一种钨钛合金管靶的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种钨钛合金管靶的制备方法，所述制备方法将钨钛混合粉末与不锈钢内管依次进行脱气处理、热等静压处理，无需在脱气处理之前进行冷等静压处理，得到以所述不锈钢内管为背管的钨钛合金管靶，不仅可以提高半导体用钨钛管靶的致密度和组织结构均匀性，还可以提高生产效率，降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种钨钛合金管靶的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种钨钛合金溅射靶材，具体涉及一种钨钛合金管靶的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，随着集成电路临界线宽的不断减少，为保证电路的可靠性，在布线与金属硅化物之间需要增加一层扩散阻挡层。扩散阻挡层既能阻碍金属的扩散，又能有效改善金属薄膜与基体的结合强度。钨钛合金由于具有稳定的热机械性能、低的电子迁移率、高的抗腐蚀性能和化学稳定性等优点，成为铜及银布线中阻挡Cu与Si/SiO2之间扩散的最佳候选薄膜，特别适用于高电流和高温的严苛环境。其中，在半导体制造技术中，钨钛合金阻挡层主要是由钨钛靶材溅射镀膜制得。
[0003]现有技术公开了一些有关钨钛合金溅射靶材的研究。例如CN111151763A公开了一种钨钛合金靶材的制备方法，包括：通过将钨钛合金粉末进行冷等静压工艺处理，然后将所述坯料放入包套并进行密封，其中所述包套与所述坯料通过耐高温棉隔离，使得在后续的工艺中所述坯料不会与所述包套发生反应，为后期出炉后从所述包套中取出所述钨钛合金靶材成品非常方便，同时，进行密封后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钨钛合金管靶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下内容：准备钨钛混合粉末与不锈钢内管，依次进行脱气处理、热等静压处理，得到以所述不锈钢内管为背管的钨钛合金管靶。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述脱气处理之前，以所述不锈钢内管、不锈钢外管与不锈钢圆环底板组成开口包套，将所述钨钛混合粉末装入所述开口包套的腔体内并夯实处理，采用带有脱气管的不锈钢圆环盖板对所述开口包套进行封闭处理形成真空包套。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述钨钛混合粉末由钨粉与钛粉在保护气体氛围下混合得到；优选地，所述保护气体包括氩气。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述钨钛混合粉末中W与Ti的质量比为(8.95
‑
9.05):1。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述不锈钢内管的外表面依次进行喷砂除锈与清洗干燥。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述脱气处理的温度为300
‑
400℃；优选地，所述脱气处理的时间为6
‑
9h。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述脱气处理的真空度为1.0
×
10
‑3‑
1.0
×
10
‑2Pa。8.根据权利要求1
‑
7任一项所述的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，边逸军，王学泽，姚明月，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：