射频放大电路制造技术

本发明专利技术提供一种与输出信号的信号电平无关地抑制输出信号的输出相位的变动的射频放大电路。RF放大电路具备：第1放大晶体管，对供给至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管进行电流镜连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；第2偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管的基极进行发射极跟随连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；以及第1电容器，具有与所述第1放大晶体管的基极连接的第1端和与所述第2偏置用晶体管的发射极连接的第2端。用晶体管的发射极连接的第2端。用晶体管的发射极连接的第2端。

【技术实现步骤摘要】
射频放大电路


[0001]本专利技术涉及射频放大电路。

技术介绍

[0002]在便携电话等移动通信设备中，为了放大向基站发送的射频(RF：Radio Frequency)信号的功率而使用RF放大电路。在这样的RF放大电路中，包含有放大RF信号的放大电路和用于对构成该放大电路的放大晶体管施加偏置的偏置电路(例如，专利文献1)。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第5939404号公报
[0006]在专利文献1记载的RF放大电路中，通过与放大晶体管进行了电流镜连接的第1偏置用晶体管、以及与放大晶体管进行了发射极跟随连接的第2偏置用晶体管来对放大晶体管供给偏置。
[0007]在专利文献1记载的RF放大电路中，即使对第2偏置用晶体管的基极施加的控制电压是2.35V的低电压，也可在RF信号的信号电平小的低电平区域中通过第1偏置用晶体管来供给偏置，并在RF信号的信号电平大的区域中通过第2偏置用晶体管来供给偏置。由此，从低电平区域到高电平区域可抑制RF放大电路中的增益的变动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频放大电路，具备：第1放大晶体管，对供给至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管进行电流镜连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；第2偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管的基极进行发射极跟随连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；以及第1电容器，具有与所述第1放大晶体管的基极连接的第1端和与所述第2偏置用晶体管的发射极连接的第2端。2.根据权利要求1所述的射频放大电路，其中，还具备：第1电阻元件，连接在所述第1偏置用晶体管的基极与所述第2偏置用晶体管的发射极之间。3.根据权利要求2所述的射频放大电路，其中，所述第1电阻元件的电阻值为30Ω以上且800Ω以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的射频放大电路，其中，还具备：放大器，连接在所述第1电容器的第1端与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：筒井孝幸，田中聪，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：