水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，包括主喷射管，主喷射管的外侧安装有压力表，主喷射管的进水端连接有脉冲阻尼器，脉冲阻尼器的进水端连接有分流端口，分流端口的进水端连接有进水软管，主喷射管的外侧套接有固定环，固定环的外侧连接有连接杆，连接杆的一端转动连接有喷头夹盘，喷头夹盘的内侧开设有卡接槽，卡接槽的内侧嵌入有喷头，通过将限位螺帽拧松，在连接杆的外侧快速的转动喷头夹盘，将需要使用的喷头拧紧到螺纹连接槽的内侧，从而完成替换，替换过程简单方便，从而可以使不同的待蚀刻物使用合适规格的喷头进行水射辅助，不仅提高了工作效率，更加提升了激光蚀刻的成功率。了激光蚀刻的成功率。了激光蚀刻的成功率。

【技术实现步骤摘要】
水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置


[0001]本技术涉及水射辅助
，具体为水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置。

技术介绍

[0002]随着材料工程学的发展，难加工材料逐渐成为机械加工领域的重点研究对象，这些领域有的需要在材料表面刻圆槽，有的需要在其表面蚀圆孔，但是由于这些材料的高硬脆性，一般采用激光刻蚀，激光刻蚀技术作为激光加工技术中常用的一种，它使得激光刻蚀难加工材料变成了现实，在激光刻蚀时会采用水射辅助以确保加工的成功率；
[0003]但是现有的水射辅助装置难以快速的对喷射的水流的喷头进行更换，导致在进行不同材料进行刻蚀时难以起到较好的辅助喷射效果，从而降低了刻蚀的成功率，为避免上述技术问题，确有必要提供水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置以克服现有技术中的所述缺陷。

