非对称聚合物薄膜,它的制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一特别是以聚吡咯为基础的非对称的聚合物薄膜，其制备方法以及它的应用。按本发明专利技术的以聚吡咯为基础的非对称的聚合物薄膜具有一平整面和一粗糙面，基于它们构造能快速和均匀地掺杂酸，成为传导质子的膜。按本发明专利技术的以聚吡咯为基础的非对称的聚合物薄膜由于它的优异的化学、热和力学性能可用于诸多方面，特别适用于制造所谓ＰＥＭ－燃料电池的聚合物电解质膜（ＰＥＭ）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非对称聚合物薄膜，它的制备方法及其应用本专利技术涉及一特别是以聚吡咯为基础的非对称的聚合物薄膜，其制备方法以及它的应用。按本专利技术的聚合物薄膜由于它的优异的化学、热和力学性能可用于诸多方面，尤其适于在所谓的PEM-(聚合物电解质膜)燃料电池中用作聚合物电解质膜。聚吡咯膜必须用酸进行掺杂才能适用于在PEM-燃料电池中，为此目的将碱性的聚吡咯膜用浓磷酸或硫酸处理，使其在所谓的聚合物电解质膜燃料电池(PEM-燃料电池)中起到质子导体或隔板的作用。基于聚吡咯-聚合物的优异性能，这种聚合物电解质膜能加工成膜-电极-单元(MEE)，在高于100℃，尤其是高于120℃的连续工作温度时在燃料电池中获得应用，这种高的连续工作温度能提高在膜-电极-单元(MEE)中所含贵金属催化剂的活性，特别是应用在所谓由烃类构成的转化物中，在转化的气体中含有相当数量的一氧化碳，它通常需经过一昂贵的气体处理或气体净化过程除去，而通过提高工作温度的方式可以长期容许有较高浓度的CO-杂质存在。通过使用以聚吡咯聚合物为基础的聚合物电解质膜，一方面可以部分地省去昂贵的气体处理或气体净化过程；而另一方面还可减少膜-电极-单元中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
以聚吡咯为基础的聚合物薄膜具有平整面和粗糙面，其中平整面的粗糙度＜２μｍ，而粗糙面的粗糙度在３～１０μｍ之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2003-7-11 103 31 365.61.以聚吡咯为基础的聚合物薄膜具有平整面和粗糙面，其中平整面的粗糙度＜2μm，而粗糙面的粗糙度在3～10μm之间。2.按权利要求1的聚合物薄膜，其特征在于，聚吡咯涉及包括通式(I)和/或(II)和/或(III)和/或(IV)和/或(V)和/或(VI)和/或(VII)和/或(VIII)和/或(IX)和/或(X)和/或(XI)和/或(XII)和/或(XIII)和/或(XIV)和/或(XV)和/或(XVI)和/或(XVII)和/或(XVIII)和/或(XIX)和/或(XX)和/或(XXI)和/或(XXII)重复出现的吡咯单元，-->-->-->-->其中Ar是相同或不同的，为单核或多核的四键的芳基或杂芳基，Ar1是相同或不同的，为单核或多核的二键的芳基或杂芳基，Ar2是相同或不同的，为单核或多核的二或三键的芳基或杂芳基，Ar3是相同或不同的，为单核或多核的三键的芳基或杂芳基，Ar4是相同或不同的，为单核或多核的三键的芳基或杂芳基，Ar5是相同或不同的，为单核或多核的四键的芳基或杂芳基，Ar6是相同或不同的，为单核或多核二键的芳基或杂芳基，Ar7是相同或不同的，为单核或多核二键的芳基或杂芳基，Ar8是相同或不同的，为单核或多核三键的芳基或杂芳基，Ar9是相同或不同的，为单核或多核二-或三-或四键的芳基或杂芳基，Ar10是相同或不同的，为单核或多核二-或三键的芳基或杂芳基，Ar11是相同或不同的，为单核或多核二键的芳基或杂芳基，X是相同或不同的，为氧、硫或氨基，它带有氢原子，1～20碳原子的基团，优选是支化或非支化的烷基或烷氧基或芳基作为另外的基团，R是相同或不同的，为氢、烷基和芳基，其中在式(XX)中的R基氢是不同的，n，m为整数，大于等于10，优选大于等于100。3.按权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：约阿希姆彼得森，约亨鲍尔梅斯特，欧默尔乌恩萨尔，约阿希姆基弗，
申请(专利权)人：巴斯夫燃料电池有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]