蚀刻液组合物及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻液组合物及显示面板。蚀刻液组合物包括氧化剂、膜层损伤防止剂以及蚀刻调整剂，其中，氧化剂的重量分数为8％～25％，且氧化剂包括硫酸和硝酸。本发明专利技术提供的蚀刻液组合物中采用硫酸和硝酸作为氧化剂，在提高蚀刻液组合物的蚀刻性能的同时，还可以降低蚀刻液对被蚀刻物的损伤，以提高蚀刻良率。率。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组合物及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示制程
，尤其涉及一种蚀刻液组合物及采用该蚀刻液组合物制得的显示面板。

技术介绍

[0002]液晶显示装置(liquid crystal display device,LCD device)具有根据出色的分辨率提供清晰影像、低耗电、使显示屏面板薄化的特性，在平板显示装置中最受关注。作为驱动这种液晶显示装置的电子回路，最具代表性的是薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)电路，由典型的薄膜晶体管液晶显示(TFT
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LCD)器件构成了显示画面的像素(pixel)。在TFT
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LCD器件中，作为开关器件作用的TFT是在以矩阵形态排列的TFT用基板和与其基板相对的彩色过滤膜基板之间填充液晶而制作成的。TFT
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LCD整体制造工艺大致分为TFT基板制造工艺、彩色过滤膜工艺、cell工艺和模组工艺，为了显示精准而清晰的影像，TFT基板和彩色过滤膜制造工艺尤其重要。
[0003]TFT
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LCD装置的像素显示电极制造需要具有透明光学特性，并且导电性强的物质薄膜，目前以氧化铟(Indium Oxide)为基础的氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)和氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)作为透明导电膜的材料而使用。要想在像素显示的电极上体现出所希望的电路线路，就需要按照电路纹路将薄膜层蚀刻(Etching)的过程。
[0004]目前，常用王水(aqua regia,HCl+CH3COOH+HNO3)、盐酸二价铁(III)的盐酸溶液(FeCl3/HCl)、磷酸(H3PO4)或氢溴酸(HBr)作为透明导电膜的湿式蚀刻液，若使用王水系蚀刻液或盐酸二价铁的盐酸溶液来蚀刻ITO膜，虽然价格低廉，但线路的侧面更容易被蚀刻，会导致形貌不良，且作为主要成分的盐酸或硝酸易挥发，随着时间的流逝，蚀刻液组成物的变化幅度较大。另外，磷酸具有铝腐蚀和高粘性、高单价的问题；氢溴酸具有高单价和剧毒性的问题。也有利用蓚酸(Oxalic Acid)蚀刻非晶体ITO(amorphous Indium Tin Oxide)的情况，但这种情况下，ITO膜周围容易发生残留，而且在低温时蓚酸的溶解度较低，会有析出物掉出，可能会导致蚀刻设备出现故障。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种蚀刻液组合物及显示面板，能够提高蚀刻液组合物的蚀刻良率。
[0006]本专利技术实施例提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包括氧化剂、膜层损伤防止剂以及蚀刻调整剂，其中，所述氧化剂的重量分数为8％～25％，且所述氧化剂包括硫酸和硝酸。
[0007]在本专利技术的一种实施例中，所述硫酸为主氧化剂，且所述硫酸的重量分数为5％～15％，所述硝酸为辅助氧化剂，且所述硝酸的重量分数为3％～10％。
[0008]在本专利技术的一种实施例中，所述膜层损伤防止剂包括环状胺类化合物，且所述膜层损伤防止剂的重量分数为0.01％～1％。
[0009]在本专利技术的一种实施例中，所述膜层损伤防止剂包括取代或未取代的吡咯、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的三唑、取代或未取代的四唑、取代或未取代的五唑、取代或未取代的噁唑、取代或未取代的异唑、取代或未取代的噻唑以及取代或未取代的异噻唑中的至少一者。
[0010]在本专利技术的一种实施例中，所述膜层损伤防止剂为甲基苯并三氮唑钠。
[0011]在本专利技术的一种实施例中，所述蚀刻调整剂包括含有铵离子的化合物，且所述蚀刻调整剂的重量分数为0.1％～5％。
[0012]在本专利技术的一种实施例中，所述蚀刻调整剂包括硝酸铵、乙酸铵、柠檬酸铵、硫酸铵、磷酸铵以及氯化铵中的至少一者。
[0013]在本专利技术的一种实施例中，所述蚀刻液组合物还包括去离子水。
[0014]根据本专利技术的上述目的，提供一种显示面板，所述显示面板包括图案化金属层，且所述图案化金属层采用所述蚀刻液组合物制得。
[0015]在本专利技术的一种实施例中，所述图案化金属层的材料包括氧化铟类化合物。
[0016]本专利技术的有益效果：本专利技术提供的蚀刻液组合物中采用硫酸和硝酸作为氧化剂，在提高蚀刻液组合物的蚀刻性能的同时，还可以降低蚀刻液对被蚀刻物的损伤，以提高蚀刻良率。
附图说明
[0017]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0018]图1为本专利技术实施例提供的蚀刻液组合物的一种蚀刻结果形貌图；
[0019]图2为本专利技术实施例提供的蚀刻液组合物的另一种蚀刻结果形貌图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0022]本专利技术实施例提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包括氧化剂、膜层损伤防止剂以及蚀刻调整剂，其中，氧化剂的重量分数为8％～25％，且氧化剂包括硫酸和硝酸。
[0023]在实施应用过程中，本专利技术实施例提供的蚀刻液组合物中采用硫酸和硝酸作为氧化剂，在提高蚀刻液组合物的蚀刻性能的同时，还可以降低蚀刻液对被蚀刻物的损伤，以提高蚀刻良率。
[0024]具体地，本专利技术实施例提供的蚀刻液组合物包括氧化剂、膜层损伤防止剂以及蚀刻调整剂，其中，氧化剂的重量分数为8％～25％，膜层损伤防止剂的重量分数为0.01％～1％，蚀刻调整剂的重量分数为0.1％～5％。
[0025]需要说明的是，本专利技术实施例提供的蚀刻液组合物还包括去离子水，且去离子水的重量分数根据氧化剂、膜层损伤防止剂以及蚀刻调整剂的重量分数进行调整，以使得氧化剂、膜层损伤防止剂、蚀刻调整剂以及去离子水的总重量分数为100％。
[0026]进一步地，在本专利技术实施例中，氧化剂包括主氧化剂以及辅助氧化剂，其中，主氧化剂为硫酸，而辅助氧化剂为硝酸。
[0027]优选的，硫酸的纯度可为半导体工艺用的纯度。
[0028]硫酸作为主氧化剂，可以起到蚀刻导电薄膜的作用，而硝酸作为辅助氧化剂，具有优秀的蚀刻性能，可减少对如光刻胶等光反应物质的冲击，避免残留物的发生。同时，在相关技术中，采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物包括氧化剂、膜层损伤防止剂以及蚀刻调整剂，其中，所述氧化剂的重量分数为8％～25％，且所述氧化剂包括硫酸和硝酸。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述硫酸为主氧化剂，且所述硫酸的重量分数为5％～15％，所述硝酸为辅助氧化剂，且所述硝酸的重量分数为3％～10％。3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述膜层损伤防止剂包括环状胺类化合物，且所述膜层损伤防止剂的重量分数为0.01％～1％。4.根据权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述膜层损伤防止剂包括取代或未取代的吡咯、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的三唑、取代或未取代的四唑、取代或未取代的五唑、取代或未取代的噁唑、取代或未取代的异唑、取代或未取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩庆，康明伦，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：