高垄覆膜栽培玉米的方法技术

本发明专利技术公开了本发明专利技术中采用覆膜栽培提高地温，采用梯形垄的垄作方式，在垄台顶部开挖集水垄沟，集水垄沟位于每行播种区之间，保证雨水或灌溉水不溢出龚面，达到集雨的目的，并在覆膜后横压土腰带，拦截垄沟内的径流；达到集水保墒目的，为玉米种子萌发出苗提供必要的水分，促使玉米全苗。在梯形垄的两侧垄台面上施肥沟，使玉米种子与施肥沟分开，相距大于15cm，肥料高度低于播种高度，施肥区肥水通过扩散慢慢将肥料释放到播种区，保证不会因肥料相对集中发生烧种烧苗情况。相对集中发生烧种烧苗情况。相对集中发生烧种烧苗情况。

【技术实现步骤摘要】
高垄覆膜栽培玉米的方法


[0001]本专利技术涉及玉米栽培
，具体涉及高垄覆膜栽培玉米的方法。

技术介绍

[0002]玉米是旱粮作物，但全生育期没有足够的水分，难以正常生长，有的因墒情不足、缺少水分，造成玉米出苗率低，因此田块保墒显得非常重要，而且每个生长阶段还必须要求有充足的肥料养分，才能保证玉米壮苗壮株，否则会造成脱肥早衰现象。根据我国各地配方施肥研究表明，大田作物氮当季利用率35％以下、磷当季利用率20％以下、钾当季利用率50％以下。传统的种植方式在土壤中普遍撒施肥料并耕翻，肥料分散在土壤中，部分肥料在土壤中下漏沉底，或露在地表的肥料分解成气体散失在空气中，使得部分肥料流失，不能被玉米植株根系完全吸收利用，导致肥料利用率低；在玉米播种季节常少雨，旱田周边常因缺水不能及时洇灌，而大面积耕翻土地造成跑墒，不利于玉米种子出全苗。
[0003]分层施肥，在玉米、小麦、大豆、花生等作物上已有应用，但现有提出的分层施肥，主要分为多种：一是将肥料分层施于种子的下方，虽将种子与肥料隔开，但这种施肥方式很容易烧伤玉米苗的根须，使其丧失吸水或吸肥的功能；二是将肥料交叉分层施于种子的周边，虽然相隔5cm以上的距离，但这种施肥方式因肥料局部浓度高也容易伤及玉米苗的根须；多是在种子周围挖坑分层埋肥，有的坑上大下小，很容易造成肥料散失，肥料利用率仍然不是很高。

技术实现思路

[0004]为解决上述
技术介绍
中的问题，本专利技术的目的在于提供一种高垄覆膜栽培玉米的方法。
[0005]为实现如上目的，本专利技术具体的技术方案如下：
[0006]高垄覆膜栽培玉米的方法，包括以下步骤：
[0007]1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在10～15cm、20～30cm的梯形垄，垄底宽120cm～130cm，中部垄台宽90cm～100cm，两侧垄顶宽20～25cm；中部垄台播种，行距30cm～40cm；
[0008]在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10～15cm、深10
±
2cm的集水龚沟，在中部深挖形成15
‑
20cm、深8
±
2cm的施肥沟；
[0009]在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15
‑
20cm；
[0010]2)覆膜增墒：选用幅宽40cm～60cm的地膜进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；
[0011]3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽20～25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地
面再喷施一次乙草胺除草剂。
[0012]进一步地，所述集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在5
‑
10cm。
[0013]进一步地，出苗期管理：玉米播种后7
‑
10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。
[0014]进一步地，查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。
[0015]进一步地，所述地膜为生物可降解膜，厚度为0.006～0.008cm。
[0016]与已有技术相比，本专利技术有益效果体现在：
[0017]本专利技术中采用覆膜栽培提高地温，采用梯形垄的垄作方式，在垄台顶部开挖集水垄沟，集水垄沟位于每行播种区之间，保证雨水或灌溉水不溢出龚面，达到集雨的目的，并在覆膜后横压土腰带，拦截垄沟内的径流；达到集水保墒目的，为玉米种子萌发出苗提供必要的水分，促使玉米全苗。
[0018]在梯形垄的两侧垄台面上施肥沟，使玉米种子与施肥沟分开，相距大于15cm，肥料高度低于播种高度，施肥区肥水通过扩散慢慢将肥料释放到播种区，保证不会因肥料相对集中发生烧种烧苗情况。
附图说明
[0019]图1为本专利技术玉米栽培的示意图。
[0020]附图标记：1
‑
中部垄台、2
‑
侧垄台、3
‑
集水龚沟、4
‑
施肥沟、5
‑
播种区。
具体实施方式
[0021]以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。
[0022]如图1所示，高垄覆膜栽培玉米的方法，包括以下步骤：
[0023]1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在10～15cm、20～30cm的梯形垄，垄底宽120cm～130cm，中部垄台宽90cm～100cm，两侧垄顶宽20～25cm；中部垄台播种，行距30cm～40cm；
[0024]在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10～15cm、深10
±
2cm的集水龚沟，集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在5
‑
10cm；在中部深挖形成15
‑
20cm、深8
ꢀ±
2cm的施肥沟；
[0025]在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15
‑
20cm；
[0026]2)覆膜增墒：选用厚度为0.008cm、幅宽40cm～60cm的生物可降解地膜，进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；
[0027]3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽20～25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地面再喷施一次乙草胺除草剂。
[0028]出苗期管理：玉米播种后7
‑
10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放
苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。
[0029]查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。
[0030]实施例1
[0031]1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在15cm、25cm的梯形垄，垄底宽 120cm，中部垄台宽100cm，两侧垄顶宽25cm；中部垄台播种，行距40cm；
[0032]在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10cm、深8cm的集水龚沟，集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在10cm；在中部深挖形成15cm、深8cm的施肥沟；
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高垄覆膜栽培玉米的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在10～15cm、20～30cm的梯形垄，垄底宽120cm～130cm，中部垄台宽90cm～100cm，两侧垄顶宽20～25cm；中部垄台播种，行距30cm～40cm；在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10～15cm、深10
±
2cm的集水龚沟，在中部深挖形成15
‑
20cm、深8
±
2cm的施肥沟；在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15
‑
20cm；2)覆膜增墒：选用幅宽40cm～60cm的地膜进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婷，黄小星，雷永刚，
申请(专利权)人：西安农链互联网科技有限公司，
类型：发明
国别省市：