感测放大器电路制造技术

一种感测放大器电路包括第一放大块、第二放大块、第三放大块和第四放大块，每个放大块包括：放大块

【技术实现步骤摘要】
感测放大器电路


[0001]本公开涉及负载感测放大器电路和使用此类感测放大器电路的输出级。

技术介绍

[0002]D类音频放大器广泛应用于消费类音频系统、移动类音频系统和汽车(例如，小汽车)音频系统中的扬声器驱动。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供了一种感测放大器电路，其包括：
[0004]第一感测输出端；
[0005]第二感测输出端；
[0006]第一输入电压端；
[0007]第二输入电压端；
[0008]第三输入电压端；
[0009]第四输入电压端；
[0010]共模电压节点
[0011]第一放大块、第二放大块、第三放大块和第四放大块，每个放大块包括：
[0012]放大块
‑
输入节点，
[0013]放大块
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输出节点，
[0014]放大块
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控制节点，
[0015]放大块
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晶体管，其包括：
[0016]第一导电沟道端，
[0017]第二导电沟道端，其连接到所述放大块
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输出节点，以及
[0018]控制端，其连接到所述放大块
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控制节点；
[0019]放大块
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电阻器，其串联连接在所述放大块
‑
输入节点与所述第一导电沟道端之间，
[0020]第一偏置电压源，其连接到所述第一放大块和所述第三放大块的所述放大块
‑
控制节点；
[0021]第二偏置电压源，其连接到所述第二放大块和所述第四放大块的所述放大块
‑
控制节点；
[0022]第一共模电压电阻器，其串联连接在所述第一感测输出端与所述共模电压节点之间；以及
[0023]第二共模电压电阻器，其串联连接在所述第二感测输出端与所述共模电压节点之间，
[0024]其中：
[0025]所述第一放大块和所述第二放大块的所述放大块
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输出节点连接到所述第一感测
输出端；
[0026]所述第三放大块和所述第四放大块的所述放大块
‑
输出节点连接到所述第二感测输出端；
[0027]所述第一放大块的所述放大块
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输入节点连接到所述第一输入电压端；
[0028]所述第二放大块的所述放大块
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输入节点连接到所述第二输入电压端；
[0029]所述第三放大块的所述放大块
‑
输入节点连接到所述第三输入电压端；并且
[0030]所述第四放大块的所述放大块
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输入节点连接到所述第四输入电压端。
[0031]此类感测放大器电路可以将在四个输入电压端处接收的四象限信号组合成单个差分电压信号。这可以简化和提高例如D类输出级之类的输出级中的电流感测测量的精确度。
[0032]在一个或多个实施例中，每个放大块
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晶体管是双极结型晶体管BJT或场效应晶体管FET。
[0033]在一个或多个实施例中，所述第一放大块和所述第三放大块的所述晶体管是p型金属氧化物半导体FET、MOSFET。所述第二放大块和所述第四放大块的所述晶体管可以是n型MOSFET。
[0034]在一个或多个实施例中，所述感测放大器电路包括连接到所述第一偏置电压源的第一参考电压端，以及连接到所述第二偏置电压源的第二参考电压端。
[0035]在一个或多个实施例中，每个放大块包括串联连接在所述放大块
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电阻器与所述第一导电沟道端之间的连接节点。每个放大块还可以包括放大器，所述放大器包括：放大器
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第一输入端；放大器
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第二输入端；以及放大器
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输出端。所述放大器
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第一输入端可以连接到放大块
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控制节点。所述放大器
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第二输入端可以连接到所述连接节点。所述放大器
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输出端可以连接到所述控制端。以此方式，所述控制端经由所述放大器可以连接到所述放大块
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控制节点。
[0036]在一个或多个实施例中，所述第一放大块和所述第三放大块包括放大块
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共源共栅控制节点。所述第一放大块和所述第三放大块还可以包括串联连接在所述第二导电沟道端与所述放大块
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输出节点之间的共源共栅。所述共源共栅可以包括共源共栅晶体管，所述共源共栅晶体管包括：连接到所述第二导电沟道端的共源共栅晶体管
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第一导电沟道端；连接到所述放大块
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输出节点的共源共栅晶体管
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第二导电沟道端；以及连接到所述放大块
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共源共栅控制节点的共源共栅晶体管
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控制端。所述第一放大块和所述第三放大块还可以包括共源共栅二极管，所述共源共栅二极管包括：共源共栅二极管
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阳极，其连接到所述共源共栅晶体管
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第二导电沟道端；以及共源共栅二极管
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阴极，其连接到所述共源共栅晶体管
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第一导电沟道端。
[0037]在一个或多个实施例中，所述感测放大器电路包括连接到所述第一放大块和所述第三放大块的所述放大块
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共源共栅控制节点的第三偏置电压源。
[0038]在一个或多个实施例中，每个共源共栅晶体管是p型MOSFET。
[0039]在一个或多个实施例中，所述第三偏置电压源连接到所述第一参考电压端。
[0040]在一个或多个实施例中，所述第二偏置电压源包括：第二偏置电压源
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输出节点，其连接到所述第二放大块和所述第四放大块的所述放大块
‑
控制节点。所述第二偏置电压源还可以包括第三偏置电压源和/或第五放大器。所述第五放大器可以包括：放大器
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第一
输入端，其连接到所述共模电压节点；放大器
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第二输入端，其连接到所述第三偏置电压源；以及放大器
