一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用，复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成，类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒由CsPbBr3一次颗粒堆叠而成，复合薄膜还包括苯并噻吩；制备方法包括如下步骤：（1）气相法制备由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜；（2）将苯并噻吩溶解在有机溶剂中；（3）在CsPbBr3基体薄膜上旋涂苯并噻吩有机溶液，得到类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜。本发明专利技术采用化学气相沉积法制备CsPbBr3，避免了溶液法的溶剂对CsPbBr3结晶的负面影响，通过优化生长、控制沉积温度对于CsPbBr3微结构调控和与有机半导体C8BTBT构建异质结来提升CsPbBr3光电子器件性能和稳定性。光电子器件性能和稳定性。光电子器件性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于光电探测
，尤其涉及一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]过去十几年中，钙钛矿材料因具有优异的光电性能，在光伏器件中极具应用潜力，而引起了科研人员广泛的关注。钙钛矿材料主要有有机
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无机杂化钙钛矿和全无机钙钛矿，有机
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无机杂化钙钛矿中的有机阳离子团簇结构较为脆弱，对环境(湿度、温度、氧气等)稳定性差的问题一直制约着其在光电器件领域的进一步发展。
[0003]全无机钙钛矿CsPbBr3是一种新型的卤化物钙钛矿半导体，与有机
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无机杂化体系相比，CsPbBr3具有更优的稳定性，在实际应用方面更具潜力。然而，大部分钙钛矿都是通过溶液法制备的，溶剂对钙钛矿的结晶存在负面影响，且钙钛矿薄膜材料的结晶稳定性也还需要进一步的提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是溶液法制备钙钛矿会对结晶造成负面影响以及钙钛矿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成，所述类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒由CsPbBr3一次颗粒堆叠而成，所述复合薄膜还包括苯并噻吩，所述苯并噻吩填充在堆叠的CsPbBr3二次颗粒的孔隙及交界处。2.如权利要求1所述的类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜，其特征在于，所述CsPbBr3与苯并噻吩呈II型能带排列。3.如权利要求1所述的类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜，其特征在于，所述CsPbBr3表面经钝化转变为不活泼态。4.一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)气相法制备由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜；(2)将苯并噻吩溶解在有机溶剂中，得到苯并噻吩有机溶液；(3)在CsPbBr3基体薄膜上旋涂苯并噻吩有机溶液，苯并噻吩通过旋涂填充在CsPbBr3二次颗粒的孔洞及交界处，得到类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜。5.如权利要求4所述的类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述气相法制备由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜包括为：将质量比为1:1
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2:1的CsBr和PbBr2置于管式炉的加热区域，真空惰性气氛下，加热到580℃
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650℃，保持50
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70分钟，150
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230℃下冷却沉积，得到CsPbBr3基体薄膜。6.如权利要求5所述的类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述冷却沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：代国章，李行，刘标，阳军亮，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：