放大装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制相对于温度变化的特性的变化变得不稳定的放大装置。放大装置(1)具备：放大器(10)，包含级联连接的多级的功率放大器(PA1～PA3)；和偏置电路(20)，向放大器(10)供给偏置电流。供给到多级的功率放大器(PA1～PA3)中的初级的功率放大器(PA1)的偏置电流(Ib1)具有正的温度特性，供给到最终级的功率放大器(PA3)的偏置电流(Ib3)具有负的温度特性。度特性。度特性。

【技术实现步骤摘要】
放大装置


[0001]本专利技术涉及具备放大器和偏置电路的放大装置。

技术介绍

[0002]以往，已知有如下的放大装置，即，具备：放大器，具有功率放大器；和偏置电路，向功率放大器供给偏置电流。作为这种放大装置中的偏置电路的一例，在专利文献1公开了如下的偏置电路，即，具备：电流镜电路；和电流供给电路，向电流镜电路供给电流。电流供给电路具有温度补偿电路。在该偏置电路中，例如在温度上升时，利用温度补偿电路使偏置电流增加，抑制了偏置电路的增益极端地下降。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
98904号公报
[0006]例如在放大器包含级联连接的多个功率放大器的情况下，从上述那样的偏置电路向多个功率放大器分别供给偏置电流。但是，多个功率放大器的规格分别不同的情况较多，若向各功率放大器供给具有相同温度特性的偏置电流，则在具有多个功率放大器的放大器中，有时相对于温度变化的特性的变化变得不稳定。

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放大装置，具备：放大器，包含级联连接的多级的功率放大器；和偏置电路，向所述放大器供给偏置电流，其中，供给到所述多级的功率放大器中的初级的功率放大器的偏置电流具有正的温度特性，供给到最终级的功率放大器的偏置电流具有负的温度特性。2.根据权利要求1所述的放大装置，其中，供给到所述多级的功率放大器中的给定级的功率放大器的偏置电流与供给到比所述给定级更靠前级的功率放大器的偏置电流相比，具有示出负的倾向的温度特性。3.根据权利要求1或2所述的放大装置，其中，所述偏置电路具备：第1偏置电源部，输出供给到所述初级的功率放大器的偏置电流；第2偏置电源部，输出供给到所述最终级的功率放大器的偏置电流；和公共恒流源，分别向所述第1偏置电源部以及所述第2偏置电源部供给电流。4.根据权利要求3所述的放大装置，其中，所述第1偏置电源部具有第1电流放大电路和第1恒流源，所述第1电流放大电路对从所述公共恒流源供给的第1供给电流进行放大并生成第1放大电流，所述第2偏置电源部具有第2电流放大电路和第2恒流源，所述第2电流放大电路对从所述公共恒流源供给的第2供给电流进行放大并生成第2放大电流，在所述第1偏置电源部中，对于由所述第1恒流源引入的第1引入电流加上所述第1放大电流，在所述第2偏置电源部中，对于由所述第2恒流源引入的第2引入电流减去所述第2放大电流。5.根据权利要求4所述的放大装置，其中，所述公共恒流源具有：第1电流镜电路，与高电位侧电源线连接；第2电流镜电路，与所述第1电流镜电路级联连接；和电阻元件，串联连接在所述第2电流镜电路与低电位侧电源线之间，具有正的温度系数。6.根据权利要求5所述的放大装置，其中，所述第1电流放大电路具有nMOS晶体管元件，所述第2电流放大电路具有pMOS晶体管元件，所述第1电流镜电路具有pMOS晶体管元件，所述第2电流镜电路具有nMOS晶体管元件，所述第2电流镜电路的输出侧与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：大奈路勉，德田胜利，田部井慎，出口和亮，河野孝透，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：