一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路制造技术

本实用新型专利技术涉及偏置电路技术领域，尤其是一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路，包括电源一、电源二、电源三、电感、晶体管一、晶体管二、电容一、电容二、电阻一、电阻二和RC电路，所述的晶体管一和晶体管二均为场效应管，电源一的负极接地，正极串联电感后与晶体管一的源极连接，电容一的一端连接晶体管一的源极，电容一的另一端串联电阻一后接地；电源二的负极接地，正极串联RC电路后与晶体管一的栅极连接，晶体管一的漏极连接晶体管二的源极；外部输入信号串联电容二后与晶体管二的栅极连接，电阻二的一端连接晶体管二的栅极，电阻二的另一端连接电源三的正极，电源三的负极接地，本实用新型专利技术降低了栅极电压，提高了电路可靠性。提高了电路可靠性。提高了电路可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路


[0001]本技术涉及偏置电路
，具体领域为一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路。

技术介绍

[0002]因晶体管的小型化，对于现有的集成电路，其功率放大器的输出端电源幅度为电源电压的2
‑
3倍，为了保证器件处于安全工作状态，因此在设计时，只能使用较低的电压，并使用大型号晶体管以获得大输出功率，但是大型号的晶体管输入阻抗小，因此对于电路系统中匹配较为麻烦，导致电路性能和可靠性下降。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路，包括电源一、电源二、电源三、电感、晶体管一、晶体管二、电容一、电容二、电阻一、电阻二和RC电路，所述的晶体管一和晶体管二均为场效应管，
[0005]电源一的负极接地，正极串联电感后与晶体管一的源极连接，电容一的一端连接晶体管一的源极，电容一的另一端串联电阻一后接地；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路，其特征在于：包括电源一、电源二、电源三、电感、晶体管一、晶体管二、电容一、电容二、电阻一、电阻二和RC电路，所述的晶体管一和晶体管二均为场效应管，电源一的负极接地，正极串联电感后与晶体管一的源极连接，电容一的一端连接晶体管一的源极，电容一的另一端串联电阻一后接地；电源二的负极接地，正极串联RC电路后与晶体管一的栅极连接，晶体管一的漏极连接晶体管二的源极；外部输入信号串联电容二后与晶体管二的栅极连接，晶体管的漏极接地；电阻二的一端连接晶体管二的栅极，电阻二的另一端连接电源三的正极，电源三的负极接地。2.根据权利要求1所述的一种应用于功率放大器上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁绪亮，聂庆庆，陈正妍，吕刘倩，
申请(专利权)人：上海凝芯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：