一种静电释放保护电路制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种静电释放保护电路，所述静电释放保护电路包括：第一电源，第二电源，第一静电释放保护器件，第二静电释放保护器件，与第一电源进行电性连接的第一地，与第二电源进行电性连接的第二地；第一电源与第二电源之间相互独立，第一地与第二地之间通过第一静电释放保护器件进行电性连接，第一地与第二电源之间通过第二静电释放保护器件进行电性连接。如此通过添加第一静电释放保护器件以及第二静电释放保护器件来第一地的提高ESD性能，静电释放保护器件按照现有工艺制作，尺寸并未进行调整，仅仅是器件增加对于集成电路面积、成本的增加可以忽略不计，有效节省了集成电路成本。成电路成本。成电路成本。

【技术实现步骤摘要】
一种静电释放保护电路


[0001]本专利技术实施例涉及集成电路
，尤其涉及一种静电释放保护电路。

技术介绍

[0002]静电，具有长时间积聚、高电压、低电量、小电流和作用时间短的特性。在集成电路中产生的静电可以在很短时间内形成超过几十安培的较大电流，这样的较大电流直接流过导通电流仅为微安或者毫安级别的电子器件，将会给集成电路中的电子器件带来破坏性的后果，这也是造成集成电路中电子器件失效的主要原因之一，自此ESD(Electro Static Discharge，静电释放)保护电路应运而生。ESD保护电路的设计目的就是要避免待保护的工作电路称为ESD通路而遭受不可逆转的破坏。
[0003]随着电子器件工艺特征尺寸的缩小以及复杂度的提高，集成电路的ESD性能在不断下降，而集成电路中产生的静电并未减少，因此集成电路因静电损坏的情况越来越严重。为了设计集成电路的ESD性能达到指定值，则需要增大电子器件的尺寸，或者利用ESD-Implant技术等方式提高集成电路的ESD性能。由于需要增大电子器件的尺寸，导致集成电路面积增加，增加了集成电路成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电释放保护电路，其特征在于，所述静电释放保护电路包括：第一电源，第二电源，第一静电释放保护器件，第二静电释放保护器件，与所述第一电源进行电性连接的第一地，与所述第二电源进行电性连接的第二地；所述第一电源与所述第二电源之间相互独立，所述第一地与所述第二地之间通过所述第一静电释放保护器件进行电性连接，所述第一地与所述第二电源之间所述通过第二静电释放保护器件进行电性连接。2.根据权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述静电释放保护电路还包括第三电源，第三静电释放保护器件、第四静电释放保护器件，以及与所述第三电源进行电性连接的第三地；所述第三电源与所述第一电源之间相互独立，所述第三电源与所述第二电源之间相互独立，所述第三地与所述第一地之间通过所述第三静电释放保护器件进行电性连接，所述第三地与所述第二地之间通过所述第四静电释放保护器件进行电性连接。3.根据权利要求2所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述静电释放保护电路还包括第五静电释放保护器件；所述与所述第一电源进行电性连接的第一地，包括：与所述第一电源通过所述第五静电释放保护器件进行电性连接的第一地。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李耿民，杨卫平，何林飞，黄蝶，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：