一种电抗器用器身磁屏蔽组件及电抗器制造技术

本发明专利技术属于电抗器技术领域，具体涉及一种电抗器用器身磁屏蔽组件及电抗器。所述器身磁屏蔽组件为沿铁心柱径向叠积的硅钢片组，所述硅钢片组沿叠厚方向依次包括长片区域、过渡区域、变级区域、短片区域、变级区域、过渡区域和长片区域，所述变级区域由片长不等的若干变级硅钢片叠成；通过不等长的变级硅钢片叠积在靠近铁心柱一侧变级区域呈圆弧面，相邻的两个变级硅钢片之间的长度差在0.1mm以下。本发明专利技术提供的技术方案与现有技术相比具有如下优势：磁屏蔽组件靠近铁心柱的一面为无尖棱尖角的圆整化面，改善电场和磁场，可靠性更好；通过设置短夹件增强了硅钢片的固定强度，器身磁屏蔽收拢磁通的面积增大，所以屏蔽和均磁效果更好。所以屏蔽和均磁效果更好。所以屏蔽和均磁效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种电抗器用器身磁屏蔽组件及电抗器


[0001]本专利技术属于电抗器
，具体涉及一种电抗器用器身磁屏蔽组件及电抗器。

技术介绍

[0002]在铁心电抗器中，一般都会设置有磁屏蔽组件，以为漏磁通提供低磁阻的导磁回路，降低漏磁造成局部过热的可能性，提高了产品可靠性，同时降低损耗。在现有技术中，横轴与纵轴均为器身中心线，器身磁屏蔽组件是由硅钢片叠积成的，在位于两端的最长硅钢片的内外两边边缘处叠入无磁钢板制成的夹件，通过固定板将其固定。为了避让铁心中的铁心柱所在的位置，硅钢片长度分成数级，并以此叠积，叠积完成后呈面向铁心柱的阶梯状，通常将片场的最长级叫做第一长度级，片长的最短级叫做第二长度级，除第一长度级以及第二长度级外，其它级的顶点分布于直径略大于铁心柱直径的圆周，即阶梯顶点外接此圆。
[0003]现有技术的设置方式就会存在很多不足之处：一是由于数种长度的硅钢片在近铁心柱的内边缘叠积成台阶，致使器身磁屏蔽接收漏磁通的面积有所损失，其磁屏蔽效率不高；二是由于只有片长最长的硅钢片对应的阶梯长度适合设置无磁钢板夹件并借此圆整化，片长最短的硅钢片自身叠积形成圆整化，其它片长的硅钢片侧面阶梯内边缘直接裸露而没能圆整化，于是在此电荷和磁力线都比较集中，绝缘效果不佳，电磁噪声难控制。

