一种交替式纯水高压喷雾清洗系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种交替式纯水高压喷雾清洗系统，包括旋转台，旋转台用于装载被清洗的晶圆，旋转台上方布置有高压喷嘴、中压喷嘴、低压喷嘴，三个喷嘴分别通过喷嘴摆臂连接高压喷管、中高压喷管、低压喷管，三个喷管另一端连接高低压水系统，高低压水系统包括二氧化碳融入池，二氧化碳融入池的出口端通过管道分别连接中高压泵、高压泵以及低压喷管的进口，中高压泵为以伺服电机驱动的柱塞式高压泵，柱塞式高压泵出口连接中高压喷管进口，高压泵由比例阀驱动的先导式气动高压阀构成，气动高压泵出口通过高压流体蓄能器连接高压喷管进口；本实用新型专利技术可精确并稳定的控制清洗需要的冲击力，大大降低了高压冲击力对于晶圆表面以及电路造成的额外损失。造成的额外损失。造成的额外损失。

【技术实现步骤摘要】
一种交替式纯水高压喷雾清洗系统
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][0001]本技术涉及半导体晶圆制程
，具体地说是一种交替式纯水高压喷雾清洗系统。
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技术介绍
][0002]在半导体晶圆制程领域，高压纯水喷雾清洗系统是一种使用纯水对晶圆[wafer]进行自动喷射清洗的系统，通常将晶圆装载到一个旋转台上，旋转台上面的晶圆，在一个固定的喷嘴下旋转，过滤后的液体通过高压系统加压后对旋转台上的晶圆进行高压喷射，以物理的方式去污晶圆表面的沾染。
[0003]目前，业内常见的高压喷雾原理的清洗系统，实际使用效果不同程度的具有清洗后静电积累造成颗粒物增加，清洗过程压力控制不良造成晶圆中的电路损坏，以及高压系统由于维护困难造成雾化效果不稳定，停机时间较长的负面特点。在此情况下，若能针对上诉缺陷提供一种交替式纯水高压喷雾清洗系统，将具有非常重要的意义。
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技术实现思路
][0004]本技术的目的就是要解决上述的不足而提供一种交替式纯水高压喷雾清洗系统，能够精确并稳定的控制清洗需要的冲击力，大大降低了高压冲击力对于晶圆表面以及电路造成的额外损失，提升了清洗效果。
[0005]为实现上述目的设计一种交替式纯水高压喷雾清洗系统，包括旋转台1，所述旋转台1用于装载被清洗的晶圆20，并通过旋转使晶圆20产生自转，所述旋转台1上方布置有高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4，所述高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4分别装设于喷嘴摆臂一5、喷嘴摆臂二6、喷嘴摆臂三7的一端，所述喷嘴摆臂一5、喷嘴摆臂二6、喷嘴摆臂三7的另一端分别装载有高压喷管8、中高压喷管9、低压喷管10，所述高压喷管8、中高压喷管9、低压喷管10的另一端连接高低压水系统，所述高低压水系统包括二氧化碳融入池11，所述二氧化碳融入池11用于对进入的超纯水进行离子化处理，所述二氧化碳融入池11的出口端通过管道分别连接中高压泵12进口、高压泵13进口以及低压喷管10进口，所述中高压泵12为以伺服电机14驱动的柱塞式高压泵，所述柱塞式高压泵的出口通过管道连接中高压喷管9进口，所述高压泵13为气动高压泵，所述气动高压泵由比例阀15驱动的先导式气动高压阀19构成，所述气动高压泵的出口通过管道连接高压流体蓄能器16，所述高压流体蓄能器16的出口通过管道连接高压喷管8进口。
[0006]进一步地，所述高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4自下而上依次布置，且高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4由右至左错开布置，所述低压喷嘴4位于旋转台1正上方。
[0007]进一步地，所述高压喷管8为1350
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2000PSI高压喷管，所述中高压喷管9为500
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1400PSI中高压喷管，所述高压喷管8、中高压喷管9用于依次执行交替式高压喷射清洗，所述低压喷管10用于高压喷射清洗后的最终清洗。
[0008]进一步地，所述高压喷嘴2、中压喷嘴3均采用碳化钨喷嘴。
[0009]进一步地，所述柱塞式高压泵与中高压喷管9之间的管道上装设有高压过滤器一17，所述高压流体蓄能器16与高压喷管8之间的管道上装设有高压过滤器二18。
[0010]进一步地，所述高压过滤器一17采用PTFE亲水性膜式高压过滤器，所述高压过滤器二18采用低压降PTFE膜式过滤器。
[0011]本技术同现有技术相比，具有如下优点：
[0012](1)本技术通过采用导电超纯水作为高压喷雾以及高压后最终清洗的水源，由高压喷雾冲击过后的形成的静电吸附效应明显降低，从而降低了微小颗粒物在最终清洗过程中在溶液中来回移动，以及由于静电引起的额外吸附效应，从颗粒物沾染角度来看，清洗效果获得了明显的提升；
[0013](2)本技术通过分段式(500
