Mueller矩阵图像的获取系统及获取方法技术方案

本发明专利技术Mueller矩阵图像的获取系统及获取方法，公开了包括依次设置形成光学系统的光源S、准直镜CL、起偏器P、样品V、超表面M、成像镜L、探测器D；超表面M具体结构为：在单晶硅片上表面沉积金属膜，以单晶硅片中心为坐标原点，划分为四个象限，对每个象限的金属膜表面采用光刻工艺按照偏振吸收角度开设印刻单元，每个印刻单元内刻蚀金属纳米线和硅纳米线；成像镜L包括四个凸透镜，每个凸透镜的光轴正对每个象限的中心；本发明专利技术中采用超表面作为检偏臂，不存在运动部件，与现有装置相比，在分析目标表面出射光的偏振态时不需要进行旋转，可通过单次曝光得到偏振态的变化，探测时间更快。探测时间更快。探测时间更快。

【技术实现步骤摘要】
Mueller矩阵图像的获取系统及获取方法


[0001]本专利技术属于偏振探测
，具体涉及Mueller矩阵图像的获取系统，还涉及Mueller矩阵图像的获取方法。

技术介绍

[0002]被测目标对入射光的偏振响应采用Mueller矩阵描述，通过获取Mueller矩阵图像可以得到目标表面每个像素的偏振态。目前国际上只有少数科研机构对Mueller矩阵成像装置开展相关研究工作，尤其是快速测量Mueller矩阵图像的装置仍处于原理探索与实验验证阶段，其技术手段尚未成熟。Mueller矩阵图像获取装置的核心部分包括起偏臂与检偏臂。起偏臂用于产生与目标发生相互作用的偏振态，检偏臂用于分析入射光与目标发生相互作用后偏振态的变化。现有Mueller矩阵图像的装置在工作中一般需要旋转检偏臂的偏振调制元件至少四次用于分析偏振态的变化，完成一次测量的工作时间较长，无法对快速变化的目标进行探测。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供Mueller矩阵图像的获取系统，解决现有Mueller矩阵图像测量装置测量时间长的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.Mueller矩阵图像的获取系统，其特征在于，包括依次设置形成光学系统的光源S、准直镜CL、起偏器P、样品V、超表面M、成像镜L、探测器D；所述超表面M具体结构为：在单晶硅片上表面沉积金属膜，以单晶硅片中心为坐标原点，划分为四个象限，对每个象限的金属膜表面采用光刻工艺按照偏振吸收角度开设印刻单元，每个所述印刻单元内刻蚀金属纳米线和硅纳米线；所述成像镜L包括四个凸透镜，每个所述凸透镜的光轴正对每个象限的中心。2.根据权利要求1所述Mueller矩阵图像的获取系统，其特征在于，所述对每个象限的偏振吸收角度为：第一象限为与X轴平行，第二象限为与X轴垂直，第三象限为与X轴正方向呈45
°
夹角，第四象限为与X轴正方向呈
‑
45
°
...

【专利技术属性】
技术研发人员：权乃承，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：