柱结构表面设置有SiO2/TiO2亲水涂层。
[0007]所述SiO2/TiO2亲水涂层中TiO2表面丰富的自由基，容易吸附和解离水分子，形成亲水表面羟基，实现废液区的超亲水改性。
[0008]根据本技术的提供的一些实施方式，所述SiO2/TiO2亲水涂层的亲水角度为2～10
°
。
[0009]根据本技术的提供的一些实施方式，所述SiO2/TiO2亲水涂层中SiO2和TiO2的质量比为SiO2:TiO2＝(0.05～0.25):1。
[0010]在一些实施方式中，所述SiO2/TiO2亲水涂层中SiO2和TiO2的质量比为SiO2:TiO2＝0.05:1、SiO2:TiO2＝0.08:1、SiO2:TiO2＝0.1:1、SiO2:TiO2＝0.15:1、SiO2:TiO2＝0.2:1、SiO2:TiO2＝0.25:1，等等。
[0011]根据本技术的提供的一些实施方式，所述废液区入口处设有多条带缺口的凸条，相邻的凸条间缺口交错分布。
[0012]在一些实施方式中，所述凸条数量为三条。
[0013]在一些实施方式中，所述凸条上缺口的宽度为100～400μm。
[0014]根据本技术的提供的一些实施方式，所述微柱结构的直径为100～300μm。
[0015]根据本技术的提供的一些实施方式，相邻所述微柱结构的间距为150～500μm。
[0016]根据本技术的提供的一些实施方式，所述微柱结构与流道边框间设置有多个
长条形凸起结构。
[0017]在一些实施方式中，所述长条形凸起结构的长度为300～1000μm。
[0018]在一些实施方式中，相邻所述长条形凸起结构的间距为100～200μm。
[0019]根据本技术的提供的一些实施方式，所述微流控芯片还包括依次连接的加样区、反应区和检测区，所述废液区与所述检测区连接，并分别在所述检测区的两侧。
[0020]根据本技术的提供的一些实施方式，所述微流控芯片分为底板和盖板，所述加样区、反应区、检测区和废液区设置在所述底板上，所述盖板与所述底板封合形成密闭微流道。
[0021]在一些实施方式中，所述盖板在加样区对应位置设置有加样孔。
[0022]在一些实施方式中，所述盖板在废液区对应位置设置有排气孔。
[0023]根据本技术的提供的一些实施方式，所述微流控芯片选用预先经过表面处理且亲水角度为50～70
°
的芯片材料。
[0024]本技术具有以下技术效果：
[0025](1)本技术提供的微流控芯片中，通过在微柱结构表面设置SiO2/TiO2亲水涂层，使得微流控芯片具备超亲水的废液区结构，实现微流控芯片分段控制表面亲水性。
[0026](2)本技术提供的微流控芯片中，在微柱结构与流道边框间设置有多个长条形凸起结构，在液体流入废液区后，液体在微柱结构区域流动，产生的气泡从长条形凸起结构与流道边框的间隙处排出。
[0027](3)本技术提供的微流控芯片中，在废液区入口处设有多条带缺口的凸条，相邻的凸条间缺口交错分布。凸条的设置一方面可以用于控制液体流入废液区内，另一方面，可以防止制作涂层时超亲水表面改性试剂溢出废液区。
附图说明
[0028]图1显示了本技术实施例的废液区的结构示意图；
[0029]图2显示了本技术实施例的微流控芯片的结构示意图。
[0030]其中：1
‑
废液区，11
‑
流道边框，12
‑
微柱结构，13
‑
SiO2/TiO2亲水涂层，14
‑
长条形凸起结构，15
‑
凸条，16
‑
排气孔，2
‑
加样区，21
‑
加样孔，3
‑
反应区，4
‑
检测区，100
‑
底板，200
‑
盖板。
具体实施方式
[0031]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0034]如图1和图2所示，本实施例提供的一种微流控芯片，包括废液区1，所述废液区1具有流道边框11，所述流道边框11内设置有多个微柱结构12，所述微柱结构12表面设置有SiO2/TiO2亲水涂层13。
[0035]通过在微柱结构12表面设置SiO2/TiO2亲水涂层13，使得微流控芯片具备超亲水的废液区1结构。其中，超亲水能力主要是因为涂层中TiO2表面丰富的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微流控芯片，包括废液区，其特征在于，所述废液区具有流道边框，所述流道边框内设置有多个微柱结构，所述微柱结构表面设置有SiO2/TiO2亲水涂层；所述废液区入口处设有多条带缺口的凸条，相邻的凸条间缺口交错分布；所述微柱结构与流道边框间设置有多个长条形凸起结构。2.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述SiO2/TiO2亲水涂层的亲水角度为2～10
°
。3.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述凸条数量为三条，所述凸条上缺口的宽度为100～400μm。4.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述微柱结构的直径为100～300μm，相邻所述微柱结构的间距为150～500μm。5.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述长条形...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧贤凤，程四兴，张意如，刘仁源，
申请(专利权)人：东莞东阳光医疗智能器件研发有限公司，
类型：新型
国别省市：