用于生产硅块的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于生产多晶体硅块的方法，包括以下步骤：a)提供多晶体硅棒，b)用锤子和/或针锤处理硅棒的表面以去除至少部分表面层，和c)将硅棒粉碎成块。锤子和/或针锤施加的冲击能为1至15J。冲击能为1至15J。冲击能为1至15J。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于生产硅块的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于生产硅块(silicon chunk)的方法，其中硅棒的表面用锤子和/或针锤处理以至少部分地去除表面层。

技术介绍

[0002]在例如借助坩埚提拉(切克劳斯基法或CZ法)或借助区熔法(浮区法)生产单晶(单晶体)硅时，多晶体硅(多晶硅)用作起始材料。单晶硅在半导体工业中用于制造电子部件(芯片)。
[0003]多晶体硅的生产也需要多晶硅，例如，借助块铸方法。以块形式获得的多晶体硅可以用于制造太阳能电池。
[0004]多晶硅可通过西门子法——一种化学气相沉积法——获得。这包括通过直接通过电流并引入包括含硅组分和氢气的反应气体，在钟形反应器(西门子反应器)中加热支撑体(通常由多晶硅组成)。含硅组分通常是甲硅烷(SiH4)或一般组成为SiH
n
X4‑
n
(n＝0、1、2、3；X＝Cl、Br、I)的卤代硅烷。其典型地是氯硅烷或氯硅烷混合物，通常是三氯硅烷(SiHCl3，TCS)。主要地，SiH4或TCS与氢混合使用。例如，在EP 2 077 252A2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于生产硅块的方法，包括以下步骤：a)提供硅棒，b)用锤和/或针锤处理所述硅棒的表面，至少部分去除表面层，c)将所述硅棒粉碎成块，其中，用所述锤和/或针锤施加的冲击能为1至15J。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用所述锤和/或针锤施加的所述冲击能为2至10J、优选地3至8J。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述针锤包括6至24个、优选地6至18个、特别优选地6至12个针。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述针锤的针各自具有圆形冲击表面，所述圆形冲击表面的半径为0.5至1.5mm、特别优选地为0.5至1mm。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述针锤是电动、气动或液压操作针锤。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述针锤以2000至5000min
‑1、优选地2500至4000min
‑1、特别优选地2800至3500min
‑1的冲击速度操作。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述针锤的针和/或所述锤的至少多晶硅接触部分由选自包含以下各项的组中的材料制成：碳化物、金属
‑
陶瓷、陶瓷及...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂亚斯，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：