【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
[0001]本申请涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
[0002]在现有液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)技术中,通常会再薄膜晶体管的沟道区的下方设置遮光层,以防止背光直接照射沟道区,影响薄膜晶体管的性能。
[0003]如图1至图3所示,遮光层11通常仅设于薄膜晶体管的沟道区对应的位置,半导体有源层12覆盖遮光层11的部分边界,由于遮光层11厚度的影响,在所述部分边界对应的位置,半导体有源层12会形成坡度边13,该坡度边13与栅极金属线14的方向平行,在采用准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,简称ELA)工艺对非晶硅层进行激光退火时,ELA的扫描方向与栅极金属线14的延伸方向相同,位于坡度边13位置的氧化硅晶粒会出现结晶异常的现象,最终影响薄膜晶体管的电性能。
[0004]因此,现有显示面板存在半导体有源层结晶异常的现象,需要解决。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供一种阵列基板及显 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括遮光层、半导体有源层、以及栅极金属线,所述半导体有源层设于所述遮光层之上;其中,所述遮光层被所述半导体有源层覆盖的边界与所述栅极金属线的延伸方向不平行。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层被所述半导体有源层覆盖的边界与所述栅极金属线的延伸方向垂直。3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括若干薄膜晶体管,所述有源层包括所述薄膜晶体管的有源区,所述有源区的形状为n型,包括相对的第一边和第二边,以及连接所述第一边的所述第二边的第三边;所述有源区包括第一沟道区和第二沟道区,所述第一沟道区位于所述第一边上,所述第二沟道区位于所述第二边上。4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘优,薛景峰,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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