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2000psi级别)高压喷雾系统的交替使用，利用来自不同特性的高压系统的喷雾，使高压喷雾对于晶圆表面横向及侧向冲击效果在22g
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100g范围之内冲击波动控制在10％以下，从而精确并稳定的控制清洗需要的冲击力，大大降低了高压冲击力对于晶圆表面以及电路造成的额外损失；
[0014](3)本技术通过降低高压系统的过滤精度，并以低压最终清洗补偿的方式，将高压系统的整体维护间隔控制在100小时以上，降低高压系统整体的维护频率。
[附图说明][0015]图1是本技术的结构示意图；
[0016]图中：1、旋转台 2、高压喷嘴 3、中压喷嘴 4、低压喷嘴 5、喷嘴摆臂一 6、喷嘴摆臂二 7、喷嘴摆臂三 8、高压喷管 9、中高压喷管 10、低压喷管 11、二氧化碳融入池 12、中高压泵 13、高压泵 14、伺服电机 15、比例阀 16、高压流体蓄能器 17、高压过滤器一 18、高压过滤器二 19、先导式气动高压阀 20、晶圆 21、主驱动气源 22、1um过滤器。
[具体实施方式][0017]下面结合附图对本技术作以下进一步说明：
[0018]如附图1所示，本技术提供了一种交替式纯水高压喷雾清洗系统，包括旋转台1，旋转台1用于装载被清洗的晶圆20，并通过旋转使晶圆20产生自转，旋转台1上方布置有高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4，高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4分别装设于喷嘴摆臂一5、喷嘴摆臂二6、喷嘴摆臂三7的一端，喷嘴摆臂一5、喷嘴摆臂二6、喷嘴摆臂三7的另一端分别装载有高压喷管8、中高压喷管9、低压喷管10，高压喷管8、中高压喷管9、低压喷管10的另一端连接高低压水系统，高低压水系统包括二氧化碳融入池11，二氧化碳融入池11用于对进入的超纯水进行离子化处理，二氧化碳融入池11的出口端通过管道分别连接中高压泵12进口、高压泵13进口以及低压喷管10进口，中高压泵12为以伺服电机14驱动的柱塞式高压泵，柱塞式高压泵的出口通过管道连接中高压喷管9进口，高压泵13为气动高压泵，气动高压泵由比例阀15驱动的先导式气动高压阀19构成，气动高压泵的出口通过管道连接高压流体蓄能器16，高压流体蓄能器16的出口通过管道连接高压喷管8进口。
[0019]其中，高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4自下而上依次布置，且高压喷嘴2、中压喷嘴3、低压喷嘴4由右至左错开布置，低压喷嘴4位于旋转台1正上方，高压喷嘴2、中压喷嘴3均采用碳化钨喷嘴。高压喷管8为1350
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2000PSI高压喷管，中高压喷管9为500
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1400PSI中高
压喷管，高压喷管8、中高压喷管9用于依次执行交替式高压喷射清洗，低压喷管10用于高压喷射清洗后的最终清洗。柱塞式高压泵与中高压喷管9之间的管道上装设有高压过滤器一17，高压流体蓄能器16与高压喷管8之间的管道上装设有高压过滤器二18，高压过滤器一17采用PTFE亲水性膜式高压过滤器，高压过滤器二18采用低压降PTFE膜式过滤器。
[0020]本技术所述的交替式纯水高压喷雾清洗系统，由旋转台、三组喷嘴摆臂、一套高低压水系统组成。其中，旋转台负责装载被清洗的晶圆[Wafer]，通过旋转使晶圆产生自转，从而使上方的清洗介质(低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交替式纯水高压喷雾清洗系统，其特征在于：包括旋转台(1)，所述旋转台(1)用于装载被清洗的晶圆(20)，并通过旋转使晶圆(20)产生自转，所述旋转台(1)上方布置有高压喷嘴(2)、中压喷嘴(3)、低压喷嘴(4)，所述高压喷嘴(2)、中压喷嘴(3)、低压喷嘴(4)分别装设于喷嘴摆臂一(5)、喷嘴摆臂二(6)、喷嘴摆臂三(7)的一端，所述喷嘴摆臂一(5)、喷嘴摆臂二(6)、喷嘴摆臂三(7)的另一端分别装载有高压喷管(8)、中高压喷管(9)、低压喷管(10)，所述高压喷管(8)、中高压喷管(9)、低压喷管(10)的另一端连接高低压水系统，所述高低压水系统包括二氧化碳融入池(11)，所述二氧化碳融入池(11)用于对进入的超纯水进行离子化处理，所述二氧化碳融入池(11)的出口端通过管道分别连接中高压泵(12)进口、高压泵(13)进口以及低压喷管(10)进口，所述中高压泵(12)为以伺服电机(14)驱动的柱塞式高压泵，所述柱塞式高压泵的出口通过管道连接中高压喷管(9)进口，所述高压泵(13)为气动高压泵，所述气动高压泵由比例阀(15)驱动的先导式气动高压阀(19)构成，所述气动高压泵的出口通过管道连接高压流体蓄能器(16)，所述高压流体蓄能器(16)的出口通过管道连接高压喷管(8)进口。2.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：何玉森，王佳伟，丁剑，
申请(专利权)人：苏州冠博控制科技有限公司，
类型：新型
国别省市：