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输出端，其连接到所述第二偏置电压源
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输出节点。
[0041]还提供了一种输出级，其包括：
[0042]本文所公开的任何感测放大器电路，
[0043]输出级
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第一参考电压端；
[0044]输出级
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第二参考电压端；
[0045]输出级
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第一输出电压端；
[0046]输出级
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第二输出电压端；
[0047]第一输出装置端；
[0048]第二输出装置端；
[0049]第一低通电路，其串联连接在所述第一输出装置端与所述输出级
‑
第一输出电压端之间；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感测放大器电路，其特征在于，包括：第一感测输出端；第二感测输出端；第一输入电压端；第二输入电压端；第三输入电压端；第四输入电压端；共模电压节点第一放大块、第二放大块、第三放大块和第四放大块，每个放大块包括：放大块
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输入节点，放大块
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输出节点，放大块
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控制节点，放大块
‑
晶体管，其包括：第一导电沟道端，第二导电沟道端，其连接到所述放大块
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输出节点，以及控制端，其连接到所述放大块
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控制节点；放大块
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电阻器，其串联连接在所述放大块
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输入节点与所述第一导电沟道端之间，第一偏置电压源，其连接到所述第一放大块和所述第三放大块的所述放大块
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控制节点；第二偏置电压源，其连接到所述第二放大块和所述第四放大块的所述放大块
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控制节点；第一共模电压电阻器，其串联连接在所述第一感测输出端与所述共模电压节点之间；以及第二共模电压电阻器，其串联连接在所述第二感测输出端与所述共模电压节点之间，其中：所述第一放大块和所述第二放大块的所述放大块
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输出节点连接到所述第一感测输出端；所述第三放大块和所述第四放大块的所述放大块
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输出节点连接到所述第二感测输出端；所述第一放大块的所述放大块
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输入节点连接到所述第一输入电压端；所述第二放大块的所述放大块
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输入节点连接到所述第二输入电压端；所述第三放大块的所述放大块
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输入节点连接到所述第三输入电压端；并且所述第四放大块的所述放大块
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输入节点连接到所述第四输入电压端。2.根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，每个放大块
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晶体管是双极结型晶体管BJT或场效应晶体管FET。3.根据权利要求1或权利要求2所述的感测放大器电路，其特征在于，所述第一放大块和所述第三放大块的所述晶体管是p型金属氧化物半导体FET、MOSFET，并且所述第二放大块和所述第四放大块的所述晶体管是n型MOSFET。4.根据在前的任一项权利要求所述的感测放大器电路，其特征在于，包括连接到所述
第一偏置电压源的第一参考电压端，以及连接到所述第二偏置电压源的第二参考电压端。5.根据在前的任一项权利要求所述的感测放大器电路，其特征在于，每个放大块包括：连接节点，其串联连接在所述放大块
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电阻器与所述第一导电沟道端之间；放大器，其包括：放大器
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第一输入端；放大器
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第二输入端；以及放大器
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输出端，其中：所述放大器
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第一输入端连接到所述放大块
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控制节点；所述放大器
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第二输入端连接到所述连接节点；并且所述放大器
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输出端连接到所述控制端，使得所述控制端经由所述放大器连接到所述放大块
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控制节点。6.根据在前的任一项权利要求所述的感测放大器电路，其特征在于，所述第一放大块和所述第三放大块包括：放大块
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共源共栅控制节点共源共栅，其串联连接在所述第二导电沟道端与所述放大块
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输出节点之间，所述共源共栅包括：共源共栅晶体管，其包括：共源共栅晶体管
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第一导电沟道端，其连接到所述第二导电沟道端，共源共栅晶体管
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第二导电沟道端，其连接到所述放大块
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输出节点，以及共源共栅晶体管
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控制端，其连接到所述放大块
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共源共栅控制节点，以及共源共栅二极管，其包括：共源共栅二极管
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阳极，其连接到所述共源共栅晶体管
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第二导电沟道端，以及共源共栅二极管
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阴极，其连接到所述共源共栅晶体管
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第一导电沟道端。7.根据权利要求6所述的感测放大器电路，其特征在于，所述感测放大器电路包括连接到所述第一放大块和所述第三放大块的所述放大块
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共源共栅控制节点的第三偏置电压源。8.根据权利要求6或权利要求7所述的感测放大器电路，其特征在于，每个共源共栅晶体管是p型MOSFE...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：