【技术实现步骤摘要】
有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
[0001]本专利技术涉及显示领域,具体地,涉及有机发光显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]硅基OLED产品以其超高PPI的优势,目前广泛应用在AR/VR、相机取景器或瞄准镜等诸多领域。为了提高OLED产品中有机发光二极管的性能,多采用增加诸如空穴传输层、空穴注入层、电子注入层等结构来提升有机发光二极管的发光性能。然而,通常情况下空穴注入层等结构的膜层迁移率较大,且OLED产品中多采用公共第二电极的结构,因此具有迁移率较大膜层的有机发光二极管在实际使用时易引在两个有机发光二极管间隔的位置处出现串扰的不良。
[0003]因此,目前的有机发光显示面板及其制备方法、显示装置仍有待改进。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在一定程度上缓解甚至解决上述问题的至少之一。
[0005]在本专利技术的一个方面,本专利技术提出了一种有机发光显示面板。该有机发光显示面板包括:基板;多个有机发光二极管,多个所述有机发光二极管位于所述基板上,且所述有机发光二极管具有第一电极、第二电极,以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层和空穴注入层;防串扰隔离电极,所述防串扰隔离电极位于相邻的两个所述有机发光二极管之间的间隔处,所述防串扰隔离电极被配置为连接固定电压,且所述防串扰隔离电极和所述第二电极之间的电压差,小于所述第一电极与所述第二电极之间的电压差。由此,可利用防串扰隔离电极降低由于空穴注入层等迁移率较高的膜层而导致的串扰问题。
[0006 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:基板;多个有机发光二极管,多个所述有机发光二极管位于所述基板上,且所述有机发光二极管具有第一电极、第二电极,以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层和空穴注入层;防串扰隔离电极,所述防串扰隔离电极位于相邻的两个所述有机发光二极管之间的间隔处,所述防串扰隔离电极被配置为连接固定电压,且所述防串扰隔离电极和所述第二电极之间的电压差,小于所述第一电极与所述第二电极之间的电压差。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管为白光有机发光二极管。3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管包括:所述第一电极;所述空穴注入层,所述空穴注入层位于所述第一电极远离所述基板的一侧;空穴传输层,所述空穴传输层位于所述空穴注入层远离所述第一电极的一侧;第一发光层,所述第一发光层包括多个发光亚层,多个所述发光亚层包括绿色发光亚层、红色发光亚层以及黄色发光亚层;层间层;所述层间层位于所述第一发光层远离所述空穴传输层的一侧;第二发光层,所述第二发光层位于所述层间层远离所述第一发光层的一侧,所述第二发光层的发光颜色与所述第一发光层的发光颜色不相同;空穴阻挡层,所述空穴阻挡层位于所述第二发光层远离所述层间层的一侧;电子传输层,所述电子传输层位于所述空穴阻挡层远离所述第二发光层的一侧;电子注入层,所述电子注入层位于所述电子传输层远离所述空穴阻挡层的一侧;所述第二电极,所述第二电极位于所述电子注入层所述电子传输层远离的一侧。4.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管包括:所述第一电极;所述空穴注入层,所述空穴注入层位于所述第一电极远离所述基板的一侧;空穴传输层,所述空穴传输层位于所述第一电极远离所述基板的一侧;第一发光层,所述第一发光层位于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧;电子传输层,所述电子传输层位于所述第一发光层远离所述空穴传输层的一侧;电荷产生层,所述电荷产生层位于所述电子传输层远离所述第一发光层的一侧;第二空穴注入层,所述第二空穴注入层位于所述电荷产生层远离所述电子传输层的一侧;第二空穴传输层,所述第二空穴传输层位于所述第二空穴注入层远离所述电荷产生层的一侧;多个第二发光层,多个所述第二发光层依次层叠设置,且位于所述第二空穴传输层远离所述第二空穴注入层的一侧;第二电子传输层,所述第二电子传输层位于所述第二发光层远离所述第二空穴传输层的一侧;电子注入层,所述电子注入层位于所述电子传输层远离所述第二发光层的一侧;
所述第二电极,所述第二电极位于所述电子注入层所述电子传输层远离的一侧。5.根据权利要求1
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4任一项所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述基板和所述第一电极之间进一步包括:多个薄膜晶体管,多个所述薄膜晶体管位于所述基板的一侧,每个所述发光二极管均与一个所述薄膜晶体管的源极相连,多个扇出线,所述扇出线位于所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧,且所述薄膜晶体管的漏极通过过孔与一个扇出线相连。6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板,其特征在于,进一步包括像素界定结构,所述像素界定结构在所述基板上限定出多个用于容纳所述有机发光二极管的子像素区,并暴露位于所述子像素区内的所述第一电极,所述防串扰隔离电极位于所述像...
【专利技术属性】
技术研发人员:李晓虎,王路,焦志强,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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