制造透明导电膜的方法技术

制备透明导电膜(100)的方法，所述方法包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造透明导电膜的方法


[0001]本专利技术涉及制备包含银栅格的透明导电膜的方法。

技术介绍

[0002]透明导电膜(TCF)在触摸屏、LCD、用于太阳能电池和有机发光二极管的覆盖电极的制造中用作透明电极。
[0003]在过去的几十年中，氧化铟锡(ITO)已经成为用于这样的透明TCF应用的主要材料。然而，需要找到提供更低材料和图案化成本、更大灵活性、更好光电性能并且没有像铟存在的供应约束的替代。
[0004]WO2003/106573 (Cima NanoTech)公开了银纳米颗粒技术，其在基材上自组装成无规网状网络图案，例如在WO2003/106573中公开的。WO2007/022226和WO2008/046058 (Cambrios)公开了基于光学透明基质中的导电纳米线的TCF。也已经公开了基于碳纳米管的TCF。
[0005]US20140198264公开了TCF，其包含由导电材料制成的金属网，该导电材料在沟槽中含有金属。该方法需要纳米压印步骤。
[0006]来自Toray (Raybrid
TM
)的可UV固化的银膏也用于制造TCF。通过用UV光将银膏的涂层通过掩模曝光，去除涂层的未曝光部分，并烧结所得银图案，以获得由银网组成的透明导电膜，制备由细线组成的银图案。该方法需要许多方法步骤并消耗许多化学品，包括昂贵的银。
[0007]EP
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A 2720086 (NANO AND ADVANCED MATERIALS)公开了制造透明导电膜的方法，其中使用高能闪光光源通过掩模使包含银纳米线的涂层曝光，以使涂层退火和图案化。在曝光步骤之后不进行后处理。
[0008]EP
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A 2671927 (Agfa Gevaert)公开了金属纳米颗粒分散体，例如银喷墨油墨，其包含特定的分散介质，例如2
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吡咯烷酮，在不使用聚合物分散剂的情况下产生更稳定的分散体。
[0009]EP
‑
A 3037161 (Agfa Gevaert)公开了包含银纳米颗粒、液体载体和特定的分散稳定化合物的金属纳米颗粒分散体。