技术实现思路

[0004]本技术提供水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，可以有效解决上述
技术介绍
中提出的现有的水射辅助装置难以快速的对喷射的水流的喷头进行更换，导致在进行不同材料进行刻蚀时难以起到较好的辅助喷射效果，从而降低了刻蚀的成功率的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，包括主喷射管，所述主喷射管的外侧安装有压力表，所述主喷射管的进水端连接有脉冲阻尼器，所述脉冲阻尼器的顶端安装有脉冲压力表，所述脉冲阻尼器的进水端连接有分流端口，所述分流端口的一端安装有柱塞泵，所述分流端口的进水端连接有进水软管；
[0006]所述主喷射管的外侧套接有固定环，所述固定环的外侧连接有连接杆，所述连接杆的一端转动连接有喷头夹盘，所述喷头夹盘的内侧开设有卡接槽，所述卡接槽的内侧嵌入有喷头，所述喷头的外侧套接有限位环，所述喷头的一端外侧套接有限位螺帽。
[0007]优选的，所述卡接槽开设有若干个，若干个卡接槽等角度开设在喷头夹盘的内侧，所述限位环的外径是卡接槽内径的1.5倍。
[0008]优选的，所述喷头夹盘的内侧中部与连接杆对应位置处开设有活动孔，所述喷头夹盘通过活动孔与连接杆转动连接。
[0009]优选的，所述喷头的外侧开设有螺纹，所述喷头通过螺纹与螺纹连接槽相连接，所述进水软管与外部水源相连接，所述柱塞泵的输入端与外部电源的输出端电性连接。
[0010]优选的，所述主喷射管的外侧套接有安装环，所述安装环的外侧焊接有弧形杆，所述弧形杆的内侧开设有滑动槽，所述弧形杆的一侧设置有支撑板，所述支撑板的一侧端面与滑动槽对应位置处安装有夹紧螺杆，所述夹紧螺杆的外侧螺纹连接有夹紧螺帽，所述支撑板的底端焊接有支撑底座。
[0011]优选的，所述安装环设置有两个，两个安装环等距安装在主喷射管的外侧。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果：本技术结构科学合理，使用安全方便：
[0013]1、设置有螺纹连接槽、固定环、连接杆、喷头夹盘、卡接槽、喷头、限位环和限位螺帽，通过将限位螺帽拧松，在连接杆的外侧快速的转动喷头夹盘，将需要使用的喷头拧紧到螺纹连接槽的内侧，从而完成替换，替换过程简单方便，从而可以使不同的待蚀刻物使用合适规格的喷头进行水射辅助，不仅提高了工作效率，更加提升了激光蚀刻的成功率。
[0014]2、设置有安装环、弧形杆、滑动槽、支撑板、夹紧螺杆、夹紧螺帽和支撑底座，通过夹紧螺杆和支撑板在滑动槽的内侧滑动到不同的角度，在调整到适合的角度后及时拧紧夹紧螺帽，从而将主喷射管的角度进行固定，以方便从不同角度对待蚀刻板进行喷射辅助，进而可以使喷射效果达到最佳状态，提高蚀刻物的品质。
[0015]3、设置有主喷射管、压力表、脉冲阻尼器、脉冲压力表、分流端口、柱塞泵和进水软管，通过柱塞泵将水输送到脉冲阻尼器的内部进行稳压，从而进行水流喷射，在需要不同的压力和水流速度时，可以通过控制柱塞泵来进行快速改变，并且可以通过压力表实时观测水流状态，从而使水流可以以最合适的状态进行喷射辅助。
附图说明
[0016]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。
[0017]在附图中：
[0018]图1是本技术的结构示意图；
[0019]图2是本技术螺纹连接槽的开设示意图；
[0020]图3是本技术喷头夹盘的安装结构示意图；
[0021]图4是本技术弧形杆的安装结构示意图；
[0022]图中标号：1、主喷射管；2、压力表；3、脉冲阻尼器；4、脉冲压力表；5、分流端口；6、柱塞泵；7、进水软管；8、螺纹连接槽；9、固定环；10、连接杆；11、喷头夹盘；12、卡接槽；13、喷头；14、限位环；15、限位螺帽；16、安装环；17、弧形杆；18、滑动槽；19、支撑板；20、夹紧螺杆；21、夹紧螺帽；22、支撑底座。
具体实施方式
[0023]以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。
[0024]实施例：如图1
‑
4所示，本技术提供一种技术方案，水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，包括主喷射管1，主喷射管1的外侧安装有压力表2，主喷射管1的进水端连接有脉冲阻尼器3，脉冲阻尼器3的顶端安装有脉冲压力表4，脉冲阻尼器3的进水端连接有分流端口5，分流端口5的一端安装有柱塞泵6，分流端口5的进水端连接有进水软管7；
[0025]主喷射管1的外侧套接有固定环9，固定环9的外侧连接有连接杆10，连接杆10的一端转动连接有喷头夹盘11，喷头夹盘11的内侧中部与连接杆10对应位置处开设有活动孔，喷头夹盘11通过活动孔与连接杆10转动连接，有利于快速调整不同规格喷头13，喷头夹盘11的内侧开设有卡接槽12，卡接槽12的内侧嵌入有喷头13，喷头13的外侧套接有限位环14，
卡接槽12开设有若干个，若干个卡接槽12等角度开设在喷头夹盘11的内侧，限位环14的外径是卡接槽12内径的1.5倍，方便卡接喷头13，喷头13的一端外侧套接有限位螺帽15，喷头13的外侧开设有螺纹，喷头13通过螺纹与螺纹连接槽8相连接，进水软管7与外部水源相连接，柱塞泵6的输入端与外部电源的输出端电性连接。
[0026]主喷射管1的外侧套接有安装环16，安装环16的外侧焊接有弧形杆17，弧形杆17的内侧开设有滑动槽18，弧形杆17的一侧设置有支撑板19，支撑板19的一侧端面与滑动槽18对应位置处安装有夹紧螺杆20，夹紧螺杆20的外侧螺纹连接有夹紧螺帽21，支撑板19的底端焊接有支撑底座22，安装环16设置有两个，两个安装环16等距安装在主喷射管1的外侧，方便更换喷射角度。
[0027]本技术的工作原理及使用流程：首先，操作人员先将水射装置通过支撑底座22安装到激光刻蚀机上，然后通过柱塞泵6将进水软管7将外部水源输送到分流端口5，紧接着再通过分流端口5将水输送到脉冲阻尼本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，包括主喷射管（1），其特征在于：所述主喷射管（1）的外侧安装有压力表（2），所述主喷射管（1）的进水端连接有脉冲阻尼器（3），所述脉冲阻尼器（3）的顶端安装有脉冲压力表（4），所述脉冲阻尼器（3）的进水端连接有分流端口（5），所述分流端口（5）的一端安装有柱塞泵（6），所述分流端口（5）的进水端连接有进水软管（7）；所述主喷射管（1）的外侧套接有固定环（9），所述固定环（9）的外侧连接有连接杆（10），所述连接杆（10）的一端转动连接有喷头夹盘（11），所述喷头夹盘（11）的内侧开设有卡接槽（12），所述卡接槽（12）的内侧嵌入有喷头（13），所述喷头（13）的外侧套接有限位环（14），所述喷头（13）的一端外侧套接有限位螺帽（15）。2.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，其特征在于：所述卡接槽（12）开设有若干个，若干个卡接槽（12）等角度开设在喷头夹盘（11）的内侧，所述限位环（14）的外径是卡接槽（12）内径的1.5倍。3.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：张赛博，赵俊淞，李小海，
申请(专利权)人：佳木斯大学，
类型：新型
国别省市：