基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置制造方法及图纸

提供一种基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置，在利用来自被检查基板的散射光的暗视场检查中，能够适当设定确定检测灵敏度的阈值而实现可靠性高的相位缺陷检查。一种基板的缺陷检查方法，具有：在第一聚光光学系统中向被检查基板照射来自EUV光源的EUV光的工序；在第二聚光光学系统中向传感器的受光面引导从被检查基板反射的反射光中的除去正反射光的散射光的工序；当接受的散射光的强度超过规定的阈值时，判断为在被检查基板的EUV光的照射处存在缺陷的工序，该方法具有：反射率获取工序，在向被检查基板照射EUV光之前预先获得被检查基板的EUV光的反射率；阈值运算工序，基于在该反射率获取工序中获得的反射率确定规定的阈值。射率获取工序中获得的反射率确定规定的阈值。射率获取工序中获得的反射率确定规定的阈值。

【技术实现步骤摘要】
基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置


[0001]本专利技术涉及一种用于制造反射型掩膜的掩膜坯料那样的基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置，该反射型掩膜例如用于半导体器件制造等，尤其涉及一种将波长为10～20nm左右的极紫外(Extreme Ultraviolet：以下称为“EUV”)光作为检查光的基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置。

技术介绍

[0002]在半导体器件(半导体装置)的制造工序中，重复使用一种光刻技术，该光刻技术向转印用掩膜照射曝光光束，将形成于掩膜的电路图案经由缩小投影光学系统转印到半导体基板(半导体晶圆)上。以往，曝光光束的波长以使用了氟化氩(ArF)准分子激光的193nm为主流，通过采用多次组合曝光工艺、加工工艺的多图案化这样的工艺，从而最终形成尺寸比曝光波长小的图案。
[0003]但是，由于需要形成与持续的器件图案的微细化相比更进一步的微细图案，因此正在开发一种使用波长比ArF准分子激光更短的EUV光作为曝光光束的EUV光刻技术。所谓的EUV光更具体而言是波长为13.5nm附近的光。由于该EUV光相对于物质的透射性极低，不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板的缺陷检查方法，具备：使用第一聚光光学系统向被检查基板照射从EUV光源发出的EUV光的工序；使用第二聚光光学系统向传感器的受光面引导从照射有所述EUV光的所述被检查基板反射的反射光中的除去正反射光的散射光的工序；以及当在所述传感器的受光面接受的所述散射光的强度超过规定的阈值时，判断为在所述被检查基板的所述EUV光的照射处存在缺陷的工序，其特征在于，在向所述被检查基板照射所述EUV光之前，预先具有：反射率获取工序，获得所述被检查基板的EUV光的反射率；以及阈值运算工序，基于在该反射率获取工序中获得的所述反射率确定所述规定的阈值。2.根据权利要求1所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，在所述反射率获取工序中，使所述第一聚光光学系统或者所述第二聚光光学系统的结构变化，使用所述第一聚光光学系统向所述被检查基板照射从所述EUV光源发出的所述EUV光，使用所述第二聚光光学系统向所述传感器的所述受光面引导来自照射有该EUV光的所述被检查基板的正反射光，基于在该受光面上的受光强度来获得所述反射率。3.根据权利要求2所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，当使所述第一聚光光学系统的结构变化时，使该第一聚光光学系统成为具有镜的结构，并使该镜的位置及姿势变化。4.根据权利要求1所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，在所述反射率获取工序中，使用反射率计来获得所述反射率。5.根据权利要求1所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，将所述被检查基板设置为在表面形成有使所述EUV光反射的多层反射膜的带多层反射膜的基板。6.根据权利要求2所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，将所述被检查基板设置为在表面形成有使所述EUV光反射的多层反射膜的带多层反射膜的基板。7.根据权利要求3所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，将所述被检查基板设置为在表面形成有使所述EUV光反射的多层反射膜的带多层反射膜的基板。8.根据权利要求4所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，将所述被检查基板设置为在表面形成有使所述EUV光反射的多层反射膜的带多层反射膜的基板。9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，将所述反射率设置为所述被检查基板的检查区域整面上的平均值。10.根据权利要求1至8中任一项所述的基板的缺陷检查方法，其特征在于，将所述被检查基板的检查区域分割成小区域，将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺泽恒男，稻月判臣，金子英雄，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：