技术实现思路

[0010]本专利技术的目的是提供制备透明导电膜的成本有效的方法。
[0011]该目的通过在权利要求1中限定的方法来实现。
[0012]本专利技术的其它优点和实施方案将从以下描述和从属权利要求中变得明显。
附图说明
[0013]图1示意性地显示根据本专利技术的方法的实施方案。
[0014]图2示意性地显示在实施例中使用的光学掩模。
具体实施方式
[0015]定义如本文所用的术语聚合物支撑物和箔是指自支撑的聚合物基片材，其可以与一个或多个粘合层(例如胶层)缔合。支撑物和箔通常通过挤出制造。
[0016]如本文所用的术语“层”被认为不是自支撑的，并且通过将其涂布或喷涂到(聚合物)支撑物或箔上来制造。
[0017]PET是聚对苯二甲酸乙二醇酯的缩写。
[0018]术语烷基是指对于烷基中每个碳原子数可能的所有变体，即甲基；乙基；对于三个碳原子：正丙基和异丙基；对于四个碳原子：正丁基、异丁基和叔丁基；对于五个碳原子：正戊基、1,1
‑
二甲基
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丙基、2,2
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二甲基丙基和2
‑
甲基
‑
丁基等。
[0019]除非另有说明，否则取代或未取代的烷基优选为C1至C6‑
烷基。
[0020]除非另有说明，否则取代或未取代的烯基优选为C2至C6‑
烯基。
[0021]除非另有说明，否则取代或未取代的炔基优选为C2至C6‑
炔基。
[0022]除非另有说明，否则取代或未取代的烷芳基优选为包括一个、两个、三个或更多个C1至C6烷基的苯基或萘基。
[0023]除非另有说明，否则取代或未取代的芳烷基优选为包括芳基(优选苯基或萘基)的C1至C6‑
烷基。
[0024]除非另有说明，否则取代或未取代的芳基优选为取代或未取代的苯基或萘基。
[0025]环状基团包括至少一个环结构，并且可以是单环或多环基团，是指稠合在一起的一个或多个环。
[0026]杂环基是具有至少两种不同元素的原子作为其一个或多个环的成员的环状基团。杂环基的对应物是同素环基，其环结构仅由碳构成。除非另有说明，否则取代或未取代的杂环基优选为被一个、两个、三个或四个杂原子取代的五元或六元环，所述杂原子优选选自氧原子、氮原子、硫原子、硒原子或其组合。
[0027]脂环族基团是非芳族同素环基，其中环原子由碳原子组成。
[0028]术语杂芳基是指在环结构中包含碳原子和一个或多个杂原子(优选1
‑
4个独立地选自氮、氧、硒和硫的杂原子)的单环或多环芳族环。杂芳基的优选的实例包括但不限于吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、(1,2,3)
‑
三唑基和(1,2,4)
‑
三唑基、吡嗪基、嘧啶碱基、四唑基、呋喃基、噻吩基、异噁唑基、噻唑基、异噁唑基和噁唑基。杂芳基可以是未取代的或被一个、两个或更多个合适的取代基取代。优选地，杂芳基是单环，其中所述环包含1
‑
5个碳原子和1
‑
4个杂原子。
[0029]术语取代的(在例如取代的烷基中)是指烷基可以被除了通常存在于这样的基团中的原子(即碳和氢)以外的其它原子取代。例如，取代的烷基可以包括卤素原子或硫醇基。未取代的烷基仅含有碳和氢原子。
[0030]除非另有说明，否则取代的烷基、取代的烯基、取代的炔基、取代的芳烷基、取代的烷芳基、取代的芳基、取代的杂芳基和取代的杂环基优选被一个或多个取代基取代，所述取代基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、1
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异丁基、2
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异丁基和叔丁基、酯、酰胺、醚、硫醚、酮、醛、亚砜、砜、磺酸酯、磺酰胺、
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Cl、
‑
Br、
‑
I、
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OH、
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SH、
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CN和
‑
NO2。
[0031]制备导电银图案的方法
根据本专利技术制备透明导电膜(100)的方法包括以下步骤：
‑
将银组合物施加到基材上，从而在基材(10)上形成纳米银涂层(20)，
‑
用近红外(NIR)辐射(40)使银涂层成像曝光，从而形成曝光和未曝光区域，和
‑
去除(70)纳米银涂层的未曝光区域。
[0032]所述方法优选包括干燥步骤，其中在将银涂层成像暴露于NIR辐射之前将其干燥。
[0033]所述方法可以进一步包括在去除银涂层的未曝光区域之后的热处理。
[0034]银涂层在根据本专利技术的方法中，将银组合物施加到基材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.制备透明导电膜(100)的方法，所述方法包括以下步骤：
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将银组合物施加到基材上，从而在所述基材(10)上形成银涂层(20)，
‑
用近红外(NIR)辐射(40)使所述银涂层成像曝光，从而形成曝光和未曝光区域，和
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去除(70)所述银涂层的所述未曝光区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中通过掩模(50)进行所述成像曝光。3.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括干燥步骤，其中在将所述银涂层成像曝光于NIR辐射之前将其干燥。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述干燥步骤在40℃至100℃之间的温度下进行，持续15
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30分钟。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括在去除所述银涂层的所述未曝光区域之后的热处理。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述热处理在130℃至180℃之间的温度下进行，持续15
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60分钟。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述热处理在至少50℃的温度下在至少50%的相对湿度下进行。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中用溶剂去除所述未曝光区域。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述溶剂选自水、碳酸丙烯酯和苯氧基乙醇/2
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吡咯烷酮混合物。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基材是光学透明基材。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：爱克发格法特公司，
类型：发明
国别省市：