一种光阀及提高光阀抗压性能的方法技术

技术编号:32483385 阅读:12 留言:0更新日期:2022-03-02 09:47
本发明专利技术提供了一种光阀、光阀的制造方法以及调光玻璃组件。此光阀高温抗压性能优异,可满足后续制作调光玻璃组件的夹胶工艺要求。满足后续制作调光玻璃组件的夹胶工艺要求。满足后续制作调光玻璃组件的夹胶工艺要求。

【技术实现步骤摘要】
一种光阀及提高光阀抗压性能的方法


[0001]本专利技术涉及电子控光材料领域,特别涉及一种具有提高的抗压性能的光阀以及提高光阀抗压性能的方法。

技术介绍

[0002]光阀是一种电子控光装置,主要是在两层透明导电膜中间设置控光层,当接通电场后,控光层中的材料的排列或状态发生改变,从而使此装置的透光特性发生改变,如从低透光率转换为高透光率,或从高透光率转换为低透光率。通过电场作用,能够实现开态

关态之间的快速转换。根据控光层的控光机理不同,光阀可分为悬浮粒子光阀、聚合物分散液晶光阀、电化学反应光阀等。
[0003]根据光阀的基底不同,光阀可以以塑料片例如PET作为基底,一般被称为调光膜;也可以以玻璃作为基底,一般被称为调光玻璃。调光膜进行夹胶处理后形成的组件一般被称为调光玻璃组件。
[0004]就调光膜而言,在实际应用中往往要将调光膜夹在两块玻璃之间、在一定温度、压力下进行夹胶制作成调光玻璃组件。但是调光膜在夹胶过程中由于温度和压力较高其变色性能往往遭受较大程度的破坏,究其原因,主要是调光膜在高温状态下控光层抗压性能差,这对调光玻璃组件的制备造成很大影响。
[0005]因此,针对现有技术中的调光膜而言,迫切需要解决调光膜在高温状态下控光层抗压性能差的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术人在长期研究中意外发现,采用含有本专利技术的由以下特定单元的单体共聚得到的硅氧烷共聚物的聚合物基质,可以有效地解决高温状态下控光层抗压性能差的问题:
[0007](a)含硅的非交联单体,其可以以含硅的非交联单体和/或其低聚物形式提供,
[0008](b)含硅的可交联单体,和
[0009](c)具有高占位侧链的含硅单体,其具有以下结构式:
[0010]R

X
m

(CH2)
n

SiR
1x
R
2y
ꢀꢀꢀ
式(A)
[0011]其中,
[0012]R1是羟基或经水解反应后能生成羟基的基团,如

Cl或C1

C3烷氧基,特别地R1选自

OH、

Cl、

OCH3、

OCH2CH3、

OCH(CH3)2、

OCH2CH2OCH3、

O

C(=O)

CH3,尤其是选自

OH、

Cl、

OCH3和

OCH2CH3,
[0013]R2是C1

C3烷基,特别是甲基或乙基,
[0014]x和y是0至3的整数,并且x+y=3,优选地x是2或3,
[0015]X选自氮、氧和硫,
[0016]m是0或1,n是0至10的整数,优选地n是0、1、2或3,更优选2或3,
[0017]R是非聚合基团,例如H或链状或环状基团R

,所述R

选自任选取代的烷基、环烷基、芳环基、杂环基、环烷基烷基、杂环基烷基、芳烷基、羰基和氨基甲酰基,所述任选取代基选自羟基、氨基、巯基、酸性基团、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、芳基氨基、酯基、卤素和环氧基,其可进一步被任选地取代。
[0018]相应地,基于上述发现,在第一个方面,本专利技术提供了一种具有提高的抗压性能的光阀,其包括:
[0019]第一透明基底,
[0020]形成于第一透明基底上的第一透明电极,
[0021]第二透明基底,
[0022]形成于第二透明基底上的第二透明电极,所述第一透明电极和第二透明电极相对设置,以及
[0023]设置在所述第一透明电极和第二透明电极之间的控光层;所述控光层包括聚合物基质;
[0024]其中,所述聚合物基质中散布有悬浮介质液滴,在所述悬浮介质液滴内分布有固体控光粒子,所述聚合物基质由至少一种硅氧烷共聚物经交联固化而得到,所述硅氧烷共聚物由包含以下单元的单体共聚得到:
[0025](a)含硅的非交联单体,其可以以含硅的非交联单体和/或其低聚物形式提供,
[0026](b)含硅的可交联单体,和
[0027](c)具有高占位侧链的含硅单体,其具有以下结构式:
[0028]R

X
m

(CH2)
n

SiR
1x
R
2y
ꢀꢀꢀ
式(A)
[0029]其中,
[0030]R1是羟基或经水解反应后能生成羟基的基团,如

Cl或C1

C3烷氧基,特别地R1选自

OH、

Cl、

OCH3、

OCH2CH3、

OCH(CH3)2、

OCH2CH2OCH3、

O

C(=O)