技术实现思路

[0004]本专利技术克服了现有技术中硅钢片叠积不能实现圆整化从而导致磁屏蔽效果不好且绝缘效果不佳的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：所述器身磁屏蔽组件为沿铁心柱径向叠积的硅钢片组，所述硅钢片组沿叠厚方向依次包括长片区域、过渡区域、变级区域、短片区域、变级区域、过渡区域和长片区域，所述长片区域由片长等长的若干第一硅钢片叠成，所述过渡区域由若干等长的第二硅钢片叠成，所述短片区域由片长等长的若干第三硅钢片叠成，所述第一硅钢片的长度大于所述第二硅钢片的长度，所述第二硅钢片的长度大于所述第三硅钢片的长度；所述变级区域由片长不等的若干变级硅钢片叠成；通过不等长的变级硅钢片叠积在靠近铁心柱一侧变级区域呈圆弧面，相邻的两个变级硅钢片之间的长度差在0.1mm以下。
[0006]可选地，还包括设置在过渡区域内，与夹件配合固定硅钢片的短夹件，所述短夹件与过渡区域硅钢片相接一端内凹，与第二硅钢片外形相配合,所述短夹件另一端为一圆弧。
[0007]与现有技术中的夹件不同，短夹件的凹形面骑在第二硅钢片端部，将被骑着的硅钢片短路，而所有硅钢片已经焊于无磁钢板固定件，所以被骑着的硅钢片消除短路环，降低了损耗。另外，由于磁屏蔽与铁心柱存在电磁吸引力，该力是周期性变化的，现有技术中阶梯处无夹件，一旦硅钢片没浸透粘牢或者振动使之开胶，内边缘的硅钢片向铁心柱摆动，发出噪声，甚至折断，形成悬浮电位或造成绝缘击穿，造成事故，而本专利技术通过设置过渡区，可
更好的固定变级区域的硅钢片。
[0008]可选地，位于长片区域两侧的所述短夹件与所述夹件通过至少一条绑扎带进行固定。
[0009]可选地，所述过渡区域的叠厚H2通过如下步骤获得：
[0010]S1:通过公式1.1，计算短夹件与变级区域之间的距离F：
[0011][0012]其中，R为铁心柱半径，Q为器身磁屏蔽组件与铁心柱之间的最短距离，W为变级区域的圆弧面与铁心柱表面之间的距离，L为在器身磁屏蔽组件长度方向上第一硅钢片距离中心线的距离，E为长片区域与所述过渡区域之间的高度差,本步骤中E通过公式(1.2)获得；
[0013]E＝M+G+P
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(1.2)，
[0014]其中，E为长片区域与所述过渡区域之间的高度差，M为短夹件圆弧端的圆弧半径，G为绑扎带的宽度，P为定值，取值5
‑
10mm；
[0015]S2:若S1中计算F≥0，则只需设置一条绑带，然后通过公式1.3获得过渡区域的叠厚H2：
[0016]H2＝F+δ
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(1.3)；
[0017]其中，δ为短夹件的厚度；
[0018]S3:若S1中计算F＜0，则需设置n条绑带，重新通过公式1.4计算E值：
[0019]E＝M+nG+(n
‑
1)T+P
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(1.4)
[0020]其中T为两道相邻绑扎之间的间隙，n≥2为绑带条数；
[0021]然后再通过公式1.1计算F，进一步通过公式1.3获得过渡区域的叠厚H2。
[0022]可选地，所述Q值为17mm，所述W值为20mm，所述L值为5mm；当容量较小时P取较小值，M＝B，G＝50mm；其中B为硅钢片宽度，当容量较大时P取较大值，M＝0.7B，G＝40mm或50mm。
[0023]可选地，所述短夹件下凹端与第二硅钢片之间通过诺麦克纸绝缘。
[0024]可选地，根据设计需求，给定以下参数：铁心柱直径D、硅钢片叠厚A、硅钢片宽度B和夹件厚度δ；
[0025]所述长片区域的叠厚H1通过公式2.1计算获得：
[0026]H1＝A
‑
(D+2Q+2δ)/2
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(2.1)
[0027]其中，Q为器身磁屏蔽组件与铁心柱之间的最短距离；
[0028]所述短片区域的叠厚C通过公式2.2获得：
[0029][0030]其中，R为铁心柱的半径，即D/2，W为变级区域的圆弧面与铁心柱表面之间的距离。
[0031]可选地，所述硅钢片组中的所有硅钢片及所述夹件在模具中叠积并通过环氧树脂粘结固定。
[0032]本专利技术还提供了一种电抗器，所述电抗器包括上述电抗器用器身磁屏蔽组件。
[0033]本专利技术提供的技术方案与现有技术相比具有如下优势：磁屏蔽组件靠近铁心柱的
一面为无尖棱尖角的圆整化面，改善电场和磁场，可靠性更好；在保持其它几何尺寸不变的前提下使器身磁屏蔽收拢磁通的面积增大，所以屏蔽和均磁效果更好。
附图说明
[0034]图1是本专利技术所述电抗器用器身磁屏蔽组件一具体实施方式的结构示意图；
[0035]图2是本专利技术所述短夹件一具体实施方式的主视图；
[0036]图3是图2的右视图。
[0037]图中所示：
[0038]1‑
铁心柱、2
‑
夹件、3
‑
固定板、4
‑
硅钢片组、41
‑
长片区域、42
‑
过渡区域、43
‑
变级区域、44
‑
短片区域、5
‑
短夹件、6
‑
绑扎带。
具体实施方式
[0039]为了便于理解，下面结合实施例阐述所述电抗器用器身磁屏蔽组件，应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。
[0040]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电抗器用器身磁屏蔽组件，所述电抗器包括：铁心柱、对称设置在铁心柱两侧的器身磁屏蔽组件、设置在所述器身磁屏蔽组件两端的夹件以及用于固定所述夹件的固定板；其特征在于，所述器身磁屏蔽组件为沿铁心柱径向叠积的硅钢片组，所述硅钢片组沿叠厚方向依次包括长片区域、过渡区域、变级区域、短片区域、变级区域、过渡区域和长片区域，所述长片区域由片长等长的若干第一硅钢片叠成，所述过渡区域由若干等长的第二硅钢片叠成，所述短片区域由片长等长的若干第三硅钢片叠成，所述第一硅钢片的长度大于所述第二硅钢片的长度，所述第二硅钢片的长度大于所述第三硅钢片的长度；所述变级区域由若干变级硅钢片叠成，所述变级硅钢片的长度从第二硅钢片长度向第三硅钢片长度逐片递增，所述变级区域在靠近铁心柱一侧呈圆弧面，相邻的两个变级硅钢片之间的长度差在0.1mm以下。2.根据权利要求1所述的一种电抗器用器身磁屏蔽组件，其特征在于：还包括短夹件，所述短夹件设置在过渡区域内，与夹件配合固定硅钢片，所述短夹件与过渡区域硅钢片相接一端内凹，与第二硅钢片外形相配合，所述短夹件另一端为一圆弧。3.根据权利要求2所述的一种电抗器用器身磁屏蔽组件，其特征在于：位于长片区域两侧的所述短夹件与所述夹件通过至少一条绑扎带进行固定。4.根据权利要求3所述的一种电抗器用器身磁屏蔽组件，其特征在于：所述过渡区域的叠厚H2通过如下步骤获得：S1:通过公式1.1，计算短夹件与变级区域之间的距离F：其中，R为铁心柱半径，Q为器身磁屏蔽组件与铁心柱之间的最短距离，W为变级区域的圆弧面与铁心柱表面之间的距离，L为在器身磁屏蔽组件长度方向上第一硅钢片距离中心线的距离，E为长片区域与所述过渡区域之间的高度差,本步骤中E通过公式(1.2)获得；E＝M+G+P
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(1.2)，其中，E为长片区域与所述过渡区域之间的高度差，M为短夹件圆弧端的圆弧半径，G为绑扎带的宽度，P为定值，取值5<...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹云长，禹东泽，
申请(专利权)人：吴江变压器有限公司，
类型：发明
国别省市：