CH3,尤其是选自

OH、

Cl、

OCH3和

OCH2CH3,
[0031]R2是C1

C3烷基,特别是甲基或乙基,
[0032]x和y是0至3的整数,并且x+y=3,优选地x是2或3,
[0033]X选自氮、氧和硫,
[0034]m是0或1,n是0至10的整数,优选地n是0、1、2或3,更优选2或3,
[0035]R是非聚合基团,例如H或链状或环状基团R

,所述R

选自任选取代的烷基、环烷基、芳环基、杂环基、环烷基烷基、杂环基烷基、芳烷基、羰基和氨基甲酰基,所述任选取代基选自羟基、氨基、巯基、酸性基团、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、芳基氨基、酯基、卤素和环氧基,其可进一步被任选地取代。
[0036]本专利技术的光阀的硅氧烷共聚物中含有单元(c),与不含单元(c)的硅氧烷共聚物相比,所述含单元(c)的硅氧烷共聚物提供增加的抗压强度。
[0037]本专利技术一些优选的实施方案中,在上述式(A)中,当R

X
m



OH、

SH或

NH2时,R

X
m

(CH2)
n

中不计氢的总原子数至少是4;当R

X
m

不是

OH、

SH或

NH2时,R
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有增加的抗压强度的光阀,包括:第一透明基底,形成于第一透明基底上的第一透明电极,第二透明基底,形成于第二透明基底上的第二透明电极,所述第一透明电极和第二透明电极相对设置,以及设置在所述第一透明电极和第二透明电极之间的控光层;所述控光层包括聚合物基质;其中,所述聚合物基质中散布有悬浮介质液滴,在所述悬浮介质液滴内分布有固体控光粒子,所述聚合物基质由至少一种硅氧烷共聚物经交联固化而得到,所述硅氧烷共聚物由包含以下单元的单体共聚得到:(a)含硅的非交联单体,其可以以含硅的非交联单体和/或其低聚物形式提供,(b)含硅的可交联单体,和(c)具有高占位侧链的含硅单体,其具有以下结构式:R

X
m

(CH2)
n

SiR
1x
R
2y
ꢀꢀꢀꢀꢀ
式(A)其中,R1是羟基或经水解反应后能生成羟基的基团,如

Cl或C1

C3烷氧基,特别地R1选自

OH、

Cl、

OCH3、

OCH2CH3、

OCH(CH3)2、

OCH2CH2OCH3、

O

C(=O)

CH3,尤其是选自

OH、

Cl、

OCH3和

OCH2CH3,R2是C1

C3烷基,特别是甲基或乙基,x和y是0至3的整数,并且x+y=3,优选地x是2或3,X选自氮、氧和硫,m是0或1,n是0至10的整数,优选地n是0、1、2或3,更优选2或3,R是非聚合基团,例如H或链状或环状基团R

,所述R

选自任选取代的烷基、环烷基、芳环基、杂环基、环烷基烷基、杂环基烷基、芳烷基、羰基和氨基甲酰基,所述任选取代基选自羟基、氨基、巯基、酸性基团、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、芳基氨基、酯基、卤素和环氧基,其可进一步被任选地取代。2.根据权利要求1所述的光阀,其中在式(A)中,当R

X
m



OH、

SH或

NH2时,R

X
m

(CH2)
n

中不计氢的总原子数至少是4;当R

X
m

不是

OH、

SH或

NH2时,R

X
m

(CH2)
n

中不计氢的总原子数至少是6,和/或其中在式(A)中,当单元(c)仅包含一种具有高占位侧链的含硅单体时,R

X
m

不是

NH2、羟基、环氧丙氧基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基或酸性基团。3.根据权利要求1或2所述的光阀,其中所述聚合物基质是由聚合物基质前体交联固化形成,所述聚合物基质前体由包含以下的原料合成,(a)含硅的非交联单体的低聚物;(b)含硅的可交联单体;和(c)具有高占位侧链的含硅单体。4.根据权利要求3所述的光阀,其中所述交联固化在热催化或辐照催化条件下发生,例如向聚合物基质前体中加入光引发剂,以通过辐照引起聚合反应。
5.根据权利要求4所述的光阀,其中所述光引发剂选自184、ITX、819、1173、BDK、BP、TPO、369、907中的至少一种。6.根据权利要求1至5任一项所述的光阀,其中,所述含硅的非交联单体的低聚物为硅油;和/或所述含硅的可交联单体来源为式(1)化合物:Q

(CH2)
m

Si(R
n
X3‑
n
)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
式(1);其中,Q为丙烯酸酯系聚合性基团;R为烷基;X为羟基,或为经水解反应后能够生成羟基的基团;m为正整数;n为0、1或2。7.根据权利要求1至6任一项所述的光阀,其中,所述含硅的非交联单体的低聚物为羟基封端硅油、甲氧基封端硅油中的至少一种;和/或所述含硅的可交联...

【专利技术属性】
技术研发人员:李亚男赵世勇张达玮肖淑勇张昱喆梁斌
申请(专利权)人:浙江精一新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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